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人工晶体发展动向的探讨 被引量：7
1
作者 蒋民华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期177-181,共5页
本文评述了人工晶体在体块大单晶生长、薄膜的外延生长 ,微结构和光子晶体、微米晶和纳米晶等方面的新近发展 ,并对未来的智能晶体进行了讨论。
关键词 人工晶体 发展动向 外延薄膜 微/纳米晶 智能晶体
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GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究 被引量：7
2
作者 李志锋 陆卫 +4 位作者 叶红娟 袁先璋 沈学础 G.Li S.J.Chua 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期1614-1619,共6页
用红外反射光谱的方法对生长在蓝宝石衬底上的α GaN外延薄膜的载流子浓度和迁移率进行了研究 .通过测量蓝宝石衬底和不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜的远红外反射谱并进行理论计算和拟合 ,得到GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率... 用红外反射光谱的方法对生长在蓝宝石衬底上的α GaN外延薄膜的载流子浓度和迁移率进行了研究 .通过测量蓝宝石衬底和不同Si掺杂浓度的一系列GaN外延膜的远红外反射谱并进行理论计算和拟合 ,得到GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量 ,并由此计算得到其载流子浓度和迁移率 .计算结果 ,红外方法得到的载流子浓度与Hall测量相一致 ,但迁移率比Hall迁移率要低约二分之一 .同时红外谱与喇曼谱上明显观察到LO声子与等离子体激元耦合模 ,(LPP) 展开更多
关键词 外延薄膜 载流子浓度 迁移率 氧化镓 光谱
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铁电薄膜研究的一些新动向 被引量：5
3
作者 包定华 张良莹 姚熹 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1997年第4期58-62,共5页
从Y1铁电薄膜材料、外延铁电薄膜、介电超晶格、铁电薄膜的制备工艺及原位检测几个方面介绍了铁电薄膜研究的一些新动向。
关键词 铁电薄膜 存储器 外延薄膜 介电超晶格
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高质量GaN外延薄膜的生长 被引量：7
4
作者 吴学华 J.S.Speck 吴自勤 《物理》 CAS 1999年第1期44-51,共8页
综述了高质量ＧａＮ外延薄膜的生长研究工作的最新重要进展．主要采用的新工艺为：在较低温度下生长ＧａＮ缓冲层后再高温生长ＧａＮ外延薄膜，双气流金属有机化合物气相沉积（ＭＯＣＶＤ），以及用开有窗口的ＳｉＯ２膜截断穿过位错后... 综述了高质量ＧａＮ外延薄膜的生长研究工作的最新重要进展．主要采用的新工艺为：在较低温度下生长ＧａＮ缓冲层后再高温生长ＧａＮ外延薄膜，双气流金属有机化合物气相沉积（ＭＯＣＶＤ），以及用开有窗口的ＳｉＯ２膜截断穿过位错后横向覆盖外延生长（ｅｐｉｔａｘｉａｌｙｌａｔｅｒａｌｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）．Ｘ射线衍射和高分辨电镜研究证实，上述工艺使ＧａＮ外延薄膜质量得到显著提高．利用这种薄膜研制成的蓝色激光管即将投放市场． 展开更多
关键词 外延薄膜 蓝色激光管 穿过位错 氮化镓
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BiFeO_(3)外延薄膜的自极化调控 被引量：1
5
作者 沈国阳 梁仁宏 +2 位作者 朱丽雯 王支国 舒龙龙 《宁夏大学学报（自然科学版）》 CAS 2024年第1期25-30,共6页
通过对衬底/底电极界面行为的研究,发现界面效应可以调控BiFeO_(3)外延薄膜的自极化.由于底电极和薄膜均具有钙钛矿类型的结构,通过改变衬底/底电极的界面类型和阴/阳离子层排列方式,可以在BiFeO_(3)/SrRuO_(3)(La_(0.67)Sr_(0.33)MO_(3... 通过对衬底/底电极界面行为的研究,发现界面效应可以调控BiFeO_(3)外延薄膜的自极化.由于底电极和薄膜均具有钙钛矿类型的结构,通过改变衬底/底电极的界面类型和阴/阳离子层排列方式,可以在BiFeO_(3)/SrRuO_(3)(La_(0.67)Sr_(0.33)MO_(3))/SrTiO_(3)异质结构中获得两种不同类型的界面.实验结果表明BFO薄膜在SrTiO_(3)衬底上共格生长,且两种异质结薄膜呈向上/向下的内建电场E_(b)和c-畴180°翻转.这些研究结果揭示了不同底电极选择导致的异质结构界面处的电荷分布与内建电场方向的差异,为调控异质结性能提供了一种可选途径. 展开更多
