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第3代半导体材料GaN基微波功率器件研究和应用进展 被引量：5
1
作者 王丽 王翠梅 《新材料产业》 2014年第3期13-17,共5页
微波功率器件是指工作频段在300M～300GHz这个微波波段内的电子器件，主要用以实现微波功率的发射和放大、控制和接收等功能，是现代相控阵雷达、移动通讯基站等的核心部件。目前微波功率器件的主流产品主要基于第l代半导体材料硅（Si... 微波功率器件是指工作频段在300M～300GHz这个微波波段内的电子器件，主要用以实现微波功率的发射和放大、控制和接收等功能，是现代相控阵雷达、移动通讯基站等的核心部件。目前微波功率器件的主流产品主要基于第l代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第2代半导体材料砷化镓（GaAS）、磷化铟（InP）。20世纪90年代，基于第3代宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）的高频、大功率微波器件开始引起人们的关注，并在近十几年快速发展，尤其是基于GaN材料的高电子迁移率晶体管（HEMT）器件和电路，已经开始在某些领域取代GaAs器件。 展开更多
关键词 宽禁带半导体材料 微波功率器件 GAN材料 第3代 高电子迁移率晶体管 大功率微波器件 应用 GAAS器件
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在1．8GHz频率下功率密度为2．8W／mm的4H－SiCMESFET
2
作者 何君 《半导体情报》 1996年第3期42-44,共3页
本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２μｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。当Ｖｄｓ＝２５Ｖ时，电流密度约为３００ｍＡ／ｍｍ，最大跨导在３８～４２... 本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２μｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。当Ｖｄｓ＝２５Ｖ时，电流密度约为３００ｍＡ／ｍｍ，最大跨导在３８～４２ｍＳ／ｍｍ之间；当频率为５ＧＨｚ时，该器件的增益为９．３ｄＢ，ｆｍａｘ＝１２．９ＧＨｚ。当Ｖｄｓ＝５４Ｖ时，功率密度为２．８Ｗ／ｍｍ，功率附加效率为１２．７％。 展开更多
关键词 MESFET 大功率微波器件 功率密度
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多注速调管维修方案
3
作者 郭家诚 《科学技术创新》 2018年第2期190-191,共2页
多注速调管是一种大功率微波器件,它是由单注速调管发展而来的,运用了多电子注技术。在相同功率的情况下,多注速调管和单注速调管相比,具有工作频带宽、电压低、重量轻、体积小、效率高、增益高的优势,广泛应用于雷达、粒子加速器、微... 多注速调管是一种大功率微波器件,它是由单注速调管发展而来的,运用了多电子注技术。在相同功率的情况下,多注速调管和单注速调管相比,具有工作频带宽、电压低、重量轻、体积小、效率高、增益高的优势,广泛应用于雷达、粒子加速器、微波武器、航空探测、广播电台等领域。作为这些大功率微波发射设备之中的关键性器件,它的维护与保养至关重要。本文则是针对速调管在日常使用中可能出现的一些问题,提出了几点注意事项和解决方法。 展开更多
关键词 多注速调管 大功率微波器件 维护与保养 维修方案
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半导体材料的华丽家族——氮化镓基材料简介 被引量：6
4
作者 孙殿照 《物理》 CAS 北大核心 2001年第7期413-419,共7页
GaN基氮化物材料已成功地用于制备蓝、绿、紫外光发光器件 ,日光盲紫外探测器以及高温、大功率微波电子器件 .由于该材料具有大的禁带宽度、高的压电和热电系数 ,它们还有很强的其他应用潜力 ,诸如做非挥发存储器以及利用压电和热电效... GaN基氮化物材料已成功地用于制备蓝、绿、紫外光发光器件 ,日光盲紫外探测器以及高温、大功率微波电子器件 .由于该材料具有大的禁带宽度、高的压电和热电系数 ,它们还有很强的其他应用潜力 ,诸如做非挥发存储器以及利用压电和热电效应的电子器件等 .在 2 0世纪 80年代末和 90年代初 ,在GaN基氮化物材料的生长工艺上的突破引发了 90年代GaN基器件 ,特别是光电子和高温、大功率微波器件方面的迅猛发展 .文章评述了GaN基氮化物的材料特性、生长技术和相关器件应用 . 展开更多
关键词 氮化镓 GAN 宽禁带半导体 材料特性 生长技术 发光器件 大功率微波电子器件
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星用大功率微波铁氧体器件微放电效应及抑制 被引量：2
5
作者 贺卿 张全 代梅 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2019年第4期51-55,共5页
介绍了微放电效应的产生机理和条件,以及大功率铁氧体器件微放电效应研究现状。重点介绍了星用大功率铁氧体器件微放电效应的抑制措施,包括设计、材料、工艺及生产控制,以期为相关器件微放电抑制提供指导。
关键词 大功率微波铁氧体器件 微放电效应 抑制
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金刚石微波功率场效应晶体管 被引量：1
6
作者 郁鑫鑫 周建军 +3 位作者 齐成军 曹正义 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第6期F0003-F0003,共1页
金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经... 金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经成为21世纪的战略材料之一。 展开更多
关键词 大功率微波器件 金刚石材料 功率场效应晶体管 电力电子器件 高热导率 击穿场强 机械加工 光学系统
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宽禁带半导体技术的研究与开发在欧美快速展开
7
作者 云振新 《电子与封装》 2006年第7期43-43,共1页
宽禁带半导体是指禁带宽度Eg〉2．0～6．0eV的一类半导体，如GaN、A1N、A1GaN、SiC、4H-SiC、6H-SiC等。它是继以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体之后发展起来的第三代半导体。宽禁带半导体技术是一项战略性的高新技术，具有极其... 宽禁带半导体是指禁带宽度Eg〉2．0～6．0eV的一类半导体，如GaN、A1N、A1GaN、SiC、4H-SiC、6H-SiC等。它是继以Si、GaAs为代表的第一代、第二代半导体之后发展起来的第三代半导体。宽禁带半导体技术是一项战略性的高新技术，具有极其重要的军用价值和民用价值。用宽禁带半导体制成的高温、高频、大功率微波器件，其功率密度可提高一个数量级、工作温度将提高到300％。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 半导体技术 研究与开发 4H-SiC 大功率微波器件 欧美 6H-SIC 军用价值 禁带宽度 GaAs
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大尺寸低阻ZnO单晶衬底
8
《中国科技信息》 2015年第24期3-3,共1页
ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力，如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具... ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力，如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。 展开更多
关键词 ZNO单晶 宽带半导体材料 大尺寸 大功率微波器件 衬底 低阻 单晶生长技术 宽禁带半导体
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大尺寸低阻ZnO单晶衬底
9
《中国科技信息》 2015年第23期2-2,共1页
ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力，如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具... ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力，如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸Zn0单晶材料的新型技术方法一化学气相传输法（CVT法），而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米，4毫米厚的ZnO单晶。 展开更多
关键词 ZNO单晶 大尺寸 单晶生长技术 宽带半导体材料 大功率微波器件 化学气相传输法 衬底 低阻
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