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飞行时间质谱法研究Si(CH_3)_4分子的多光子解离和电离过程 被引量：1
1
作者 施德恒 刘玉芳 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期42-44,共3页
采用超声分子束技术 ,以飞行时间 (TOF)质谱仪 ,于 410～ 371nm内 ,在不同能量的激光作用下 ,着重检测了气相Si(CH3 ) 4分子在 15个波长点处的多光子电离 (MPI)TOF质谱分布。根据实验结果 ,讨论了Si(CH3 ) 4可能的MPI机理。得到了Si+ ... 采用超声分子束技术 ,以飞行时间 (TOF)质谱仪 ,于 410～ 371nm内 ,在不同能量的激光作用下 ,着重检测了气相Si(CH3 ) 4分子在 15个波长点处的多光子电离 (MPI)TOF质谱分布。根据实验结果 ,讨论了Si(CH3 ) 4可能的MPI机理。得到了Si+ 主要来自于母体分子及中性碎片的多光子解离—硅原子的共振电离、Si(CH3 ) + n(n=1,2 ,3)主要来自于中性碎片Si(CH3 ) n(n =1,2 ,3)的自电离、而Si(CH3 ) + 4则来自于母体分子的 (3+1)电离的结论。 展开更多
关键词 飞行时间质谱 四甲基硅 分子 多光子解离电离 反应动力学 多光子电离机理
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丁酮分子的多光子电离离解机理 被引量：3
2
作者 郭文跃 胡松青 +3 位作者 方黎 张冰 张树东 蔡继业 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期138-142,148,共6页
研究了丁酮分子经 (n0 ,3d)共振的多光子电离—离解机理 (MPID)。多光子电离—飞行时间质谱测得的主要离子产物是C2 H3 O+和CH3 CH+2 ,C2 H3 O+的强度为CH3 CH+2 的 2～ 5倍 ,还有少量C2 H+2 ,C2 H+3和CH+3 离子 ,未见到母体离子。主要... 研究了丁酮分子经 (n0 ,3d)共振的多光子电离—离解机理 (MPID)。多光子电离—飞行时间质谱测得的主要离子产物是C2 H3 O+和CH3 CH+2 ,C2 H3 O+的强度为CH3 CH+2 的 2～ 5倍 ,还有少量C2 H+2 ,C2 H+3和CH+3 离子 ,未见到母体离子。主要离子产物的分质量多光了电离谱结构相似 ,而各离子产物的光强指数不同。实验结果说明丁酮分子的多光子电离—离解机理符合母体离子阶梯模型 。 展开更多
关键词 丁酮分子 多光子电离-离解机理 多光子电离-飞行时间质谱 梯开关模型
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