多孔氧化硅薄膜阴极射线谱的研究 被引量：4

1

作者 杨沁玉 王德信 +2 位作者 丁可 张菁 王庆瑞 《光散射学报》 北大核心 2010年第4期395-398,共4页

采用近常压下等离子体增强化学气相沉积的方法制备得到多孔氧化硅薄膜,并在沉积区域加载偏压对薄膜形貌和性质进行调制。扫描电镜显示偏压条件下沉积的薄膜更加蓬松多孔,常温下阴极射线谱表明:增大偏压的占空比,CL谱中发光峰的位置并不... 采用近常压下等离子体增强化学气相沉积的方法制备得到多孔氧化硅薄膜,并在沉积区域加载偏压对薄膜形貌和性质进行调制。扫描电镜显示偏压条件下沉积的薄膜更加蓬松多孔,常温下阴极射线谱表明:增大偏压的占空比,CL谱中发光峰的位置并不改变,但谱线强度增大。发光峰的位置说明薄膜中的主要成分是Si-O-Si基团,且该种基团以非桥键的形式存在,薄膜中还存在少量的Si-H键,这与红外光谱测试结果一致。X射线衍射结果表明薄膜中的SiO2是非晶态的。 展开更多

关键词 多孔氧化硅薄膜 阴极射线谱 红外光谱 X射线衍射

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低介电常数纳米多孔氧化硅薄膜的研究进展 被引量：1

2

作者 杨大祥 冯坚 +2 位作者 周新贵 张长瑞 王娟 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第9期41-45,共5页

纳米二氧化硅(NPS)薄膜是新型微波大功率器件和超大规模集成电路(ULSI)互连系统的最佳候选绝缘介质之一,有着广泛的应用前景。介绍了NPS薄膜的制备工艺,综述了NPS薄膜的国内外研究进展及其检测方法,并探讨了NPS薄膜材料的弱点以及今后... 纳米二氧化硅(NPS)薄膜是新型微波大功率器件和超大规模集成电路(ULSI)互连系统的最佳候选绝缘介质之一,有着广泛的应用前景。介绍了NPS薄膜的制备工艺,综述了NPS薄膜的国内外研究进展及其检测方法,并探讨了NPS薄膜材料的弱点以及今后应进一步研究的若干问题。 展开更多

关键词 电子技术 纳米多孔氧化硅薄膜 综述 检测方法

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纳米多孔氧化硅薄膜的表征及其基于UAFM弹性性能的检测 被引量：1

3

作者 张改梅 王灿 +2 位作者 宋晓利 何存富 陈强 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期109-114,共6页

纳米级多孔氧化硅薄膜介电常数低,和铝复合后可以大大降低电阻损耗,是最有希望的新一代低介电材料。在纳电子器中低介电薄膜孔隙率及孔尺寸可以控制其机械性能。薄膜的弹性模量是器件设计的必需参数,然而传统方法很难在纳米尺度表征弹... 纳米级多孔氧化硅薄膜介电常数低,和铝复合后可以大大降低电阻损耗,是最有希望的新一代低介电材料。在纳电子器中低介电薄膜孔隙率及孔尺寸可以控制其机械性能。薄膜的弹性模量是器件设计的必需参数,然而传统方法很难在纳米尺度表征弹性模量。采用等离子体增强化学气相沉积法,以六甲基二硅氧烷为单体,氧气作为反应气体,再加入少量的有机物质在玻璃基材上沉积纳米厚度的氧化硅薄膜,再进行热处理使氧化硅薄膜中的有机成分挥发形成孔隙(以下称纳米多孔氧化硅薄膜),从而降低薄膜介电常数。结果表明氧化硅薄膜的折射率热处理后得到减小,当放电功率为100 W时,氧气与单体的比例为1∶4时,放电时间10 min沉积的薄膜热处理后的纳米多孔氧化硅薄膜的折射率最小,介电常数1.885。首次采用超声原子力显微镜技术对纳米多孔氧化硅薄膜的弹性性能进行无损检测,分别检测纳米氧化硅薄膜和纳米多孔氧化硅薄膜的前两阶接触谐振频率。以纳米氧化硅薄膜为参考试样,利用参考法计算得到纳米多孔氧化硅薄膜的压痕模量为35.24 GPa。相比纳米氧化硅薄膜的压痕模量78.18 GPa,纳米多孔氧化硅薄膜的压痕模量降低了42.94 GPa。 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相沉积 纳米多孔氧化硅薄膜 超声原子力显微镜 参考法 弹性模量

