O482.31 95032051MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究=Studies on low temperature photo-lumineseence spectra of InGaAs/GaAs stra-ined quantum wells by MOCVD[刊,中]/王小军,王启明,庄婉如,郑婉华(中科院半导体所...O482.31 95032051MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究=Studies on low temperature photo-lumineseence spectra of InGaAs/GaAs stra-ined quantum wells by MOCVD[刊,中]/王小军,王启明,庄婉如,郑婉华(中科院半导体所集成光电子学国家重点联合实验室.北京(100083))。展开更多
O472/TN304.055 96042716SnO<sub>2</sub>;Pd/Si新气敏特性的研究=Study of the newgas-sensibility of SnO<sub>2</sub>:Pd/Si to reducinggases[刊,中]/沈凯华,吴孙桃,许淑恋（厦门大学物理学系）,朱文章（...O472/TN304.055 96042716SnO<sub>2</sub>;Pd/Si新气敏特性的研究=Study of the newgas-sensibility of SnO<sub>2</sub>:Pd/Si to reducinggases[刊,中]/沈凯华,吴孙桃,许淑恋（厦门大学物理学系）,朱文章（集美航海学院物理教研室）∥厦门大学学报.自然科学版.—1996,35（2）.展开更多
文摘O482.31 95032051MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究=Studies on low temperature photo-lumineseence spectra of InGaAs/GaAs stra-ined quantum wells by MOCVD[刊,中]/王小军,王启明,庄婉如,郑婉华(中科院半导体所集成光电子学国家重点联合实验室.北京(100083))。
文摘O472/TN304.055 96042716SnO<sub>2</sub>;Pd/Si新气敏特性的研究=Study of the newgas-sensibility of SnO<sub>2</sub>:Pd/Si to reducinggases[刊,中]/沈凯华,吴孙桃,许淑恋（厦门大学物理学系）,朱文章（集美航海学院物理教研室）∥厦门大学学报.自然科学版.—1996,35（2）.
