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题名自适应混合发射单分子定位算法
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作者
刘一哲
赵唯淞
刘宇桢
李浩宇
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机构
哈尔滨工业大学仪器科学与工程学院
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出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第21期88-95,共8页
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文摘
单分子定位技术通过随机激发荧光标记获得一组稀疏的图像序列,同时对荧光点进行亚像素级别定位,最终实现超分辨显微成像。基于拟合的单分子定位算法,如单发射(SE)及多发射(ME)定位算法,通过对估计器性能进行改进提高了单分子定位的精度和速度;然而,受失配误差和串扰误差的影响,SE算法和ME算法在不同密度情况下各有优劣,均无法达到全密度范围内最优的估计效果,并且分别存在荧光分子利用效率低和计算量大的缺点。本文提出了自适应混合发射单分子定位(SM)算法,该算法通过图像荧光发射密度及强度自适应地确定的拟合区域以及所采用的拟合模型及模型初值,有效避免了上述两种误差的影响,达到了全密度范围内一致、良好的定位效果。在仿真和实验数据上将所提SM算法与SE算法、ME算法进行比较,结果显示,SM算法重构图像的分辨率和对比度在不同发射密度下均具有优势。
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关键词
生物医学
单分子定位显微技术
超分辨成像
单发射模型
多发射模型
自适应算法
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Keywords
bio-optics
single-molecule localization microscopy
super-resolution imaging
single-emitter model
multi-emitter model
self-adaptation algorithm
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分类号
O436
[机械工程—光学工程]
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题名AlGaAs基光电阴极光学性质计算模型分析
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作者
赵静
冯琤
覃翠
郭婧
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机构
南京工程学院信息与通信工程学院
南京工程学院自动化学院
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出处
《南京工程学院学报（自然科学版）》
2023年第3期14-20,共7页
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基金
国家自然科学基金项目(62001214)
江苏省自然科学基金项目(BK20191012)。
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文摘
为了分析不同波长响应对光电阴极结构的要求,提出适用于各类响应的AlGaAs基光电阴极的计算模型.通过宽光谱响应GaAs和窄带响应AlGaAs基光电阴极样品试验证实模型的有效性.基于该模型仿真研究AlGaAs基光电阴极组件中GaAs发射层及各子层、AlGaAs窗口层、Si_(3)N_(4)增透层的厚度与400~900 nm单波长光子吸收情况的分布关系.仿真结果表明,同一波长响应下,GaAs发射层对光电阴极吸收率的影响最大,其次是Si_(3)N_(4)增透层,而AlGaAs窗口层对吸收率的影响不明显.要得到90%以上的吸收率,在600 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于0.5μm,700 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于0.8μm,800 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于1.5μm.400~600 nm波段的光子主要在GaAs发射层表面0.2μm内被吸收,700~800 nm波段的光子主要在GaAs发射层表面0.6μm内被吸收,而850 nm以后的光子在各子层间的吸收比较均匀.该结论对不同响应AlGaAs基光电阴极的优化设计具有一定的参考价值.
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关键词
AlGaAs基光电阴极
多发射层模型
吸收率
阴极厚度
单波长
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Keywords
AlGaAs-based photocathode
multi-emission layer model
absorptivity
cathode thickness
single wavelength
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分类号
O462.3
[理学—电子物理学]
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