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SOI高压器件热载流子退化研究(英文)
1
作者
韩临
何燕冬
张钢刚
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期632-636,共5页
提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LD...
提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LDMOS器件电学特性的影响进行分析,结果显示,在最大衬底电流应力模式下,产生的导通电阻退化最为严重,从而揭示不同于传统MOSFET器件导致LDMOS器件热载流子退化的机理。
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关键词
高压横向扩散场效应晶体管
多
区域
直流电
压电
流
技术
界面态
热载
流
子退化
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职称材料
题名
SOI高压器件热载流子退化研究(英文)
1
作者
韩临
何燕冬
张钢刚
机构
北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期632-636,共5页
基金
国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助
文摘
提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LDMOS器件电学特性的影响进行分析,结果显示,在最大衬底电流应力模式下,产生的导通电阻退化最为严重,从而揭示不同于传统MOSFET器件导致LDMOS器件热载流子退化的机理。
关键词
高压横向扩散场效应晶体管
多
区域
直流电
压电
流
技术
界面态
热载
流
子退化
Keywords
high voltage LDMOSFET
MR-DCIV technique
interface state
hot carrier degradation
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SOI高压器件热载流子退化研究(英文)
韩临
何燕冬
张钢刚
《北京大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
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