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多晶SiC/多孔硅结构材料的APCVD生长及表征
被引量：
1
1
作者
贾护军
杨银堂
李跃进
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期298-300,330,共4页
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶...
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶硅薄膜,随着孔隙率的增加,生长薄膜由富碳多孔SiC向多晶SiC薄膜过渡,表面平整度增加,并具有<111>晶向择优生长的特点.
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关键词
多晶
碳化硅
薄膜
多孔硅
常压化学气相淀积
生长
表征
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职称材料
题名
多晶SiC/多孔硅结构材料的APCVD生长及表征
被引量：
1
1
作者
贾护军
杨银堂
李跃进
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期298-300,330,共4页
基金
国家部委预研项目资助(51308030201)
文摘
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶硅薄膜,随着孔隙率的增加,生长薄膜由富碳多孔SiC向多晶SiC薄膜过渡,表面平整度增加,并具有<111>晶向择优生长的特点.
关键词
多晶
碳化硅
薄膜
多孔硅
常压化学气相淀积
生长
表征
Keywords
polycrystal SiC films
porous Si
APCVD
growth
characterization
分类号
O484 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多晶SiC/多孔硅结构材料的APCVD生长及表征
贾护军
杨银堂
李跃进
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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职称材料
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