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溶胶-凝胶法制备纳米二氧化硅溶胶和多孔二氧化硅薄膜 被引量：37

4

作者 殷明志 姚熹 +2 位作者 吴小清 汪敏强 张良莹 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期766-770,共5页

稀Na2SiO3溶液经过阳离子交换树脂除去Na+离子后,经碱化浓缩制成质量分数约为25％-30％的二氧化硅溶胶,添加化学添加剂丙三醇后加入乙酸乙脂,搅拌水解使溶胶的pH值适当降低,聚乙烯醇能使二氧化硅溶胶具有网状结构,易于成膜。薄膜在750-... 稀Na2SiO3溶液经过阳离子交换树脂除去Na+离子后,经碱化浓缩制成质量分数约为25％-30％的二氧化硅溶胶,添加化学添加剂丙三醇后加入乙酸乙脂,搅拌水解使溶胶的pH值适当降低,聚乙烯醇能使二氧化硅溶胶具有网状结构,易于成膜。薄膜在750-850℃下热处理后孔径分布在100-300 nm之间。二氧化硅薄膜在热处理过程中的微结构衍化过程可通过调节二氧化硅溶胶的pH值、添加化学添加剂和热处理温度加以控制。讨论了纳米二氧化硅胶粒溶胶的形成和形成的二氧化硅溶胶先体的成膜化学机理,并对制备的多孔二氧化硅薄膜的微结构,形貌变化和相关的物理性能进行了表征。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 制备 纳米二氧化硅溶胶 多孔二氧化硅薄膜

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碱催化多孔二氧化硅薄膜的制备和性能表征 被引量：14

5

作者 殷明志 姚熹 张良莹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期103-105,共3页

　以水为介质,NH3·H2O为催化剂,丙三醇(C3H5(OH)3和聚乙烯醇(PVA)为添加剂,正硅酸乙脂(TEOS)溶胶 凝胶工艺可制备纳米多孔二氧化硅薄膜。体系的H2O/TEOS>15,TEOS的水解 聚合过程可通过添加剂效应,pH效应等控制。碱催化会使二氧... 　以水为介质,NH3·H2O为催化剂,丙三醇(C3H5(OH)3和聚乙烯醇(PVA)为添加剂,正硅酸乙脂(TEOS)溶胶 凝胶工艺可制备纳米多孔二氧化硅薄膜。体系的H2O/TEOS>15,TEOS的水解 聚合过程可通过添加剂效应,pH效应等控制。碱催化会使二氧化硅的溶解度增大,也能使二氧化硅胶粒带负电荷,抑制了二氧化硅胶粒之间的聚合长大,而丙三醇与TEOS的水解中间Si(OR)4-x(OH)x结合,抑制其与二氧化硅胶粒的聚合。聚乙烯醇(PVA)能使二氧化硅溶胶具有网状结构,使二氧化硅溶胶易于成膜。该工艺制备的多孔二氧化硅薄膜具有纳米多孔结构。其Vicker硬度在600～800N/mm2,热导率<0.2W·m-1K-1。 展开更多

关键词 碱催化 多孔二氧化硅薄膜 制备 性能表征

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低介电常数多孔二氧化硅薄膜的制备与性能研究 被引量：5

6

作者 李靓 姚熹 张良莹 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期549-553,共5页

利用Sol-Gel的方法制备了多孔二氧化硅薄膜。通过优化薄膜制备工艺,实现了多孔二氧化硅薄膜厚度在450nm～3000nm范围内可控,薄膜孔率为59%。用FTIR光谱分析了不同热处理温度下多孔二氧化硅薄膜的化学结构。研究了多孔二氧化硅薄膜的介... 利用Sol-Gel的方法制备了多孔二氧化硅薄膜。通过优化薄膜制备工艺,实现了多孔二氧化硅薄膜厚度在450nm～3000nm范围内可控,薄膜孔率为59%。用FTIR光谱分析了不同热处理温度下多孔二氧化硅薄膜的化学结构。研究了多孔二氧化硅薄膜的介电常数、介电损耗、漏电流等电学性能,结果表明多孔二氧化硅薄膜本征的介电常数为1.8左右,是典型的低介电常数材料。并通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了表征。 展开更多

