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氮掺杂Ge_2Sb_2Te_5相变存储器的多态存储功能
被引量：
5
1
作者
赖云锋
冯洁
+5 位作者
乔保卫
凌云
林殷茵
汤庭鳌
蔡炳初
陈邦明
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第8期4347-4352,共6页
通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(NGST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了Ge2Sb2Te5(GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用NGST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶...
通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(NGST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了Ge2Sb2Te5(GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用NGST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶态六方相的电阻率差异,能够在同一存储单元中存储三个状态,实现相变存储器的多态存储功能.
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关键词
相变
存储
器
多态
存储
N掺杂
Ge2Sb2Te5
原文传递
钡掺杂的BiFeO
3
磁性的电场调制研究
2
作者
陈阳
霍冠忠
+2 位作者
徐宏宇
叶晴莹
陈水源
《应用物理》
CAS
2023年第4期95-101,共7页
用溶胶–凝胶法制备了Ba掺杂BiFeO3 (Bi0.9Ba0.1FeO3)陶瓷样品,对样品进行了结构表征与性能测试。X射线衍射和Raman光谱测试表明,Bi0.9Ba0.1FeO3陶瓷样品具有纯相结构。磁滞回线和电滞回线测试结果证明了Bi0.9Ba0.1FeO3具有良好的铁磁...
用溶胶–凝胶法制备了Ba掺杂BiFeO3 (Bi0.9Ba0.1FeO3)陶瓷样品,对样品进行了结构表征与性能测试。X射线衍射和Raman光谱测试表明,Bi0.9Ba0.1FeO3陶瓷样品具有纯相结构。磁滞回线和电滞回线测试结果证明了Bi0.9Ba0.1FeO3具有良好的铁磁性和铁电性。其磁性增强源于Ba掺杂破坏了BiFeO3晶格原有的空间反演对称结构。通过外加不同电场测试样品的磁滞回线,发现电场会通过改变Bi0.9Ba0.1FeO3晶格畸变程度,从而调制铁电畴极性,铁电畴的转动会带动易磁化轴方向发生转动,从而引起磁性变化。证明了电场可以通过调控Bi0.9Ba0.1FeO3的电极化强度而改变磁特性,为进一步磁电性能调控及多态存储的应用提供了实验基础。
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关键词
Bi
0.9
Ba
0.1
FeO
3
磁电耦合
多态
存储
下载PDF
职称材料
光对ZnO薄膜电致电阻转变效应的调控研究
3
作者
孟建光
尚杰
+3 位作者
薛武红
刘宜伟
王军
陈斌
《宁波大学学报（理工版）》
CAS
2014年第3期83-87,共5页
利用磁控溅射技术在镀铂硅片上制备ZnO薄膜,X射线衍射测试表明ZnO薄膜为纯相结构,原子力显微镜测试显示ZnO薄膜表面平整均匀,均方根粗糙度为1.87nm.在室温下对Au/ZnO/Pt三明治结构的电输运行为进行了研究,结果表明同时存在电致电阻转变...
利用磁控溅射技术在镀铂硅片上制备ZnO薄膜,X射线衍射测试表明ZnO薄膜为纯相结构,原子力显微镜测试显示ZnO薄膜表面平整均匀,均方根粗糙度为1.87nm.在室温下对Au/ZnO/Pt三明治结构的电输运行为进行了研究,结果表明同时存在电致电阻转变效应和光伏效应,并且光照可调控电致电阻.当光强为360μW·cm-2时,电阻调控幅度达78%,这种光调控的电致电阻转变有助于实现多态存储,提高存储密度.
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关键词
ZNO薄膜
光伏
电致电阻转变
多态
存储
电输运
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职称材料
新型磁电阻探索与多态数据存储应用
被引量：
1
4
作者
田玉峰
柏利慧
+4 位作者
康仕寿
陈延学
刘国磊
梅良模
颜世申
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第16期2071-2084,共14页
随着现代信息存储与通信技术的快速发展,人们希望新型的电子器件能兼具低功耗、非易失、高密度等优异性能,甚至能实现信息的存储、处理与通信三位一体的功能,因而对材料和器件的研究提出了巨大的挑战.为满足上述需求,我们课题组一方面...
随着现代信息存储与通信技术的快速发展,人们希望新型的电子器件能兼具低功耗、非易失、高密度等优异性能,甚至能实现信息的存储、处理与通信三位一体的功能,因而对材料和器件的研究提出了巨大的挑战.为满足上述需求,我们课题组一方面在多种新材料和器件中探索新的磁电阻效应,深入理解自旋相关输运的物理机理,进而获得有效调控自旋相关输运的新途径;另一方面,基于多物理效应调控材料和器件的磁电阻,进而获得可用于多态信息存储的自旋电子学原型器件.在新型磁电阻探索方面,本文将介绍非晶浓磁半导体的负磁电阻、单晶CoZnO磁性半导体硬带跃迁区的正磁电阻、非磁肖特基异质结中的新型整流磁电阻以及非对称势垒磁性隧道结中的隧穿整流磁电阻.在多态数据存储方面,本文将介绍氧化物异质结中可用电磁场调控的4电阻态、磁性异质结中基于剩磁调控的10电阻态以及磁性单层膜中基于自旋轨道矩效应的10电阻态.
