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超低电容TVS二极管的沟槽工艺开发
1
作者
孙斌
《电子制作》
2018年第4期35-36,共2页
超低电容TVS二极管结构中,硅沟槽不仅仅用于填充多晶硅进行介质隔离,还要利用沟槽将雪崩二极管从平面改到纵向完成,降低有源区面积。本文通过引入新型掩膜材料,优化工艺,提升了沟槽的垂直度;多晶硅生长过程中引入小比例的HCL气体,控制...
超低电容TVS二极管结构中,硅沟槽不仅仅用于填充多晶硅进行介质隔离,还要利用沟槽将雪崩二极管从平面改到纵向完成,降低有源区面积。本文通过引入新型掩膜材料,优化工艺,提升了沟槽的垂直度;多晶硅生长过程中引入小比例的HCL气体,控制了槽口多晶硅生长速度过快的问题;优化了多晶硅退火工艺,消除了多晶硅生长过程中晶核未完全晶化的影响,提升了磷在多晶硅中分布的均匀性。
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关键词
硅
槽刻蚀
掩蔽膜
多晶硅
填充
多晶硅
退火
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职称材料
题名
超低电容TVS二极管的沟槽工艺开发
1
作者
孙斌
机构
江阴新顺微电子有限公司
出处
《电子制作》
2018年第4期35-36,共2页
文摘
超低电容TVS二极管结构中,硅沟槽不仅仅用于填充多晶硅进行介质隔离,还要利用沟槽将雪崩二极管从平面改到纵向完成,降低有源区面积。本文通过引入新型掩膜材料,优化工艺,提升了沟槽的垂直度;多晶硅生长过程中引入小比例的HCL气体,控制了槽口多晶硅生长速度过快的问题;优化了多晶硅退火工艺,消除了多晶硅生长过程中晶核未完全晶化的影响,提升了磷在多晶硅中分布的均匀性。
关键词
硅
槽刻蚀
掩蔽膜
多晶硅
填充
多晶硅
退火
分类号
TM53 [电气工程—电器]
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作者
出处
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1
超低电容TVS二极管的沟槽工艺开发
孙斌
《电子制作》
2018
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