期刊文献+
共找到12篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
TFT-LCD面影像残留改善研究 被引量:11
1
作者 彭毅雯 徐伟 +1 位作者 罗毅 韩彦军 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期66-69,共4页
影像残留是一种TFT-LCD屏的固有特性。主要是由于长时间显示静态画面时液晶材料的极化敏感性造成的。这种极化影响了液晶材料的光学特性,并阻止液晶分子完全恢复到正常松弛状态。本文主要探讨了通过改变TFT设计来改善面影像残留现象的... 影像残留是一种TFT-LCD屏的固有特性。主要是由于长时间显示静态画面时液晶材料的极化敏感性造成的。这种极化影响了液晶材料的光学特性,并阻止液晶分子完全恢复到正常松弛状态。本文主要探讨了通过改变TFT设计来改善面影像残留现象的方案。通过设计实验变更TFT-LCD的主要参数(Pixel设计、Aperture Ratio、ΔVp等),提出了4种面影像残留改善方案并制作了样品。对这4种改善方案的试制样品进行了TFT-LCD面影像残留水平测量和评价,分析了各像素设计因素对面影像残留水平的影响;同时对试制样品的画面品质进行了评价,为解决相关画面品质问题对该方案进行了设计优化,最终获得了一种较佳的面影像残留改善方案。 展开更多
关键词 液晶显示器 影像残留 存储电容
下载PDF
a-Si:H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响 被引量:5
2
作者 李云飞 王永生 +4 位作者 张晓龙 刘宏宇 王刚 邵喜斌 何大伟 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期572-577,共6页
对OLED两管a-Si∶H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计... 对OLED两管a-Si∶H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值。 展开更多
关键词 OLED 有源驱动 存储电容 充电率
下载PDF
ADS模式低存储电容像素设计 被引量:5
3
作者 栗鹏 朴正淏 +5 位作者 金熙哲 金在光 尚飞 邱海军 高文宝 韩乾浩 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期19-22,共4页
高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C_(st))成为限制Dual Gate GOA 4K TV应用的主要因素。在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需... 高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C_(st))成为限制Dual Gate GOA 4K TV应用的主要因素。在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需要降低C_(st)。本文采用一种双条形电极ADS结构(Dual Slit ADS),其中像素电极与公共电极交叠区域形成ADS结构,像素电极与公共电极间隔区域形成共面转换(IPS)结构,通过减少像素电极与公共电极的交叠面积,起到降低ADS模式C_(st)的目的。模拟结果表明:当ADS显示模式采用Dual Slit ADS设计时,像素的C_(st)可以下降30%~40%。实验结果表明:采用Low Cst Pixel ADS设计时,VGH Margin可以增大2.5 V,但受到像素电极和公共电极的对位影响,透过率下降5%。 展开更多
关键词 高级超维场转换技术 DUAL GATE GOA 4K TV 存储电容 双条形电极
下载PDF
动态随机存储器器件研究进展 被引量:1
4
作者 吴俊 姚尧 +1 位作者 卢细裙 王鹏飞 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2016年第10期36-45,共10页
动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单... 动态随机存储器芯片是集成电路中销售量和销售额最大的单一产品.本文介绍了DRAM存储单元的基本原理并回顾了DRAM的技术发展与关键创新,总结了多种先进技术节点的DRAM芯片制造的关键工艺技术.分析了电容结构、阵列访问晶体管、存储器单元结构等方面的技术演进.介绍了多种基于U形沟道晶体管的DRAM存储单元以及6F2存储单元的制造方法.基于多项关键技术突破,对下一代DRAM芯片的关键器件工艺的技术发展趋势进行了推测.即:(1)阵列选择晶体管持续使用U形晶体管;(2)低k材料会被大规模使用来降低位线寄生电容;(3)提高灵敏放大电路的灵敏度和随温度来动态调整刷新频率来降低对存储电容的要求;(4)更多关注低功耗设计而不是一味地增大存储容量. 展开更多
关键词 动态随机存储 短沟道效应 掩埋字线 阵列访问晶体管 存储电容
原文传递
RS-232电路中带自动关断的电荷泵优化设计
5
作者 杨毅 吴春瑜 +1 位作者 李文昌 李威 《电子器件》 CAS 2008年第5期1574-1576,1580,共4页
提出了一种用于RS-232电路中的升降压式的开关电容电荷泵,并阐述了电荷泵的工作原理,在减小功耗,使泵压稳定等方面对提高电荷泵的性能做了研究。该电荷泵通过检测输出电压来控制泵压,达到了稳压输出;同时,通过对RS-232电路的输入端进行... 提出了一种用于RS-232电路中的升降压式的开关电容电荷泵,并阐述了电荷泵的工作原理,在减小功耗,使泵压稳定等方面对提高电荷泵的性能做了研究。该电荷泵通过检测输出电压来控制泵压,达到了稳压输出;同时,通过对RS-232电路的输入端进行监测来控制电荷泵的工作,大大降低了芯片功耗。最后,经过仿真对其性能进行了验证。 展开更多
关键词 RS-232 电荷泵 跨路电容 存储电容
下载PDF
改善a-Si TFT LCD像素电极跳变电压方法研究 被引量:5
6
作者 马占洁 《现代显示》 2009年第4期19-22,27,共5页
