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两层金属场极板高压LDMOS的优化设计
1
作者
张永红
黄瑞
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011年第2期87-91,共5页
采用场极板结终端技术提高LDMOS击穿电压,借助二维器件仿真器MEDICI软件对基于体硅CMOS工艺500V高压的n-LDMOS器件结构和主要掺杂参数进行优化,确定漂移区的掺杂浓度(ND)、结深(Xj)和长度(LD)。对多晶硅场极板和两层金属场极板的结构参...
采用场极板结终端技术提高LDMOS击穿电压,借助二维器件仿真器MEDICI软件对基于体硅CMOS工艺500V高压的n-LDMOS器件结构和主要掺杂参数进行优化,确定漂移区的掺杂浓度(ND)、结深(Xj)和长度(LD)。对多晶硅场极板和两层金属场极板的结构参数进行模拟和分析,在不增加工艺复杂度的情况下,设计一种新型的具有两层金属场极板结构的500Vn-LDMOS。模拟结果表明,双层金属场极板结构比无金属场极板结构LDMOS的击穿电压提高了12%,而这两种结构LDMOS的比导通电阻(RS)基本一致。
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关键词
LDMOSFET
金属
场
极板
多晶硅
场
极板
击穿电压
比导通电阻
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职称材料
题名
两层金属场极板高压LDMOS的优化设计
1
作者
张永红
黄瑞
机构
上海第二工业大学实验与实训中心
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011年第2期87-91,共5页
基金
上海第二工业大学校基金项目(QD209012)
文摘
采用场极板结终端技术提高LDMOS击穿电压,借助二维器件仿真器MEDICI软件对基于体硅CMOS工艺500V高压的n-LDMOS器件结构和主要掺杂参数进行优化,确定漂移区的掺杂浓度(ND)、结深(Xj)和长度(LD)。对多晶硅场极板和两层金属场极板的结构参数进行模拟和分析,在不增加工艺复杂度的情况下,设计一种新型的具有两层金属场极板结构的500Vn-LDMOS。模拟结果表明,双层金属场极板结构比无金属场极板结构LDMOS的击穿电压提高了12%,而这两种结构LDMOS的比导通电阻(RS)基本一致。
关键词
LDMOSFET
金属
场
极板
多晶硅
场
极板
击穿电压
比导通电阻
Keywords
lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor（LDMOSFET）
metal field plate
polysilicon field plate
breakdown voltage
specific on resistance
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
两层金属场极板高压LDMOS的优化设计
张永红
黄瑞
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011
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