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关键词
磁电阻
多态
数据
存储
自旋电子学
磁性异质结
自旋相关输运
原文传递
题名
氮掺杂Ge_2Sb_2Te_5相变存储器的多态存储功能
被引量：
5
1
作者
赖云锋
冯洁
乔保卫
凌云
林殷茵
汤庭鳌
蔡炳初
陈邦明
机构
上海交通大学微米纳米加工技术国家重点实验室
复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室
Silicon Storage Technology
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第8期4347-4352,共6页
文摘
通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(NGST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了Ge2Sb2Te5(GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用NGST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶态六方相的电阻率差异,能够在同一存储单元中存储三个状态,实现相变存储器的多态存储功能.
关键词
相变
存储
器
多态
存储
N掺杂
Ge2Sb2Te5
Keywords
phase change memory, multiple-state storage, nitrogen doping, Ge2Sb2Te5
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
原文传递
题名
钡掺杂的BiFeO
3
磁性的电场调制研究
2
作者
陈阳
霍冠忠
徐宏宇
叶晴莹
陈水源
机构
福建师范大学物理与能源学院
出处
《应用物理》
CAS
2023年第4期95-101,共7页
文摘
用溶胶–凝胶法制备了Ba掺杂BiFeO3 (Bi0.9Ba0.1FeO3)陶瓷样品,对样品进行了结构表征与性能测试。X射线衍射和Raman光谱测试表明,Bi0.9Ba0.1FeO3陶瓷样品具有纯相结构。磁滞回线和电滞回线测试结果证明了Bi0.9Ba0.1FeO3具有良好的铁磁性和铁电性。其磁性增强源于Ba掺杂破坏了BiFeO3晶格原有的空间反演对称结构。通过外加不同电场测试样品的磁滞回线,发现电场会通过改变Bi0.9Ba0.1FeO3晶格畸变程度,从而调制铁电畴极性,铁电畴的转动会带动易磁化轴方向发生转动,从而引起磁性变化。证明了电场可以通过调控Bi0.9Ba0.1FeO3的电极化强度而改变磁特性,为进一步磁电性能调控及多态存储的应用提供了实验基础。
关键词
Bi
0.9
Ba
0.1
FeO
3
磁电耦合
多态
存储
分类号
TB3 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
光对ZnO薄膜电致电阻转变效应的调控研究
3
作者
孟建光
尚杰
薛武红
刘宜伟
王军
陈斌
机构
宁波大学理学院
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
出处
《宁波大学学报（理工版）》
CAS
2014年第3期83-87,共5页
基金
浙江省自然科学基金(Y4090498)
文摘
利用磁控溅射技术在镀铂硅片上制备ZnO薄膜,X射线衍射测试表明ZnO薄膜为纯相结构,原子力显微镜测试显示ZnO薄膜表面平整均匀,均方根粗糙度为1.87nm.在室温下对Au/ZnO/Pt三明治结构的电输运行为进行了研究,结果表明同时存在电致电阻转变效应和光伏效应,并且光照可调控电致电阻.当光强为360μW·cm-2时,电阻调控幅度达78%,这种光调控的电致电阻转变有助于实现多态存储,提高存储密度.
关键词
ZNO薄膜
光伏
电致电阻转变
多态
存储
电输运
Keywords
ZnO film
photovoltaic effect
electric field induced resistive switching
multi-resistance state storage
electrical transport
分类号
O483 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
新型磁电阻探索与多态数据存储应用
被引量：
1
4
作者
田玉峰
柏利慧
康仕寿
陈延学
刘国磊
梅良模
颜世申
机构
山东大学物理学院
喀什大学物理与电气工程学院
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第16期2071-2084,共14页
基金
国家自然科学基金(11774016,11774199,51871112)
高等学校学科创新引智计划(B13029)资助。
文摘
随着现代信息存储与通信技术的快速发展,人们希望新型的电子器件能兼具低功耗、非易失、高密度等优异性能,甚至能实现信息的存储、处理与通信三位一体的功能,因而对材料和器件的研究提出了巨大的挑战.为满足上述需求,我们课题组一方面在多种新材料和器件中探索新的磁电阻效应,深入理解自旋相关输运的物理机理,进而获得有效调控自旋相关输运的新途径;另一方面,基于多物理效应调控材料和器件的磁电阻,进而获得可用于多态信息存储的自旋电子学原型器件.在新型磁电阻探索方面,本文将介绍非晶浓磁半导体的负磁电阻、单晶CoZnO磁性半导体硬带跃迁区的正磁电阻、非磁肖特基异质结中的新型整流磁电阻以及非对称势垒磁性隧道结中的隧穿整流磁电阻.在多态数据存储方面,本文将介绍氧化物异质结中可用电磁场调控的4电阻态、磁性异质结中基于剩磁调控的10电阻态以及磁性单层膜中基于自旋轨道矩效应的10电阻态.
关键词
磁电阻
多态
数据
存储
自旋电子学
磁性异质结
自旋相关输运
Keywords
magnetoresistance
multi-state data storage
spintronics
magentic heterojunctions
spin dependent transport
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
O469 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮掺杂Ge_2Sb_2Te_5相变存储器的多态存储功能
赖云锋
冯洁
乔保卫
凌云
林殷茵
汤庭鳌
蔡炳初
陈邦明
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
原文传递
2
钡掺杂的BiFeO
3
磁性的电场调制研究
陈阳
霍冠忠
徐宏宇
叶晴莹
陈水源
《应用物理》
CAS
2023
0
下载PDF
职称材料
3
光对ZnO薄膜电致电阻转变效应的调控研究
孟建光
尚杰
薛武红
刘宜伟
王军
陈斌
《宁波大学学报（理工版）》
CAS
2014
0
下载PDF
职称材料
4
新型磁电阻探索与多态数据存储应用
田玉峰
柏利慧
康仕寿
陈延学
刘国磊
梅良模
颜世申
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
1
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