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离子注入技术现状与发展趋势 被引量：2
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作者 本刊编辑部 《电子工业专用设备》 2009年第10期1-8,共8页
离子注入制程已成为器件设计的最前端工作,现在更被视为实现32nm和22nm晶体管制程的推动要素。器件漏电流、浅结面制作,器件尺寸缩小,以及急速增加成本的挑战,正在限制摩尔定律的延伸。针对32nm节点离子注入制程器件的工艺要求,介绍了... 离子注入制程已成为器件设计的最前端工作,现在更被视为实现32nm和22nm晶体管制程的推动要素。器件漏电流、浅结面制作,器件尺寸缩小,以及急速增加成本的挑战,正在限制摩尔定律的延伸。针对32nm节点离子注入制程器件的工艺要求,介绍了离子注入设备的发展方向。 展开更多
关键词 32 nm节点器件 漏电流控制 超浅结注入 大束流低能注入 单晶片注入 机械扫描
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