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In_(0.2)Ga_(0.8)As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3μm InAs/GaAs自组织量子点
1
作者
方志丹
龚政
+2 位作者
苗振华
牛智川
沈光地
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期324-327,共4页
用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和xML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从...
用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和xML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从约1.7×109cm-2显著增加到约3.8×109cm-2.同时,复合层也有利于提高量子点中In的组份,使量子点的高宽比增加,促进量子点发光峰红移.对于x=10 ML的样品室温下基态发光峰达到1350 nm.
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关键词
INAS/GAAS量子点
复合
应力
缓冲
层
光荧光
原子力显微镜
下载PDF
职称材料
题名
In_(0.2)Ga_(0.8)As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3μm InAs/GaAs自组织量子点
1
作者
方志丹
龚政
苗振华
牛智川
沈光地
机构
北京工业大学光电子技术实验室
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期324-327,共4页
基金
国家高技术研究发展技术资助的课题(2002AA302107)
文摘
用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和xML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从约1.7×109cm-2显著增加到约3.8×109cm-2.同时,复合层也有利于提高量子点中In的组份,使量子点的高宽比增加,促进量子点发光峰红移.对于x=10 ML的样品室温下基态发光峰达到1350 nm.
关键词
INAS/GAAS量子点
复合
应力
缓冲
层
光荧光
原子力显微镜
Keywords
InAs/GaAs quantum dots
combined strain-buffer layer
photoluminescence
atomic force microscopy
分类号
O482.3 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
In_(0.2)Ga_(0.8)As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3μm InAs/GaAs自组织量子点
方志丹
龚政
苗振华
牛智川
沈光地
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
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