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超低电容TVS二极管的沟槽工艺开发
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作者 孙斌 《电子制作》 2018年第4期35-36,共2页
超低电容TVS二极管结构中,硅沟槽不仅仅用于填充多晶硅进行介质隔离,还要利用沟槽将雪崩二极管从平面改到纵向完成,降低有源区面积。本文通过引入新型掩膜材料,优化工艺,提升了沟槽的垂直度;多晶硅生长过程中引入小比例的HCL气体,控制... 超低电容TVS二极管结构中,硅沟槽不仅仅用于填充多晶硅进行介质隔离,还要利用沟槽将雪崩二极管从平面改到纵向完成,降低有源区面积。本文通过引入新型掩膜材料,优化工艺,提升了沟槽的垂直度;多晶硅生长过程中引入小比例的HCL气体,控制了槽口多晶硅生长速度过快的问题;优化了多晶硅退火工艺,消除了多晶硅生长过程中晶核未完全晶化的影响,提升了磷在多晶硅中分布的均匀性。 展开更多
关键词 槽刻蚀 掩蔽膜 多晶硅填充 多晶硅退火
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