期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
表面粘贴式光纤光栅传感器的应变传递机理分析与实验研究 被引量:16
1
作者 苏晨辉 张雷 +3 位作者 隋青美 张法业 杨绪昌 姜明顺 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期513-517,共5页
金属基底封装的光纤光栅应变传感器具有线性度高、重复性好、易标定等特点,在应用中由于光纤与基体不直接接触,测量的精度取决于粘结胶的特性。在分析FBG应变感知机理的基础上,基于力学仿真设计了金属基底结构,并建立了包含光纤光栅-壳... 金属基底封装的光纤光栅应变传感器具有线性度高、重复性好、易标定等特点,在应用中由于光纤与基体不直接接触,测量的精度取决于粘结胶的特性。在分析FBG应变感知机理的基础上,基于力学仿真设计了金属基底结构,并建立了包含光纤光栅-壳体-粘胶层-基体的四层应变传递仿真模型,制作并利用悬臂梁进行了应变测试,取得了良好的实验结果且与仿真计算误差在0.5%以内。 展开更多
关键词 FBG应变传感器 基底封装 应变传递 悬臂梁
下载PDF
一种用于高性能计算的高速内存和封装解决方案
2
作者 陈宏铭 黄昱人 +2 位作者 蔡鸿寅 朱伟涛 黄耀林 《中国集成电路》 2018年第12期29-36,共8页
HBM高速内存接口设计解决现代DDR的两个关键问题,它增加了内存的可用带宽与降低功耗。本文介绍了第二代高带宽存储器(HMB2)高速内存控制器与物理层IP与配套晶圆基底封装(COWOS)的设计挑战及创意电子提供的相应解决方案。为了评估这一概... HBM高速内存接口设计解决现代DDR的两个关键问题,它增加了内存的可用带宽与降低功耗。本文介绍了第二代高带宽存储器(HMB2)高速内存控制器与物理层IP与配套晶圆基底封装(COWOS)的设计挑战及创意电子提供的相应解决方案。为了评估这一概念,HBM与CoWoS的原型采用台积电16纳米CMOS实现。从硅验证的结果也证明了整套方案的有效性。这些技术包括:HMB2高速内存控制器、HMB2高速内存物理层和台积电所提供的CoWoS封装。所提出的方法都是对高性能计算芯片所需高带宽的有效解决方案并减少面积与功耗开销。 展开更多
关键词 高性能计算 第二代高带宽存储器 晶圆基底封装
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部