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场发射锥尖的制备及特性研究
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作者 秦明 黄庆安 魏同立 《电子科学学刊》 CSCD 1998年第2期281-284,共4页
研究了倒金字塔填充型锥尖及正向刻蚀硅尖的制备工艺,采用了两种封装结构测试了场发射硅尖阵列的发射特性,并分析比较了这两种结构的特点及用于制备高频微波器件的可能性。
关键词 场致发射锥尖 键合 微波器件
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真空微电子压力传感器的研制 被引量：7
2
作者 温志渝 温中泉 +4 位作者 徐世六 刘玉奎 张正元 陈刚 杨国渝 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2004年第6期603-607,共5页
提出了一种带过载保护功能的真空微电子压力传感器。对传感器的压力敏感膜尺寸、阴阳极间距等结构参数进行了分析计算;针对过载保护的问题,在结构上设计了过载保护环,实现了真空微电子压力传感器的过载自保护功能。采用硅的干、湿法结... 提出了一种带过载保护功能的真空微电子压力传感器。对传感器的压力敏感膜尺寸、阴阳极间距等结构参数进行了分析计算;针对过载保护的问题,在结构上设计了过载保护环,实现了真空微电子压力传感器的过载自保护功能。采用硅的干、湿法结合的腐蚀、氧化锐化和真空键合等工艺技术,成功地研制出传感器实验样品。对传感器实验样品的参数进行了测试分析,其场致发射阴极锥尖阵列密度达24000个/mm2,起始发射电压为0.5～1V,反向电压≥25V,当正向电压为5V时,单尖发射电流为0.2nA,压力灵敏度为0.1μA/KPa。 展开更多
关键词 压力传感器 过载保护 场致发射阴极锥尖阵列 各向异性腐蚀
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