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Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制
被引量：
1
1
作者
汪建元
陈松岩
李成
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期660-664,共5页
采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量子点吸收区,和原位掺杂P型Si盖层构成,电极分别制作于N-Si和P-Si上,以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge...
采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量子点吸收区,和原位掺杂P型Si盖层构成,电极分别制作于N-Si和P-Si上,以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge量子点光电探测器具有较低的暗电流密度(-1 V偏压下为7.35×10-6A/cm2),与Si相比,探测波长延伸到1.31μm波段。
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关键词
多层
ge
量子
点
近红外光电探测器
UHV/CVD系统
自组织生长
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职称材料
题名
Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制
被引量：
1
1
作者
汪建元
陈松岩
李成
机构
厦门大学物理与机电工程学院
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期660-664,共5页
基金
国家重大科学研究计划(2012CB933503)
文摘
采用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量子点吸收区,和原位掺杂P型Si盖层构成,电极分别制作于N-Si和P-Si上,以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge量子点光电探测器具有较低的暗电流密度(-1 V偏压下为7.35×10-6A/cm2),与Si相比,探测波长延伸到1.31μm波段。
关键词
多层
ge
量子
点
近红外光电探测器
UHV/CVD系统
自组织生长
Keywords
multilayer
ge
QDs
near-infrared photodetector
UHV/CVD system
self-assembled growth
分类号
TN364.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制
汪建元
陈松岩
李成
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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职称材料
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