关键词 外延薄膜 界面效应 自极化
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ZnO薄膜的制备和结构性能分析 被引量：5
6
作者 贺永宁 朱长纯 +4 位作者 侯洵 张景文 杨晓东 徐庆安 曾凡光 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期420-423,共4页
ZnO作为一种宽带隙半导体材料 ,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点。激光分子束外延 (L MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一。高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的 ,本文中... ZnO作为一种宽带隙半导体材料 ,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点。激光分子束外延 (L MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一。高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的 ,本文中采用高纯原料 ,在洁净条件下制备了大面积、薄片型、尺寸可控的符合理想化学配比的高纯ZnO陶瓷靶材。采用所制备的靶材 ,利用L MBE技术在 (0 0 0 1)蓝宝石基片上进行了ZnO薄膜的外延生长 ,在 2 80℃～ 30 0℃低温条件下所生长的薄膜样品具有 (0 0 0 1)取向的纤锌矿晶体结构 ,薄膜光学性能良好 ,论文中对ZnO薄膜的低温L MBE生长机理进行了探讨。 展开更多
关键词 MBE ZnO陶瓷 ZNO薄膜 宽带隙半导体材料 光电子材料 器件 蓝宝石基片 可控 薄膜光学 外延薄膜
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蓝宝石/氮化铝衬底上SiC外延薄膜的X射线衍射分析 被引量：4
7
作者 彭军 朱作云 +3 位作者 贾护军 杨银堂 郑有炓 郭振琪 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期186-189,共4页
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种X光衍射方法对生长在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的... 介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种X光衍射方法对生长在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的结构进行了分析 ,结果表明 ,可在这种衬底上成功地生长出 6H SiC单晶薄膜 . 展开更多
关键词 蓝宝石 氮化铝 衬底 X射线衍射 碳化硅 外延薄膜
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氧化铬外延薄膜的x射线研究 被引量：6
8
作者 杜晓松 S.Hak +1 位作者 O.C.Rogojanu T.Hibma 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期3510-3514,共5页
采用分子束外延技术 (MBE)在MgO(0 0 1)基板上沉积了氧化铬薄膜 ,并利用x射线衍射 (XRD)和x射线反射谱(XRR)对薄膜的晶体结构进行了表征 .θ— 2θ扫描和倒易空间图 (RSM)揭示出薄膜为单相c轴外延生长 ,晶体结构为体心正交 ,晶胞常数a ,... 采用分子束外延技术 (MBE)在MgO(0 0 1)基板上沉积了氧化铬薄膜 ,并利用x射线衍射 (XRD)和x射线反射谱(XRR)对薄膜的晶体结构进行了表征 .θ— 2θ扫描和倒易空间图 (RSM)揭示出薄膜为单相c轴外延生长 ,晶体结构为体心正交 ,晶胞常数a ,b ,c分别为 0 894 0± 0 0 0 0 3,0 2 98± 0 0 0 0 2和 0 3897± 0 0 0 0 2nm .扫描表明薄膜在面内具有 90°孪晶 ,取向关系为a∥MgO〈110〉 ,c∥MgO(0 0 1) .XRR谱测得薄膜的电子密度为 135 0± 2 0nm- 3,与由晶胞体积计算得到的电子密度非常吻合 ,表明薄膜的化学成分为Cr2 O3 该物质在结构上等同于沿MgO〈110〉方向存在着1 3有序的Cr空位 。 展开更多
