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多个单负材料缺陷一维光子晶体的孪生缺陷模 被引量：7
1
作者 陈溢杭 徐清振 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1498-1502,共5页
分析了含有多个单负材料缺陷层的一维光子晶体中缺陷模的性质。在两种单负(负介电常量或负磁导率)材料交替堆叠形成的一维光子晶体中,掺入了多个周期排列的单负材料缺陷层,得到在该光子晶体的零有效相位(zero-effective phase)带隙内存... 分析了含有多个单负材料缺陷层的一维光子晶体中缺陷模的性质。在两种单负(负介电常量或负磁导率)材料交替堆叠形成的一维光子晶体中,掺入了多个周期排列的单负材料缺陷层,得到在该光子晶体的零有效相位(zero-effective phase)带隙内存在孪生缺陷模。通过改变缺陷的数目或缺陷层的厚度,可调节缺陷模的频率间隔,但缺陷模的数目总保持为两个。计算结果显示,该孪生缺陷模的频率对入射角度的依赖较弱;随着入射角度的改变,缺陷模频率的相对改变量总保持在0.03以下。此外,对应缺陷模频率的电场在该光子晶体中传播时,将被强烈地局域在缺陷层与周期结构的交界面上。 展开更多
关键词 光子晶体 孪生缺陷模 传输矩阵 单负材料
原文传递
引入零平均折射率材料掺杂的一维光子晶体缺陷模的特性研究
2
作者 王吉科 闫珂柱 姜迎迎 《量子光学学报》 CSCD 北大核心 2008年第4期443-448,共6页
本文利用特征矩阵理论模拟了一维光子晶体引入零平均折射率材料的缺陷模特性,发现在基频带隙处出现了孪生缺陷模,并分析了组成零平均折射率材料的正负折射率材料的折射率的变化对孪生缺陷模的位置、透射率和半峰宽度的影响,为双通道窄... 本文利用特征矩阵理论模拟了一维光子晶体引入零平均折射率材料的缺陷模特性,发现在基频带隙处出现了孪生缺陷模,并分析了组成零平均折射率材料的正负折射率材料的折射率的变化对孪生缺陷模的位置、透射率和半峰宽度的影响,为双通道窄带滤波器的设计提供了新的思路和理论依据。 展开更多
关键词 光子晶体 零平均折射率 特征矩阵 孪生缺陷模
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杂质吸收对1维光子晶体孪生缺陷模的影响
3
作者 王吉科 闫珂柱 姜迎迎 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期266-268,286,共4页
为了研究在1维光子晶体中掺杂具有吸收的零平均折射率材料而产生的孪生缺陷模特性,采用特征矩阵的方法进行了理论分析。结果表明,随着消光系数的变大,会使孪生缺陷模透射率先变大后变小,当其取某一特定值时,高低频缺陷模会出现最大值,... 为了研究在1维光子晶体中掺杂具有吸收的零平均折射率材料而产生的孪生缺陷模特性,采用特征矩阵的方法进行了理论分析。结果表明,随着消光系数的变大,会使孪生缺陷模透射率先变大后变小,当其取某一特定值时,高低频缺陷模会出现最大值,但不能同时出现;具有吸收特性的介质在缺陷层中的位置不同,会改变孪生缺陷模透射率的响应曲线。这一结果对开发光子晶体新的应用有重要意义。 展开更多
关键词 物理光学 光子晶体 特征矩阵 孪生缺陷模 消光系数 增益
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缺陷层厚度对1维光子晶体孪生缺陷模的影响
4
作者 王吉科 夏海燕 +1 位作者 闫珂柱 姜迎迎 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期403-405,412,共4页
为了研究由1维特定掺杂光子晶体生成的孪生缺陷模与缺陷层厚度的关系,采用特征矩阵的方法进行了理论分析。结果表明,当整体改变这种缺陷层厚度时,孪生缺陷模低频和高频模位置的变化情况各不相同;当仅改变缺陷层的正折射率材料的厚度时,... 为了研究由1维特定掺杂光子晶体生成的孪生缺陷模与缺陷层厚度的关系,采用特征矩阵的方法进行了理论分析。结果表明,当整体改变这种缺陷层厚度时,孪生缺陷模低频和高频模位置的变化情况各不相同;当仅改变缺陷层的正折射率材料的厚度时,随着厚度增加,孪生缺陷模红移;当仅改变缺陷层负折射率材料的厚度时,随着厚度增加,缺陷模蓝移;并且孪生缺陷模透射率的变化也很复杂。这一结果为设计有特殊用途的光子晶体器件提供了理论依据。 展开更多
关键词 物理光学 光子晶体 特征矩阵 孪生缺陷模
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