碳纳米管阵列应用于热界面材料的研究进展 被引量：8

1

作者 陈宏源 周振平 李清文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1-6,共6页

介绍与评价了近年来用于改善作为热界面材料(TIM)的碳纳米管阵列性能的方法,探讨了碳纳米管阵列形貌、缺陷状态、界面处理和固化材料引入对碳纳米管阵列导热性能的影响,总结了其在热界面材料领域应用所需要具备的条件,即能够作为热界面... 介绍与评价了近年来用于改善作为热界面材料(TIM)的碳纳米管阵列性能的方法,探讨了碳纳米管阵列形貌、缺陷状态、界面处理和固化材料引入对碳纳米管阵列导热性能的影响,总结了其在热界面材料领域应用所需要具备的条件,即能够作为热界面材料的碳纳米管阵列必须满足形貌合适、缺陷较少、一定程度复合、接触界面热阻低、封装工艺合理等一系列要求。 展开更多

关键词 碳纳米管阵列 热界面材料 大功率电子器件 应用

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星载电子器件用空气射流散热特性 被引量：4

2

作者 刘亮堂 王安良 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期1553-1559,共7页

在前期设计卫星大功率电子设备地面测试用通风散热系统的基础上,对系统散热性能进行了优化设计,对不同结构参数下电子器件的空气射流强化散热开展了数值仿真.研究结果表明系统中喷嘴出口直径、喷嘴出口至换热面距离、射流倾斜角以及喷... 在前期设计卫星大功率电子设备地面测试用通风散热系统的基础上,对系统散热性能进行了优化设计,对不同结构参数下电子器件的空气射流强化散热开展了数值仿真.研究结果表明系统中喷嘴出口直径、喷嘴出口至换热面距离、射流倾斜角以及喷嘴出口风速等参数对散热性能均有直接影响,并给出了定量的无量纲参数优化设计结果.该结论也可应用于表面热流密度为1 k W/m2级电子器件散热的优化设计,并为星载大功率电子设备对流式热控系统设计和地面测试提供技术参考. 展开更多

关键词 大功率电子器件 卫星 通风散热 空气射流 优化设计

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稀释气体流量对外延生长3C-SiC薄膜的影响

3

作者 朱佩佩 熊梦杨 涂溶 《船电技术》 2022年第10期28-31,共4页

3C-SiC具有带隙宽、临界击穿电场高、导热率高、载流子饱和漂移速率高等优异的物理特性,被广泛应用于大功率电子器件。3C-SiC(001)单晶薄膜具有最高的电子迁移率,能显著提高大功率场效应晶体管(MOSFET)器件的性能。本论文采用激光化学... 3C-SiC具有带隙宽、临界击穿电场高、导热率高、载流子饱和漂移速率高等优异的物理特性,被广泛应用于大功率电子器件。3C-SiC(001)单晶薄膜具有最高的电子迁移率,能显著提高大功率场效应晶体管(MOSFET)器件的性能。本论文采用激光化学气相沉积技术在Si(001)衬底异质外延3C-SiC薄膜,研究了稀释气体流量对3C-SiC(001)薄膜的影响。当氢气流量为0.5 slm时,薄膜具有最大的电子迁移率590 cm^(2)V^(-1)S^(-1)。 展开更多

关键词 3C-SIC 大功率电子器件 激光化学气相沉积

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GaN电力电子和射频器件产业链分析 被引量：1

4

作者 沈一度 《集成电路应用》 2018年第10期91-92,共2页

Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强等优越性能,是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料。在Ⅲ族氮化物材料体系中,AlGaN/GaN异质结构是迄今为止研制高温、高频、大功率电... Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强等优越性能,是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料。在Ⅲ族氮化物材料体系中,AlGaN/GaN异质结构是迄今为止研制高温、高频、大功率电子器件最重要和最基本的材料体系。GaN产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节以及下游的应用环节。 展开更多

关键词 氮化物半导体 GAN 大功率电子器件 射频器件

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碳化硅衬底为半导体照明产业注入新活力 被引量：1

5

作者 杨碧玲 《集成电路应用》 2013年第6期18-19,共2页

碳化硅不但是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,同时也特别适合用于制备低能耗、大功率白光器件,在未来的路灯和室外照明领域具有巨大的市场潜力。

关键词 碳化硅衬底 半导体照明产业 大功率电子器件 活力 市场潜力 室外照明 低能耗 光器件

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3英寸6H-SiC单晶的生长 被引量：1

6

作者 王英民 宁丽娜 +5 位作者 陈秀芳 彭燕 高玉强 胡小波 徐现刚 蒋民华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期717-718,共2页