关键词 外延薄膜 电子密度 晶体结构 氧化铬 倒易空间 等同 空位 MBE 反射谱 分子束外延技术
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Hg_(1-x)Cd_xTe分子束外延薄膜晶格参数与组分关系的研究 被引量：3
9
作者 王庆学 杨建荣 +3 位作者 孙涛 魏彦锋 方维政 何力 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期3726-3733,共8页
高分辨率x射线衍射技术被应用于Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数的测量及其晶格应变状态的研究,研究发现Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜内既存在正应变也存在剪切应变.通过应用晶体弹性理论,对Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜的应变状态进行了定... 高分辨率x射线衍射技术被应用于Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数的测量及其晶格应变状态的研究,研究发现Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜内既存在正应变也存在剪切应变.通过应用晶体弹性理论,对Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜的应变状态进行了定量的分析与计算,获得了Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜在完全弛豫状态下的晶格参数,从而得到了Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数与组分的关系,该关系符合Vegard’s定律,而不是早期研究所给出的Higgins公式.研究还发现,根据对称衍射测量所得到的(224)晶面间距,可直接计算出Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数,并用Vegard’s定律确定组分的方法,可作为估算Hg1-xCdxTe分子束外延材料组分的常规技术,其组分的测量误差在0·01左右. 展开更多
关键词 HG1-XCDXTE 外延薄膜 晶格参数 X射线衍射技术 应变状态 分子束外延 高分辨率 弹性理论 剪切应变 晶面间距 衍射测量 直接计算 常规技术 材料组分 测量误差 研究所 应用 定律 晶体 弛豫
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MgO基外延BiFeO_(3)薄膜的结构和铁电光伏性能
10
作者 霍幸民 张宪贵 +7 位作者 刘立芳 侯志青 赵彬 王云明 魏东蕊 董磊 曾浩宇 宋建民 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期377-383,共7页
目的深入研究BiFeO_(3)(BFO)薄膜的结晶结构、生长取向及测试温度对其介电和铁电光伏性能的影响。方法采用偏轴磁控溅射法,分别以单晶(001)MgO基片和外延La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_(3)(LSCO)薄膜作为衬底与底电极,构架Pt/BFO/LSCO/MgO异质结... 目的深入研究BiFeO_(3)(BFO)薄膜的结晶结构、生长取向及测试温度对其介电和铁电光伏性能的影响。方法采用偏轴磁控溅射法,分别以单晶(001)MgO基片和外延La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_(3)(LSCO)薄膜作为衬底与底电极,构架Pt/BFO/LSCO/MgO异质结构的铁电电容器。采用XRD衍射仪表征LSCO和BFO薄膜的结构与生长取向,探究Pt/BFO/LSCO/MgO异质结构电容器的介电和铁电光伏性能,重点研究测试温度对其性能的综合影响。结果X射线衍射(XRD)和Phi扫描结果表明,MgO基BFO与LSCO薄膜均为结晶良好的钙钛矿结构,且满足(001)取向的外延生长。不同电压和频率下的介电测试表明,BFO铁电薄膜具有较强的铁电性,正负矫顽电压分别为3.36、-1.12V,但存在明显的介电色散现象,呈现先减小、后增大的趋势。在~100kHz时,介电损耗最小,为0.016;在8MHz时,增加到了0.212。这主要由于不同频率下各种类型电荷的弛豫竞争机制所致。