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超高速脉冲晶闸管设计及特性
被引量：
3
1
作者
朱玉德
刘小俐
+3 位作者
肖彦
张桥
吴拥军
颜家圣
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期73-76,共4页
介绍一种超高速脉冲半导体器件,该器件属于穿通型器件,电压可达到5000V,电流上升率可以达到20kA/μs以上,根据参数调配,脉冲峰值电流可以达到数百kA。该器件采用多元胞集成结构,采用缓冲层与阳极透明层相结合的扩散技术,使其在压降和开...
介绍一种超高速脉冲半导体器件,该器件属于穿通型器件,电压可达到5000V,电流上升率可以达到20kA/μs以上,根据参数调配,脉冲峰值电流可以达到数百kA。该器件采用多元胞集成结构,采用缓冲层与阳极透明层相结合的扩散技术,使其在压降和开通等方面相对于传统的晶闸管原理开关有更强的优势。并且,该超高速脉冲器件在工艺设计及实现上进行了优化,使生产条件易满足。
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关键词
脉冲功率技术
晶闸管
穿通型
缓冲层
多元
胞
集成
结构
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职称材料
题名
超高速脉冲晶闸管设计及特性
被引量：
3
1
作者
朱玉德
刘小俐
肖彦
张桥
吴拥军
颜家圣
机构
湖北台基半导体股份有限公司
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期73-76,共4页
文摘
介绍一种超高速脉冲半导体器件,该器件属于穿通型器件,电压可达到5000V,电流上升率可以达到20kA/μs以上,根据参数调配,脉冲峰值电流可以达到数百kA。该器件采用多元胞集成结构,采用缓冲层与阳极透明层相结合的扩散技术,使其在压降和开通等方面相对于传统的晶闸管原理开关有更强的优势。并且,该超高速脉冲器件在工艺设计及实现上进行了优化,使生产条件易满足。
关键词
脉冲功率技术
晶闸管
穿通型
缓冲层
多元
胞
集成
结构
Keywords
pulsed power technology
thyristor
punch-through
buffer layer
multiple-round-cell integrated structure
分类号
TN78 [电子电信—电路与系统]
TM836 [电气工程—高电压与绝缘技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超高速脉冲晶闸管设计及特性
朱玉德
刘小俐
肖彦
张桥
吴拥军
颜家圣
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
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职称材料
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