关键词 6H-SiC单晶 单晶生长 宽带隙半导体材料 蓝色发光二极管 大功率电子器件 Cree公司 电学性质 衬底材料

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第二次电子革命及对策建议

7

作者 张荣 《科技与经济》 2001年第2期12-14,共3页

关键词 第二次电子革命 高压大功率电子技术 大功率电子器件 砷化镓 节能化 电子化 长效化 半导体材料

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搅拌摩擦焊技术助力电力电子行业发展

8

《现代焊接》 2012年第6期14-15,共2页

随着电子电路集成化程度和各种大功率电子器件容量的不断增加，以及电子器件或装置尺寸体积的不断减小，使散热装置本身必须完成的散热要求也越来越高。高热流密度的形成带来了对电子元器件更高的热控制要求：必须采用先进的散热工艺和... 随着电子电路集成化程度和各种大功率电子器件容量的不断增加，以及电子器件或装置尺寸体积的不断减小，使散热装置本身必须完成的散热要求也越来越高。高热流密度的形成带来了对电子元器件更高的热控制要求：必须采用先进的散热工艺和性能优异的散热材料来有效地带走热量，以保证电子元器件在其所能承受的最高温度内正常工作。 展开更多

关键词 电力电子行业 搅拌摩擦焊 大功率电子器件 电子元器件 技术 散热装置 高热流密度 电子电路

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赛福斯特——系统化的散热器解决方案提供商

9

《现代焊接》 2013年第2期12-13,共2页

随着电子电路集成化程度和各种大功率电子器件容量的不断增加及电子器件或装置尺寸体积的不断减小,散热装置本身必须完成的散热要求也越来越高。高热流密度的形成带来了对电子元器件更高的热控制要求：必须采用先进的连接工艺和性能优... 随着电子电路集成化程度和各种大功率电子器件容量的不断增加及电子器件或装置尺寸体积的不断减小,散热装置本身必须完成的散热要求也越来越高。高热流密度的形成带来了对电子元器件更高的热控制要求：必须采用先进的连接工艺和性能优异的散热材料来有效的带走热量,以保证电子元器件在其所能承受的最高温度内正常工作。 展开更多

关键词 散热器 大功率电子器件 提供商 系统化 福斯特 电子元器件 散热装置 高热流密度

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大功率脉冲变压器用非晶合金研究

10

作者 李志华 杨膺善 《钢铁研究学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期41-47,共7页

研制出Fe_(79)Si_(3.5)B_(15 5)C_2非晶合金,它是制作大功率脉冲变压器铁芯的理想材料。该合金经纵向磁处理后具有优异的脉冲磁性能:在τ=3μs,f=300 Hz时,当△B=1.5 T,μ_P=11000;当△B=1.8 T,μ_P=9000。这与通用脉冲变压器铁芯材料... 研制出Fe_(79)Si_(3.5)B_(15 5)C_2非晶合金,它是制作大功率脉冲变压器铁芯的理想材料。该合金经纵向磁处理后具有优异的脉冲磁性能:在τ=3μs,f=300 Hz时,当△B=1.5 T,μ_P=11000;当△B=1.8 T,μ_P=9000。这与通用脉冲变压器铁芯材料硅钢相比,脉冲磁导率μ_P提高了2倍多。用该非晶成功的制成了国内第一台高压大功率偏置式脉冲变压器。 展开更多

关键词 脉冲变压器 非晶合金 大功率电子器件 磁性材料

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一种新型周期磁场系统的设计

11

作者 徐建华 《江汉石油学院学报》 CSCD 北大核心 1991年第4期85-87,共3页

在大功率电子器件中,常常需要一种在纵向空间上呈周期性变化的静磁场,并要求磁场的横向分量足够大。现有的周期磁场系统主要有以下几种结构方式:(1)分别通以反向电流的双绕螺旋线圈,这种结构的电源系统复杂;(2)

关键词 周期磁场系统 静磁场 大功率电子器件

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大功率电子器件用高热导率陶瓷材料

12

作者 高陇桥 《火花塞与特种陶瓷》 1994年第3期44-46,共3页

关键词 陶瓷材料 氮化铝陶瓷 大功率电子器件

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大功率真空微波电子器件的保证使用寿命浅析

13

作者 刘辉 《电子标准化与质量》 1996年第3期6-8,共3页

概略地分析了大功率真空微波电子器件标准中“保证使用寿命”这一概念的内涵，及其对于真空微波器件可靠性评价的意义和适用范围，对如何在生产线贯彻国军标工作中采用“保证使用寿命”提出了建议。

关键词 微波器件 大功率电子器件 寿命

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浅析弧焊设备电磁兼容性标准及CCC认证的相关要求

14

作者 司立峰 《现代测量与实验室管理》 2010年第5期38-39,共2页

0引言弧焊设备作为一种工业设备具有数量多、适用场合复杂、电磁干扰问题严重等特点，长期成为一种典型的电磁干扰源，特别是随着电力电子技术的发展以及大功率电子器件的广泛应用，弧焊设备向着高频化、智能化和大容量化发展，电磁干... 0引言弧焊设备作为一种工业设备具有数量多、适用场合复杂、电磁干扰问题严重等特点，长期成为一种典型的电磁干扰源，特别是随着电力电子技术的发展以及大功率电子器件的广泛应用，弧焊设备向着高频化、智能化和大容量化发展，电磁干扰问题越发突出。为了降低弧焊设备的电磁骚扰， 展开更多