关键词 多孔二氧化硅薄膜 Sol—Gel 低介电常数 电学性能

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聚二甲基硅氧烷和聚乙二醇对溶胶-凝胶法制备的二氧化硅膜孔隙率的可控性研究(英文) 被引量：1

7

作者 张林 任洪波 +2 位作者 严鸿维 董东 胡文成 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S3期373-378,共6页

通过将水溶性聚二甲基硅氧烷(PDMS)和聚乙二醇(PEG)引入到酸催化的TEOS溶胶体系,制备多孔二氧化硅膜,并实现了孔隙率的可靠性。水溶性PDMS的加入可有效防止二氧化硅膜的开裂,同时单层膜的厚度可达到700 nm,但当PDMS的量过高时,膜的开裂... 通过将水溶性聚二甲基硅氧烷(PDMS)和聚乙二醇(PEG)引入到酸催化的TEOS溶胶体系,制备多孔二氧化硅膜,并实现了孔隙率的可靠性。水溶性PDMS的加入可有效防止二氧化硅膜的开裂,同时单层膜的厚度可达到700 nm,但当PDMS的量过高时,膜的开裂现象则会发生。实验发现,通过改变PDMS的量可实现膜的孔隙率在30%~48%可控,当引入PEG后膜的孔隙率则会进一步增加。通过采用纯氧环境替代空气环境退火,制备的二氧化硅膜孔隙率可达到80%。进一步研究了PDMS和PEG的含量对二氧化硅膜孔隙率的影响规律,并详细探讨其形成机制。 展开更多

关键词 多孔二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶 聚二甲基硅氧烷 聚乙烯醇 孔隙率

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CA文摘

8

《维纶通讯》 2008年第2期60-62,F0003,共4页

预先涂覆感光层的平版印刷板,一种新型洗浴剂及其制作方法,用聚乙烯醇作为模板制备多孔二氧化硅薄膜的方法，具有良好光滑切割性的偏振膜用聚乙烯醇基树脂膜，一种高聚合度的聚乙烯醇及其合成工艺.

关键词 多孔二氧化硅薄膜 文摘 CA 聚乙烯醇 模板制备 合成工艺 高聚合度 印刷板

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纳米多孔二氧化硅薄膜的制备及性能 被引量：12

9

作者 殷明志 姚熹 吴小清 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期220-224,共5页

以N(C_8H_(15))_4^+OH^-为催化剂,用正硅酸乙脂(TEOS)溶胶-凝胶工艺制备出纳米多孔二氧化硅薄膜。体系的H_2O/TEOS>25,强碱催化使二氧化硅的溶解度增大并使二氧化硅胶粒带负电荷,抑制了二氧化硅的聚合。丙三醇与TEOS的水解中间体Si(O... 以N(C_8H_(15))_4^+OH^-为催化剂,用正硅酸乙脂(TEOS)溶胶-凝胶工艺制备出纳米多孔二氧化硅薄膜。体系的H_2O/TEOS>25,强碱催化使二氧化硅的溶解度增大并使二氧化硅胶粒带负电荷,抑制了二氧化硅的聚合。丙三醇与TEOS的水解中间体Si(OC_2H_5)_4-x(OH)_x及二氧化硅胶粒Si_xO_y(OH)_z^(+n)表面Si-OH形成氢键,抑制了二氧化硅的聚沉。聚乙烯醇(PVA)使粒状二氧化硅溶胶具有网状结构,易于成膜。薄膜由致密结构转化为均匀纳米多孔结构是构成薄膜的二氧化硅胶粒在热处理时聚集和塑性形变的结果。多孔二氧化硅薄膜的折射率为1.27～1.42,介电常数为1.578～2.016,热导率为0.2W/(m·K)。 展开更多

