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一款高精度大衰减量单片数控衰减器 被引量:9
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作者 刘志军 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期59-62,共4页
介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法。电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现。对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计流程分别作了相应的描述。针对不同衰减值的基本衰减... 介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法。电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现。对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计流程分别作了相应的描述。针对不同衰减值的基本衰减位,选择合适的衰减拓扑。通过采用创新的大衰减量衰减结构,既实现了63.5 dB的大衰减量,又满足其衰减精度的要求,还达到了整个单片数控衰减器低插入损耗和高衰减精度的目标。单片电路测试结果为:在3~100 MHz工作频率范围内,插入损耗≤2.2 dB,驻波比≤1.4∶1,衰减范围为0.5~63.5 dB。测试结果表明设计方法有效、可行。电路尺寸为3.5 mm×1.4 mm×0.1 mm,控制电压为0 V和-5 V。 展开更多
关键词 衰减 高精度 单片式微波集成电路 数控衰减 砷化镓
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一种正电控制大衰减量的6bit单片数控衰减器 被引量:5
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作者 甄建宇 王清源 +2 位作者 赵瑞华 刘金 王凯 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期184-188,共5页
分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC~2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,... 分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC~2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,采用GaAs工艺技术完成了流片。测试结果表明,在DC~2 GHz频带内,衰减步进1 dB,最大衰减量63 dB,插入损耗小于1.7 dB,衰减精度小于±0.1 dB@1 dB~4 dB;小于±0.8 dB@8 dB~32 dB;小于±1.3 dB@48 dB~63 dB,两个端口在所有态下的驻波比小于1.2∶1。单片数控衰减器芯片尺寸为3.0 mm×2.0 mm,控制电压为0和5 V。 展开更多
关键词 衰减 数控衰减 正电控制 微波单片集成电路 数模混合
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利用T矩阵法实现非程控步进衰减器的测量 被引量:2
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作者 闫道广 于蒙 《计测技术》 2012年第3期47-49,共3页
针对现有衰减校准系统量程小、难以满足步进衰减器等大衰减量计量需求的问题,通过对T矩阵法的分析研究,提出了利用T矩阵法实现非程控步进衰减器测量的方案,详细介绍了T矩阵法的原理和实现过程,经过实测验证,所述方法可为大衰减量的计量... 针对现有衰减校准系统量程小、难以满足步进衰减器等大衰减量计量需求的问题,通过对T矩阵法的分析研究,提出了利用T矩阵法实现非程控步进衰减器测量的方案,详细介绍了T矩阵法的原理和实现过程,经过实测验证,所述方法可为大衰减量的计量测试提供一套切实可行的解决方案。 展开更多
关键词 步进衰减 衰减 微波 衰减 T矩阵
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基于Visual Basic 6.0的大衰减量的自动校准 被引量:1
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作者 刘杰 刘丽 《计测技术》 2009年第2期25-28,共4页
介绍了大衰减量的测试原理和测试方法,并着重介绍了利用这种测试方法并通过Visual Basic 6.0实现对大衰减量的自动校准;所开发的自动校准系统简洁明了、操作方便、性能可靠。
关键词 衰减 VISUAL Basic 6.0 自动校准
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利用 T矩阵法实现大衰减量的测量
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作者 闫道广 陈志宇 《计量技术》 2014年第3期20-22,共3页
针对现有衰减校准系统量程小,难以满足步进衰减器等大衰减量计量需求的问题,通过对微波网络理论的分析研究,提出了利用T矩阵法实现大衰减量测量的方案,介绍了微波网络参数的模型,详细介绍了T矩阵法的实现过程,经过实测验证,方案... 针对现有衰减校准系统量程小,难以满足步进衰减器等大衰减量计量需求的问题,通过对微波网络理论的分析研究,提出了利用T矩阵法实现大衰减量测量的方案,介绍了微波网络参数的模型,详细介绍了T矩阵法的实现过程,经过实测验证,方案可行,可为大衰减量的计量测试提供一套切实可行的解决方案。 展开更多
关键词 步进衰减 衰减 微波 衰减 T矩阵
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