基于快速闭合开关在中压大电流下的工作需求,提高真空触发开关的应用电压等级,设计了一种大容量的40.5 k V真空触发开关。为了满足80 k A峰值电流的通流能力,该开关采用了多棒极型的主电极结构设计以增加开关的通流面积并提高开关的电...基于快速闭合开关在中压大电流下的工作需求,提高真空触发开关的应用电压等级,设计了一种大容量的40.5 k V真空触发开关。为了满足80 k A峰值电流的通流能力,该开关采用了多棒极型的主电极结构设计以增加开关的通流面积并提高开关的电气寿命。针对40.5 k V系统的绝缘要求,对电极结构进行了倒角优化。选取了合适的屏蔽罩尺寸,改善了开关内部电场的分布,提高了开关的绝缘性能。针对设计的开关,设计了触发系统,该系统可以稳定输出50 k V的脉冲电压和3 k A的触发电流,保证可靠触发开关。设计的样机通过了峰值80 k A,脉宽15 ms的短路电流试验,工作寿命20次,触发时延<15μs;短路电流试验前后进行了工频耐压试验和雷电冲击试验,试验结果表明开关具有较高的绝缘水平。展开更多
为了适应电力系统快速闭合的需求,有必要开展大容量密封触发间隙关键技术研究及样机设计,为此对应用于35 k V及以下电压等级的触发真空间隙(TVG)进行了设计研发。分析了TVG触发导通产生的真空电弧特性,及工作电压、触发时延和通流能力...为了适应电力系统快速闭合的需求,有必要开展大容量密封触发间隙关键技术研究及样机设计,为此对应用于35 k V及以下电压等级的触发真空间隙(TVG)进行了设计研发。分析了TVG触发导通产生的真空电弧特性,及工作电压、触发时延和通流能力等性能,选用了多棒极TVG结构;设计了TVG触发极,确定了间隙触发方式及回路,对TVG进行双极性触发控制确保其在交流电压下可靠触发;对TVG触发导通产生的电弧受到的电磁力进行了仿真计算,并开展了电弧运动观测试验,以此设计优化了TVG主电极。利用多棒极TVG关键技术研究成果,研制了12 k V和40.5 k V TVG样机,提出了产品的技术参数,开展了样机的触发、通流及绝缘恢复性能试验,结果表明12 k V样机的触发电压为0.5 k V,40.5 k V样机的触发电压为5 k V,触发时延<200μs,性能均满足技术要求。展开更多
第10届旅德中国物理学者年会于1999年9月10～12日在柏林举行。我国有中国科学院代表团、中科院物理研究所代表团和三位特邀代表(山东大学王继扬教授,南京大学祝世平教授,四川大学吕百达教授)参加会议。吕百达在大会上作了题为"Flat...第10届旅德中国物理学者年会于1999年9月10～12日在柏林举行。我国有中国科学院代表团、中科院物理研究所代表团和三位特邀代表(山东大学王继扬教授,南京大学祝世平教授,四川大学吕百达教授)参加会议。吕百达在大会上作了题为"Flattened Gaussianbeams:their propagation properties and a comparison with super-Gaussian beams"的特邀报告,并被选为旅德中国物理学会特邀理事。展开更多
文摘基于快速闭合开关在中压大电流下的工作需求,提高真空触发开关的应用电压等级,设计了一种大容量的40.5 k V真空触发开关。为了满足80 k A峰值电流的通流能力,该开关采用了多棒极型的主电极结构设计以增加开关的通流面积并提高开关的电气寿命。针对40.5 k V系统的绝缘要求,对电极结构进行了倒角优化。选取了合适的屏蔽罩尺寸,改善了开关内部电场的分布,提高了开关的绝缘性能。针对设计的开关,设计了触发系统,该系统可以稳定输出50 k V的脉冲电压和3 k A的触发电流,保证可靠触发开关。设计的样机通过了峰值80 k A,脉宽15 ms的短路电流试验,工作寿命20次,触发时延<15μs;短路电流试验前后进行了工频耐压试验和雷电冲击试验,试验结果表明开关具有较高的绝缘水平。
文摘为了适应电力系统快速闭合的需求,有必要开展大容量密封触发间隙关键技术研究及样机设计,为此对应用于35 k V及以下电压等级的触发真空间隙(TVG)进行了设计研发。分析了TVG触发导通产生的真空电弧特性,及工作电压、触发时延和通流能力等性能,选用了多棒极TVG结构;设计了TVG触发极,确定了间隙触发方式及回路,对TVG进行双极性触发控制确保其在交流电压下可靠触发;对TVG触发导通产生的电弧受到的电磁力进行了仿真计算,并开展了电弧运动观测试验,以此设计优化了TVG主电极。利用多棒极TVG关键技术研究成果,研制了12 k V和40.5 k V TVG样机,提出了产品的技术参数,开展了样机的触发、通流及绝缘恢复性能试验,结果表明12 k V样机的触发电压为0.5 k V,40.5 k V样机的触发电压为5 k V,触发时延<200μs,性能均满足技术要求。
文摘第10届旅德中国物理学者年会于1999年9月10～12日在柏林举行。我国有中国科学院代表团、中科院物理研究所代表团和三位特邀代表(山东大学王继扬教授,南京大学祝世平教授,四川大学吕百达教授)参加会议。吕百达在大会上作了题为"Flattened Gaussianbeams:their propagation properties and a comparison with super-Gaussian beams"的特邀报告,并被选为旅德中国物理学会特邀理事。
文摘对海南三亚发生的甜瓜棒孢叶斑病的危害症状进行了系统的描述,采用致病性试验、形态学观察及分子生物学的方法对引起该病的病原菌进行了鉴定,同时采用菌落生长法和玻片法测定了病原菌的生物学特性.结果表明：甜瓜棒孢叶斑病的病原菌为多主棒孢霉[Corynespora cassiicola（Berk.＆Curst.）Wei];病原菌菌丝生长的最适宜培养基为大豆培养基,最适温度为24～28℃,致死温度和时间为55℃、15 min,最适pH为8～10,光照有利于菌丝生长,最适碳源为乳糖,最适氮源为NaN03;分生孢子萌发的最适温度为24℃,致死温度和时间为50℃、20 min.