光伏性能测试表明,在室温(20℃)、光强250mW/cm^(2)紫光垂直照射下,开路电压(VOC)和短路电流(JSC)分别为0.32V和0.21mA/cm^(2)。进一步提高测试温度(分别为40、60、80、100℃)发现,BFO铁电薄膜VOC呈先缓慢、后快速减小,而JSC呈先快速上升、后下降的趋势,并在临界温度80℃处展现了更快的光伏响应速度,VOC和JSC分别为0.30V和0.96mA/cm^(2)。能带分析表明,底电极LSCO与上电极Pt间大的功函数差(~1eV)使得BFO薄膜中存在较强的内建电场,这有利于分离光生载流子,从而极大提高了BFO薄膜的铁电光伏效应。结论BFO是一种具有重要潜在应用价值的优良环保光伏候选材料,提供了一种提高BFO铁电光伏器件性能的切实可行策略。 展开更多
关键词 外延薄膜 BiFeO_(3) 磁控溅射 铁电光伏
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晶格失配对InAs基室温中波红外探测器性能的影响
11
作者 段永飞 张振宇 +1 位作者 陈泽中 胡淑红 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期402-407,共6页
采用液相外延技术生长了InAs基室温红外探测器件材料,通过光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪分析了外延材料表面形貌、截面形貌与晶格失配的关系。分析发现,不恰当的晶体晶格常数匹配度会导致材料表面形貌变差,降低材料的结晶质... 采用液相外延技术生长了InAs基室温红外探测器件材料,通过光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪分析了外延材料表面形貌、截面形貌与晶格失配的关系。分析发现,不恰当的晶体晶格常数匹配度会导致材料表面形貌变差,降低材料的结晶质量,晶格失配在0.22%左右的InAs基外延材料表面形貌较好,缺陷少,晶体质量较好。在此基础上,成功制备出室温探测率D^(*)为6.8×10^(9)cm·Hz^(1/2)·W^(-1)的InAs基室温中波红外探测器,这一性能与国际上红外探测器领军企业美国Teledyne Judson Technologies和日本滨松株式会社的商用InAs基红外探测器性能处于同等水平。 展开更多
关键词 外延薄膜 半导体材料与器件 光伏探测器 红外材料与器件
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外延薄膜X射线表征方法的新进展 被引量：4
12
作者 杜晓松 杨邦朝 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期1-5,共5页
　对X射线倒易空间图技术(RSM)及X射线反射技术(XRR)的原理及其在外延薄膜表征方面的应用进行了介绍。RSM主要用于表征外延薄膜的应变、弛豫、马赛克缺陷、倾斜等微观缺陷,因为这些缺陷在倒空间中按不同的方向展宽。而 XRR主要用于模拟... 　对X射线倒易空间图技术(RSM)及X射线反射技术(XRR)的原理及其在外延薄膜表征方面的应用进行了介绍。RSM主要用于表征外延薄膜的应变、弛豫、马赛克缺陷、倾斜等微观缺陷,因为这些缺陷在倒空间中按不同的方向展宽。而 XRR主要用于模拟薄膜的厚度、粗糙度、密度及深度分布。 展开更多
关键词 倒易空间图 X射线反射谱 外延薄膜
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热处理温度对化学溶液沉积GdBiO_3薄膜生长的影响 被引量：2
13
作者 王祖强 蒲明华 +5 位作者 木丽云 孙瑞萍 李果 王文涛 白云强 赵勇 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期36-39,共4页
以铋、钆的硝酸盐等制备前驱溶胶体系,用CSD法在SrTiO3(100)基底上制备出c轴织构良好的可作为涂层导体缓冲层的GdBiO3(GBO)薄膜。首先利用差热分析的结果对GBO薄膜分解过程的吸、放热情况进行了研究,确定了较为适当的有机物分解工艺。... 以铋、钆的硝酸盐等制备前驱溶胶体系,用CSD法在SrTiO3(100)基底上制备出c轴织构良好的可作为涂层导体缓冲层的GdBiO3(GBO)薄膜。首先利用差热分析的结果对GBO薄膜分解过程的吸、放热情况进行了研究,确定了较为适当的有机物分解工艺。在此基础上研究了不同外延成相热处理温度对GBO薄膜生长的影响,并对较高温度处理后样品产生裂纹的原因进行了初步分析。GBO薄膜的相组成和微结构利用XRD和SEM进行分析。研究结果表明,在Ar气氛中适宜于GBO薄膜生长的最佳温度在770℃度附近,在此条件下可以制备出表面平整致密的GBO薄膜。 展开更多
