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用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数
被引量:
13
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作者
牟维兵
陈盘训
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期189-192,共4页
当X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低Z材料的一侧将产生剂量增强 .介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用蒙特 卡洛程序计算了钨 硅、钽 硅、钨 二氧化硅和钽 二氧化硅界面的剂量增强系数 .
关键词
X射线
界面
辐射损伤
剂量增强系数
重金属
蒙特卡罗法
大
规律
comos
电路
原文传递
题名
用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数
被引量:
13
1
作者
牟维兵
陈盘训
机构
中国工程物理研究院西南核物理与化学研究所
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第2期189-192,共4页
文摘
当X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低Z材料的一侧将产生剂量增强 .介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用蒙特 卡洛程序计算了钨 硅、钽 硅、钨 二氧化硅和钽 二氧化硅界面的剂量增强系数 .
关键词
X射线
界面
辐射损伤
剂量增强系数
重金属
蒙特卡罗法
大
规律
comos
电路
Keywords
X-ray
interface
radiation impairment
dose-enhancement-factor
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数
牟维兵
陈盘训
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
13
原文传递
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