关键词 电磁兼容性标准 弧焊设备 CCC认证 大功率电子器件 电力电子技术 干扰问题 电磁干扰源 工业设备

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王国宏:在扬州实现LED衬底的市场蜕变

15

作者 申思 《高科技与产业化》 2019年第5期22-25,共4页

作为第三代半导体材料,氮化镓(GaN)具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。然而,以氮化镓为衬底的LED(发光二极管)光的提取效率一直是半导体照明核心器件效率提升的重要技术瓶颈。

关键词 LED 衬底 第三代半导体材料 大功率电子器件 蜕变 市场 扬州 微波器件

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现代大功率电子器件在牵引变流器中的应用

16

作者 樊俊杰（翻译） 郭纯成（校对） 《电气牵引》 2006年第2期19-28,共10页

以现代大功率电子器件，为基础的牵引逆变器与三相异步牵引电动机相结合，既可提高牵引力，又可降低电力牵引对电网的干扰。在牵引传动领域里由于采用了可关断晶闸管（GTO）引起了质的飞跃。比GTO更加紧凑．更加可靠的绝缘栅双极晶体管... 以现代大功率电子器件，为基础的牵引逆变器与三相异步牵引电动机相结合，既可提高牵引力，又可降低电力牵引对电网的干扰。在牵引传动领域里由于采用了可关断晶闸管（GTO）引起了质的飞跃。比GTO更加紧凑．更加可靠的绝缘栅双极晶体管（IGBT）的成功开发，明显的削弱了GTO的地位，从而在现代三相异步牵引传动中占据了主导地位。 展开更多

关键词 大功率电子器件 牵引变流器 三相异步牵引电动机 绝缘栅双极晶体管 异步牵引传动 应用 可关断晶闸管 牵引逆变器

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大功率电子器件的酷炫新选择

17

作者 Richard Stevenson 《科技纵览》 2016年第4期11-12,共2页

拥有较大能隙的氯化镓有可能超越其他竞争对手，与硅材料相媲美。

关键词 大功率电子器件 竞争对手 氯化镓 硅材料

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用于风电等分散型电源中的大功率电子器件的介绍

18

作者 杨钦慧 《电机技术》 2009年第5期43-44,共2页

1用于风力发电机 风力发电有四种连接方式，见表1。这里，仅就DC连接的变频方式和AC连接的双馈方式作说明。

关键词 大功率电子器件 分散型 风力发电机 电源 风电 连接方式 变频方式 AC

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大功率电力电子器件散热研究综述 被引量：27

19

作者 李广义 张俊洪 高键鑫 《兵器装备工程学报》 CAS 北大核心 2020年第11期8-14,共7页

针对现阶段制约电力电子技术发展的散热问题,以温度对电力电子器件的影响、电力电子设备热设计特点、常见散热技术、散热系统优化研究和新材料在电力电子散热研究中的应用这五方面为切入点,论述了大功率电力电子器件散热研究现状,分析... 针对现阶段制约电力电子技术发展的散热问题,以温度对电力电子器件的影响、电力电子设备热设计特点、常见散热技术、散热系统优化研究和新材料在电力电子散热研究中的应用这五方面为切入点,论述了大功率电力电子器件散热研究现状,分析了进一步的发展方向;发现针对电力电子器件散热技术的基础理论研究成果较为丰富,并且在散热器的几何和结构优化及散热系统风道设计等方面的研究也已十分深入,不少论文针对性的提出了多种优化结构及优化算法;在未来电力电子器件的散热器件材料研究中新型散热材料和热界面材料的研发仍然是研究重点;并且新散热技术的研究也需进一步深入。 展开更多

关键词 大功率电力电子器件 热设计 散热 高功率密度

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半导体材料的华丽家族——氮化镓基材料简介 被引量：6

20

作者 孙殿照 《物理》 CAS 北大核心 2001年第7期413-419,共7页

GaN基氮化物材料已成功地用于制备蓝、绿、紫外光发光器件 ,日光盲紫外探测器以及高温、大功率微波电子器件 .由于该材料具有大的禁带宽度、高的压电和热电系数 ,它们还有很强的其他应用潜力 ,诸如做非挥发存储器以及利用压电和热电效... GaN基氮化物材料已成功地用于制备蓝、绿、紫外光发光器件 ,日光盲紫外探测器以及高温、大功率微波电子器件 .由于该材料具有大的禁带宽度、高的压电和热电系数 ,它们还有很强的其他应用潜力 ,诸如做非挥发存储器以及利用压电和热电效应的电子器件等 .在 2 0世纪 80年代末和 90年代初 ,在GaN基氮化物材料的生长工艺上的突破引发了 90年代GaN基器件 ,特别是光电子和高温、大功率微波器件方面的迅猛发展 .文章评述了GaN基氮化物的材料特性、生长技术和相关器件应用 . 展开更多

关键词 氮化镓 GAN 宽禁带半导体 材料特性 生长技术 发光器件 大功率微波电子器件

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