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题名单晶SiC超精密加工研究进展
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作者
田壮智
班新星
韩少星
段天旭
郑少冬
朱建辉
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机构
河南工业大学机电工程学院
河南省超硬磨料磨削装备重点实验室
郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2024年第1期35-49,共15页
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基金
中国博士后科学基金(2022M712923)
河南省科技攻关计划资助项目(232102221037)
+3 种基金
河南省重大科技专项(221100230100)
河南工业大学高层次人才科研基金(2020BS026)
河南省高等学校重点科研项目(22A460003)
郑州市重大科技专项(2021KJZX0062)。
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文摘
单晶碳化硅(SiC)的高脆性、高硬性和强化学惰性是制约第三代半导体超精密抛光发展的关键,实现衬底高效率、超光滑表面的加工具有挑战性。对于单晶SiC的化学机械抛光(CMP),分别从材料去除和工艺优化两个维度出发,阐述了CMP SiC的影响因素和规律,指出了该方法的不足。介绍了光催化、超声振动、电场、等离子体、磁流变、表面预处理等辅助CMP抛光方法,分析了复合增效抛光的去除机理和优势。通过对比发现,辅助能场的介入有助于改善SiC表面质量,并能获得较好的加工效果,然而,复合抛光技术涉及的能场复杂,多能场作用下的材料去除机制和工艺参数匹配仍需进行深入研究。最后,对未来单晶SiC超精密加工的研究给出了建议,并进行了展望。
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关键词
单晶碳化硅(SiC)
化学机械抛光(CMP)
材料去除率(MRR)
表面粗糙度
增效抛光
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Keywords
single crystal silicon carbide(SiC)
chemical mechanical polishing(CMP)
material removal rate(MRR)
surface roughness
enhanced polishing
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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