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基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性
被引量：
4
1
作者
白云霞
郭春生
+3 位作者
冯士维
孟海杰
吕长志
李志国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期79-82,共4页
基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析。通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据...
基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析。通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据处理,得到其失效激活能E=0.54 eV,在偏置VDS=7.5 V,IDS=0.8 A,推导出功率VDMOS在室温下工作的寿命特征值为3.67×106h。失效分析发现,栅极累积失效是影响功率VDMOS漏源电流IDS退化的主要失效机理。
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关键词
垂直双扩散场金属氧化物半导体
失效
激活能
失效
机理
Arrhenius模型
最好线
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职称材料
题名
基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性
被引量：
4
1
作者
白云霞
郭春生
冯士维
孟海杰
吕长志
李志国
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期79-82,共4页
基金
国家863项目(2006AA03A112)
北京工业大学博士启动基金(X0002013200802)
北京工业大学校青年基金(X1002013200801)
文摘
基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析。通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据处理,得到其失效激活能E=0.54 eV,在偏置VDS=7.5 V,IDS=0.8 A,推导出功率VDMOS在室温下工作的寿命特征值为3.67×106h。失效分析发现,栅极累积失效是影响功率VDMOS漏源电流IDS退化的主要失效机理。
关键词
垂直双扩散场金属氧化物半导体
失效
激活能
失效
机理
Arrhenius模型
最好线
Keywords
VDMOS
failure activation energy
failure mechanism
Arrhenius model
BLUE
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
TN306
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性
白云霞
郭春生
冯士维
孟海杰
吕长志
李志国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
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职称材料
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参考文献
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