关键词 化学溶液沉积法 GdBiO3 外延薄膜 REBCO涂层导体
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在c面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中位错与极性的TEM研究 被引量：3
14
作者 卢朝靖 李金华 段晓峰 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期95-96,共2页
关键词 分子束外延生长 外延薄膜 穿透位错 INN TEM 蓝宝石 极性 GAN薄膜
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碲镉汞液相外延薄膜的应力研究 被引量：3
15
作者 王跃 蔡毅 +3 位作者 何永成 汤志杰 孙建坤 庄维莎 《红外技术》 CSCD 1992年第4期1-6,共6页
用X射线衍射方法对液相外延(LPE)技术生长的碲镉汞(MCT)外延薄膜和CdTe衬底进行了观察与分析。研究表明:MCT薄膜中存在着不同程度的应力,主要表现为晶格的扭曲(300″～1200″范围),这种扭曲致使外延膜双晶回摆曲线宽化,宽化值为100″～... 用X射线衍射方法对液相外延(LPE)技术生长的碲镉汞(MCT)外延薄膜和CdTe衬底进行了观察与分析。研究表明:MCT薄膜中存在着不同程度的应力,主要表现为晶格的扭曲(300″～1200″范围),这种扭曲致使外延膜双晶回摆曲线宽化,宽化值为100″～150″,外延膜的晶格扭曲与CdTe衬底的不完整性有对应关系。研究还表明:LPE的生长条件对外延膜中的晶格扭曲也有较大影响。本文还讨论了CdTe衬底晶格扭曲形成的因素并探究了减少外延膜晶格扭曲的方法。 展开更多
关键词 液相 外延薄膜 碲镉汞 晶格 应力
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外延生长的菱方相Hf0.5Zr0.5O2薄膜的铁电性 被引量：1
16
作者 祝祺 杨浩 《应用物理》 CAS 2022年第1期1-7,共7页
本文采用脉冲激光沉积技术,在SrTiO3 (001)衬底上,以La0.7Sr0.3MnO3薄膜为缓冲层和底电极,成功制备了沿(111)取向外延生长的Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜。X射线衍射的结果表明,外延HZO薄膜中菱方相的比例随薄膜生长温度升高而增加,随薄膜厚... 本文采用脉冲激光沉积技术,在SrTiO3 (001)衬底上,以La0.7Sr0.3MnO3薄膜为缓冲层和底电极,成功制备了沿(111)取向外延生长的Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)薄膜。X射线衍射的结果表明,外延HZO薄膜中菱方相的比例随薄膜生长温度升高而增加,随薄膜厚度的增加而减小。原子力显微镜的结果表明,外延HZO薄膜表面平整,均方根粗糙度为0.228 nm。压电力显微镜的结果证明外延HZO薄膜在室温下表现出良好的铁电性,同时确定了其室温压电系数d33约为4.8 pm/V。这些实验结果为基于HZO薄膜电子器件的设计提供了重要实验依据。 展开更多
关键词 Hf0.5Zr0.5O2薄膜 外延薄膜 铁电性 超薄铁电薄膜
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用MOCVD法在LiGaO_2(001)上生长GaN的研究 被引量：2
17
作者 杨卫桥 干福熹 +3 位作者 邓佩珍 徐军 李抒智 张荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期215-219,共5页
LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍... LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO2(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO2在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变. 展开更多
关键词 GAN LiGaO2 MOCVD法 半导体材料 氮化镓 金属有机物气相沉积 外延薄膜 外延生长
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沉积温度对磁控溅射生长SrRuO_3薄膜结构和性能的影响 被引量：2
18
作者 王宽冒 张沧生 +5 位作者 李曼 周阳 王玉强 王侠 彭英才 刘保亭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期135-138,148,共5页
