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掺AS硅单晶片外延技术
被引量：
2
1
作者
苗文生
《甘肃科技》
2004年第6期49-49,34,共2页
本文论述的N/N +EPI ,是在重掺AS衬底单晶片上生长一层N型EPI层。因重掺AS硅单晶片在EPI生长过程中自掺杂严重 ,如何控制好EPI层的掺杂浓度一致性 ,便成为N/N
关键词
掺砷衬底
外延
(
epi
)
自掺杂
自封闭
下载PDF
职称材料
题名
掺AS硅单晶片外延技术
被引量：
2
1
作者
苗文生
机构
天昊电子有限公司
出处
《甘肃科技》
2004年第6期49-49,34,共2页
文摘
本文论述的N/N +EPI ,是在重掺AS衬底单晶片上生长一层N型EPI层。因重掺AS硅单晶片在EPI生长过程中自掺杂严重 ,如何控制好EPI层的掺杂浓度一致性 ,便成为N/N
关键词
掺砷衬底
外延
(
epi
)
自掺杂
自封闭
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
掺AS硅单晶片外延技术
苗文生
《甘肃科技》
2004
2
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