关键词 纳米多孔二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶工艺 正硅酸乙脂 制备 性能

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聚乙二醇对纳米多孔二氧化硅薄膜性能的影响 被引量：17

10

作者 王娟 张长瑞 冯坚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期435-441,共7页

以聚乙二醇(PEG)为添加剂,正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用溶胶-凝胶法、结合 旋转涂胶和超临界干燥等工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.利用FTIR、TG-DTA、 AFM和椭偏仪研究了该SiO2薄膜的性能.与未加.PEG的SiO2薄膜相比,加入PEG得到... 以聚乙二醇(PEG)为添加剂,正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用溶胶-凝胶法、结合 旋转涂胶和超临界干燥等工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.利用FTIR、TG-DTA、 AFM和椭偏仪研究了该SiO2薄膜的性能.与未加.PEG的SiO2薄膜相比,加入PEG得到 的SiO2薄膜表面粗糙度增大,但孔隙率较高,介电常数可降至2.0以下.PEG参与并修饰了 TEOS的溶胶-凝胶过程.加入PEG制备的SiO2薄膜因含有Si-OH基团而呈亲水性,该薄 膜经三甲基氯硅烷(TMCS)修饰后为疏水性. 展开更多

关键词 纳米多孔二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶 聚乙二醇 低介电常数

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纳米多孔二氧化硅薄膜的制备与表征 被引量：8

11

作者 王娟 冯坚 +1 位作者 杨大祥 张长瑞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期54-56,共3页

以正硅酸乙酯为原料,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法、结合匀胶和超临界干燥等工艺在硅片上成功制备了纳米多孔二氧化硅薄膜.适合匀胶的二氧化硅溶胶的粘度范围为9～15mPa·s;多孔二氧化硅薄膜表面均匀平整,其厚度为400～1000nm;折射率为... 以正硅酸乙酯为原料,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法、结合匀胶和超临界干燥等工艺在硅片上成功制备了纳米多孔二氧化硅薄膜.适合匀胶的二氧化硅溶胶的粘度范围为9～15mPa·s;多孔二氧化硅薄膜表面均匀平整,其厚度为400～1000nm;折射率为1.09～1.24;介电常数为1.5～2.5.该多孔二氧化硅薄膜具有三维网络结构,二氧化硅微粒直径为10～20nm. 展开更多

关键词 纳米多孔二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶 正硅酸 乙酯 低介电常数

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sol-gel法制备多孔纳米SiO_2薄膜 被引量：6

12

作者 李智 姚熹 张良莹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期32-34,37,共4页

以NH3·H2O为催化剂,用正硅酸乙酯(TEOS)溶胶–凝胶工艺制备纳米多孔二氧化硅薄膜.强碱催化使二氧化硅胶粒溶解度增大并增大了体系的离子强度;丙三醇的加入,与水解中间体结合,有效抑制了二氧化硅溶胶胶粒的长大;PVA(聚乙烯醇)对二... 以NH3·H2O为催化剂,用正硅酸乙酯(TEOS)溶胶–凝胶工艺制备纳米多孔二氧化硅薄膜.强碱催化使二氧化硅胶粒溶解度增大并增大了体系的离子强度;丙三醇的加入,与水解中间体结合,有效抑制了二氧化硅溶胶胶粒的长大;PVA(聚乙烯醇)对二氧化硅胶粒有强的吸附作用,使胶粒聚联成大的网络结构,增加了成膜性能.通过改变反应物的剂量,调节添加剂的用量,可以制得折射率1.18～1.42,对应孔率60.50%～7.75%并且孔径小于100 nm的纳米多孔二氧化硅薄膜,.单层薄膜厚度在3 μm以内精确可控. 展开更多

关键词 无机非金属材料 多孔纳米二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶工艺 孔率 厚度控制 SOL-GEL法

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纳米多孔二氧化硅绝热薄膜的研究进展 被引量：6

13

作者 赵宗彦 柳清菊 +1 位作者 张瑾 朱忠其 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1859-1863,共5页

作为微电子机械系统(MEMS)技术中最有潜力的绝热材料,纳米多孔二氧化硅薄膜近年来引起了广泛的关注。研究表明其绝热性能与微观结构密切相关。综述了纳米多孔二氧化硅薄膜的制备方法、表征手段和绝热机理,并讨论了目前存在的一些问题和... 作为微电子机械系统(MEMS)技术中最有潜力的绝热材料,纳米多孔二氧化硅薄膜近年来引起了广泛的关注。研究表明其绝热性能与微观结构密切相关。综述了纳米多孔二氧化硅薄膜的制备方法、表征手段和绝热机理,并讨论了目前存在的一些问题和今后的发展方向。 展开更多

