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题名1200V大容量SiC MOSFET器件研制
被引量：6
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作者
刘新宇
李诚瞻
罗烨辉
陈宏
高秀秀
白云
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机构
中国科学院微电子研究所
新型功率半导体器件国家重点实验室
株洲中车时代半导体有限公司
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第12期2313-2318,共6页
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基金
国家重点基础研究发展规划(973计划)项目(No.2017YFB0102302)。
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文摘
采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力.
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关键词
碳化硅
MOSFET
栅极bus-bar
JFET注入
大容量器件
低漏电
高温半导体
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Keywords
SiC
MOSFET
gate bus-bar
JFET implantation
high capacity device
low leakage current
high temperature semiconductor
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分类号
TN323
[电子电信—物理电子学]
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题名大容量电力电子器件结温提取原理综述及展望
被引量：71
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作者
李武华
陈玉香
罗皓泽
周宇
杨欢
何湘宁
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机构
浙江大学电气工程学院
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出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第13期3546-3557,3373,共12页
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基金
973青年科学家专题(2014CB247400)
国家自然科学基金重大项目(51490682)~~
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文摘
电力生产、传输和消费方式的变革对大容量电力电子装备的可靠性提出了更高的要求。温度诱发的器件失效是电力电子系统失效的主要原因。因此,对器件结温的精确提取是大功率电力变换装备的寿命预测、健康管理和可靠性评估的基础。该文概述大容量电力电子器件结温提取原理和相关技术的最新进展,梳理现有器件结温检测技术的分类方法和主要特点,特别是对热敏感电参数提取方法的工作原理、典型特征进行总结和归纳,并从线性度、灵敏度、泛化度等指标对结温提取方法进行初步评估。在此基础上展望大容量电力电子器件结温提取的未来研究方向。
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关键词
大容量电力电子器件
结温提取
热敏感电参数
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Keywords
high power semiconductor devices
junction temperature extraction
temperature sensitive electrical parameters
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分类号
TM
[电气工程]
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