非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(a-Si TFT LCD)中,在栅极信号由开启到关断的瞬间,由于栅源耦合电容Cgs的存在,使像素电极电压出现跳变,跳变前后像素电极电压差称为ΔVp。降低ΔVp一方面能减小闪烁程度,降低残像残留,同时还能最大程度地提... 非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(a-Si TFT LCD)中,在栅极信号由开启到关断的瞬间,由于栅源耦合电容Cgs的存在,使像素电极电压出现跳变,跳变前后像素电极电压差称为ΔVp。降低ΔVp一方面能减小闪烁程度,降低残像残留,同时还能最大程度地提高像素电极保持阶段的电压,防止出现因TFT漏电流过大而造成的像素电极电压衰变到所应显示灰度电压之下,从而出现显示灰阶的变化。本文从理论上分析了ΔVp形成原理,介绍了两种能有效降低ΔVp的方法,即多栅极电路和脉冲式存储电容。 展开更多
关键词 液晶显示器 跳变电压 多栅极电路 脉冲式存储电容
下载PDF
动态随机存储器中堆叠电容器结构的互连寄生电容模拟 被引量:1
7
作者 李毅 王泽毅 侯劲松 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期29-31,共3页
在高密度比特位动态随机存储器 (DRAM)芯片的发展中 ,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用 ,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出 ,已成为不可忽视的重要因素 ,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫... 在高密度比特位动态随机存储器 (DRAM)芯片的发展中 ,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用 ,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出 ,已成为不可忽视的重要因素 ,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫的要求 .本文介绍一个基于直接边界元素法的精度高 ,速度快 ,并可适应复杂堆叠(stacked)电容器结构的互连寄生电容模拟软件 ,并通过实例计算 。 展开更多
关键词 寄生电容 动态随机存储 堆叠存储电容
下载PDF
2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(3)
8
《电子产品可靠性与环境试验》 2003年第5期61-64,共4页
41.超薄重新充氧氮化物的漏电流和可靠性评价以及与二氧化硅的比较(Leakage Current and Relia-bility Evaluation of Ultra-thin Reoxidized Nitride andComparison with Silicon Dioxides)——2002 Inter-national Reliability Physic... 41.超薄重新充氧氮化物的漏电流和可靠性评价以及与二氧化硅的比较(Leakage Current and Relia-bility Evaluation of Ultra-thin Reoxidized Nitride andComparison with Silicon Dioxides)——2002 Inter-national Reliability Physics Symposium pp.255—267. 展开更多
关键词 2002年 可靠性 氧氮化物 存储电容 薄膜晶体管 CMOS
下载PDF
接插元件、继电器、开关、熔断器
9
《电子科技文摘》 1999年第11期17-18,共2页
介绍了能为功率 MOS 器件提供快开关速度的光生伏打 MOS 激励器新概念。控制信号编码可连续传送光能量,存储电容器提供有源低阻抗门控制,并可实现诸如保护,零电压或零电流开关的附加特性。描述了工作原理及试验结果。
关键词 接插元件 继电器 零电流开关 熔断器 光生伏打 存储电容 激励器 信号编码 工作原理 连续传送
原文传递
Dan D'Agostino推出PROGRESSION M600和S400特别升级版后级放大器
10
《视听前线》 2019年第9期75-75,共1页
Dan D'Agostino(大丹)于此次香港音响展首次发布最新的Progression系列后级功放的特别升级版。与原标准产品相比,新的特别升级版M600单声道后级放大器和S400立体声后级放大器提供了更高的功率输出。采用新型的高压、高调节电源变压... Dan D'Agostino(大丹)于此次香港音响展首次发布最新的Progression系列后级功放的特别升级版。与原标准产品相比,新的特别升级版M600单声道后级放大器和S400立体声后级放大器提供了更高的功率输出。采用新型的高压、高调节电源变压器增加了两个放大器的功率输出。40万uF的电源存储电容完成了电力传输主干。升级放大器采用直接耦合、完全互补的驱动级,配有42个输出晶体管。 展开更多
关键词 后级放大器 电源变压器 存储电容 直接耦合 音响展 完全互补 驱动级 电力传输
下载PDF
可变形银纳米传感器
11
《机械工程师》 2014年第2期I0005-I0005,共1页
近日,朱永博士(Dr.YongZhu)和他率领的美国北卡罗来纳州立大学研究团队利用银纳米线成功开发出可变形多功能传感器。首先银纳米线的两头分别用绝缘体夹住,然后创建了一个带电容的设备来存储电容。
关键词 银纳米线 可变形 纳米传感器 北卡罗来纳州立大学 多功能传感器 存储电容 绝缘体
下载PDF
0.13 μm嵌入式DRAM CMOS技术的HSG存储电容器介质可靠性
12
《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第3期76-76,共1页
关键词 嵌入式 DRAM CMOS技术 HSG 存储电容器介质 可靠性 半球晶粒 失效模式
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部