关键词 纳米多孔二氧化硅薄膜 绝热材料 绝热机理

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纳米多孔二氧化硅薄膜的制备及其光学性质研究 被引量：1

14

作者 王娟 张长瑞 冯坚 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期55-57,共3页

以正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂胶和超临界干燥等工艺,在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.XRD和AFM表明该SiO2薄膜为无定形态,具有多孔网络结构,表面均匀平整,其SiO2基本粒子和孔隙的直径为30～40nm.利用椭偏光... 以正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用溶胶-凝胶法,结合旋转涂胶和超临界干燥等工艺,在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.XRD和AFM表明该SiO2薄膜为无定形态,具有多孔网络结构,表面均匀平整,其SiO2基本粒子和孔隙的直径为30～40nm.利用椭偏光谱仪测量了SiO2薄膜在波长245～1650nm的椭偏光谱,采用Si/cauchy/rough结构模型对该光谱进行了拟合,获得了SiO2薄膜的厚度和光学常数.SiO2薄膜的厚度为500～1100nm;折射率为1.13～1.21;孔隙率为56%～70%;介电常数为1.9～2.3. 展开更多

关键词 纳米多孔二氧化硅薄膜 制备方法 光学性质 溶胶-凝胶 低介电常数 椭偏光谱

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低介电常数纳米多孔二氧化硅薄膜的制备

15

作者 王娟 张长瑞 冯坚 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期141-144,共4页

以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法、旋转涂胶和超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用近线性生长模型和分形生长模型研究了SiO2溶胶的粘度-时间曲线,确定了SiO2溶胶的结构演变过程.适合旋转涂胶的SiO2溶胶的粘度为9 mPa&#... 以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法、旋转涂胶和超临界干燥工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO2薄膜.用近线性生长模型和分形生长模型研究了SiO2溶胶的粘度-时间曲线,确定了SiO2溶胶的结构演变过程.适合旋转涂胶的SiO2溶胶的粘度为9 mPa·s～15 mPa·s;旋转涂胶时SiO2溶胶的粒子尺寸与其浓度密切相关.该SiO2薄膜具有三维网络结构,表面均匀平整,SiO2微粒直径为10nm～20 nm.SiO2薄膜的厚度为400nm～1 000nm;折射率为1.09～1.24;介电常数为1.5～2.5. 展开更多

关键词 纳米多孔二氧化硅薄膜 溶胶-凝胶 低介电常数 粘度

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老化工艺对纳米多孔二氧化硅薄膜微观结构影响

16

作者 项本平 《天津化工》 CAS 2009年第2期40-41,共2页

本文主要探讨了老化时间与处理温度对纳米多孔二氧化硅薄膜结构的影响。结果表明随着老化时间的增加,薄膜的三维网状结构越明显、孔径分布更均匀、孔隙率越高、孔径越大。经450℃高温热处理后,颗粒长大,孔径增大,孔径分布不均匀,且薄膜... 本文主要探讨了老化时间与处理温度对纳米多孔二氧化硅薄膜结构的影响。结果表明随着老化时间的增加,薄膜的三维网状结构越明显、孔径分布更均匀、孔隙率越高、孔径越大。经450℃高温热处理后,颗粒长大,孔径增大,孔径分布不均匀,且薄膜厚度几乎不受老化时间的影响,说明湿凝胶薄膜在异丙醇气氛下老化后的强度是足够抵抗凝胶薄膜在异丙醇溶剂中老化放生的变化过程而引起的薄膜收缩。 展开更多

关键词 纳米多孔二氧化硅薄膜 老化 微观结构

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物质和反物质组成的分子

17

作者 保罗 《自然与科技》 2008年第1期2-2,共1页

科学家首次在实验室制造出由物质和反物质组成的分子,并对其进行观察。这种分子被称为"双电子偶素(Dipositronium),它由两个电子及两个正电子所组成。由一个电子和一个正电子所组合而成的东西叫"电子偶素"

关键词 电子偶素 物质组成 正电子 氢分子 科学家 实验室 正负电子 多孔二氧化硅薄膜 首次 组合

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