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题名IGBT芯片参数对瞬态均流特性的影响
被引量：4
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作者
闫音蓓
赵志斌
杨艺烜
彭程
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机构
华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第2期144-151,共8页
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基金
国家电网公司总部科技项目(5455GB190007)。
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文摘
IGBT模块一般采用多芯片并联的方式进行封装,但由于模块参数、驱动控制等差异,模块内部存在电流分布不均衡的问题。相比于稳态电流分布,瞬态电流分布的影响因素众多,是研究的热点。针对IGBT的芯片参数开展了模块内部各支路瞬态电流分布特性的研究。通过建立IGBT芯片模型及芯片并联的瞬态电路分析模型,计算单一芯片参数与多种芯片参数作用下IGBT模块的瞬态电流分布,提出新的适用于芯片支路瞬态均流分析的评价指标,得到了IGBT芯片参数对并联瞬态均流影响的规律。研究结果表明阈值电压、跨导和栅极电阻是对瞬态均流影响最大的3个芯片参数,且需要关注阈值电压与跨导的共同影响。研究结果对IGBT的芯片筛选及并联后的瞬态均流计算具有指导意义。
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关键词
IGBT
瞬态均流
芯片参数
均流指标
电路模型
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Keywords
IGBT
transient current sharing
chip parameter
current sharing index
circuit model
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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题名IGBT单一芯片参数对瞬态均流特性的影响
被引量：1
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作者
刘春光
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机构
深圳市鑫汇科股份有限公司
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出处
《电子制作》
2021年第13期64-68,共5页
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文摘
本文通过计算单一芯片参数作用下IGBT模块的瞬态电流分布,提出新的适用于芯片支路瞬态均流分析的评价指标,详细探究了6种芯片参数对关断瞬态及开通瞬态均流产生的影响,通过实际计算结果,表明阈值电压、跨导和栅极电阻是对瞬态均流影响最大的3个芯片参数。希望可以为其他同行业者提供一些参考与帮助。
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关键词
IGBT
单一芯片
芯片参数
瞬态均流
均流指标
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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