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用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜
被引量：
5
1
作者
龙永福
朱自强
+2 位作者
赖宗声
忻佩胜
石艳玲
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期609-613,共5页
提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增加了衬底的电阻率 ,减少了微波的有效介质损耗 .通过测量在低...
提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增加了衬底的电阻率 ,减少了微波的有效介质损耗 .通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性 ,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线 (CPW)
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关键词
集成电路
微波/射频
多孔
硅
/
氧化
多孔
硅
介质膜
损耗
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职称材料
题名
用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜
被引量：
5
1
作者
龙永福
朱自强
赖宗声
忻佩胜
石艳玲
机构
华东师范大学电子系
[
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期609-613,共5页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :698760 12 )
国家杰出青年基金 (批准号 :6992 5 40 9)
+1 种基金
国家重点基础研究规划 (973 ) (批准号 :G19990 3 3 10 5 )
上海市科技发展基金资助项目
文摘
提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增加了衬底的电阻率 ,减少了微波的有效介质损耗 .通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性 ,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线 (CPW)
关键词
集成电路
微波/射频
多孔
硅
/
氧化
多孔
硅
介质膜
损耗
Keywords
microwave/RF
porous silicon/oxidized porous silicon
interlayer
loss
分类号
TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜
龙永福
朱自强
赖宗声
忻佩胜
石艳玲
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
5
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