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AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模
1
作者
刘红侠
卢风铭
+2 位作者
王勇淮
宋大建
武毅
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期147-151,共5页
为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、...
为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、基带能级、费米能级和势阱随Al组分及AlGaN层厚度的改变.与泊松-薛定谔自洽求解结果相比较,此模型能够给出精确的结论,并避免了泊松-薛定谔自洽求解复杂的数值计算和耗时长等缺点.
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关键词
AlxGa1-xN/GaN异质结
二维电子气
多子
带
模型
能级分布
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职称材料
题名
AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模
1
作者
刘红侠
卢风铭
王勇淮
宋大建
武毅
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期147-151,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(60976068
61076097)
+1 种基金
教育部科技创新工程重大项目培育基金资助项目(708083)
十二五国家部委预研资助项目(513080401)
文摘
为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、基带能级、费米能级和势阱随Al组分及AlGaN层厚度的改变.与泊松-薛定谔自洽求解结果相比较,此模型能够给出精确的结论,并避免了泊松-薛定谔自洽求解复杂的数值计算和耗时长等缺点.
关键词
AlxGa1-xN/GaN异质结
二维电子气
多子
带
模型
能级分布
Keywords
AlGaN/GaN heterostructure
two-dimensional electron gas
multiple sub-bands model
distribution of energy level
分类号
TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模
刘红侠
卢风铭
王勇淮
宋大建
武毅
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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