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成分调制的La_(1-x)Sr_xMnO_3复合隧道结 被引量：5
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作者 于敦波 丰家峰 +4 位作者 杜永胜 韩秀峰 严辉 应启明 张国成 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期4903-4908,共6页
利用磁控溅射和Sr成分的调制以及原位热处理方法,在10mm×10mm大小的(001)取向SrTiO3单晶衬底上制备出三明治结构为La0·7Sr0·3MnO3(100nm)/La0·96Sr0·04MnO3(5nm)/La0·7Sr0·3MnO3(100nm)的隧道结外... 利用磁控溅射和Sr成分的调制以及原位热处理方法,在10mm×10mm大小的(001)取向SrTiO3单晶衬底上制备出三明治结构为La0·7Sr0·3MnO3(100nm)/La0·96Sr0·04MnO3(5nm)/La0·7Sr0·3MnO3(100nm)的隧道结外延薄膜,然后再次利用磁控溅射方法,在三层单晶膜上方继续沉积Ir22Mn78(15nm)/Ni79Fe21(5nm)/Pt(20nm)等金属三层膜.最后利用深紫外曝光和Ar离子束刻蚀等微加工技术,制备出长短轴分别为12和6μm或者8和4μm大小的椭圆形La1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结.在4·2K和外加磁场8T的测试下,La1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结其隧穿磁电阻(TMR)比值达到3270%,直接从实验上证实了铁磁性La0·7Sr0·3MnO3金属氧化物的自旋极化率(97%)可接近100%,具有很好的半金属性质. 展开更多
关键词 LA1-XSRXMNO3 半金属 成分调制 复合磁性隧道结 隧穿磁电阻 磁性隧道结 调制 成分 复合 金属氧化物
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