采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO3基片上制备了SrRuO3薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO3薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响。实验结果表明:当生长温度低于550℃时,SrRuO... 采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO3基片上制备了SrRuO3薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO3薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响。实验结果表明:当生长温度低于550℃时,SrRuO3薄膜为多晶结构;当温度在550～650℃范围内变化时,SrRuO3薄膜可以在SrTiO3基片上外延生长,薄膜的最低电阻率约为0.5mΩ.cm。 展开更多
关键词 SRRUO3 磁控溅射 外延薄膜
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La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3单晶外延膜的X射线衍射表征 被引量：2
19
作者 高洁 熊曹水 +5 位作者 汤业庆 朱弘 皮雳 朱警生 周贵恩 张裕恒 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第19期2069-2073,共5页
钙钛矿型掺杂氧化物中的巨磁阻（CMR）效应已经引起了基础理论研究和新材料应用的 极大关注.实验表明:薄膜样品中出现大的CMR效应和高的转变温度Tc与制备条件有着密切的关系.由于晶粒尺寸效应和膜的外延性对CMR有重要影响,因此,制备高... 钙钛矿型掺杂氧化物中的巨磁阻（CMR）效应已经引起了基础理论研究和新材料应用的 极大关注.实验表明:薄膜样品中出现大的CMR效应和高的转变温度Tc与制备条件有着密切的关系.由于晶粒尺寸效应和膜的外延性对CMR有重要影响,因此,制备高质量的薄膜,研究其结构特征,对掺杂锰氧化物的巨磁阻效应机制的理解和实际应用都是十分必要的.我们用直流溅射法在（001）LaAlO3单晶基片上制备了La0.67Sr0.33MnO3（LSMO）单晶外延薄膜,并测量了磁电阻效应.本文采用 X射线衍射及极图研究了 LSMO薄膜的外延性以及膜与衬底的晶格匹配关系.1 衬底晶胞转换 实验采用（001）LaAlO3单晶作衬底.LaAlO3单晶属于三方晶系,然而从LaAlO3单晶获得的粉末X射线衍射看出:LaAlO3在2 θ=70°以前时,衍射峰不出现分裂（70°以后开始分裂）,表明三方晶胞的LaAlO3可以看作是由立方晶胞沿体对角线方向轻微(“压缩”或“拉长”而得到的,先将六方晶胞（a=0. 536 5 nm, c= 1.311 nm）转换为三方晶胞（菱面体晶胞,a=0.536 5 nm）,则 LaAlO3取六方晶胞时的（012）面转换成三方晶胞的（110）面。 展开更多
关键词 外延薄膜 X射线衍射 单晶 钙钛矿型氧化物
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沉积温度对LaNiO_3薄膜结构和性能的影响 被引量：1
20
作者 刘保亭 武德起 +3 位作者 闫正 乔晓东 赵庆勋 王英龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期276-279,共4页
采用磁控溅射法在（001）SrTiO3基片上制备了LaNiO3氧化物薄膜，应用X射线衍射（XRD）、反射式高能电子衍射（RHEED）、原子力显微镜（AFM）、四探针测试仪等技术系统研究了沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响。结果表明在较低的生... 采用磁控溅射法在（001）SrTiO3基片上制备了LaNiO3氧化物薄膜，应用X射线衍射（XRD）、反射式高能电子衍射（RHEED）、原子力显微镜（AFM）、四探针测试仪等技术系统研究了沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响。结果表明在较低的生长温度和较宽的温度范围内（250-400℃）都能得到外延LaNiO3薄膜。输运性质的测量结果表明在其它条件不变的情况下，250℃温度下生长的LaNiO3薄膜具有最高的电导率。 展开更多
关键词 LANIO3 外延薄膜 磁控溅射
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