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双T型通道微流控芯片中场放大样品富集的数值分析 被引量：1
1
作者 曹军 洪芳军 郑平 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1667-1671,1678,共6页
通过合理的简化和假设,建立了一个包括电势分布方程、缓冲溶液浓度方程和样品粒子电迁移扩散方程的一维数学模型,并应用有限元方法对该模型进行了求解.计算得到了富集过程中样品浓度峰值出现的时间和位置,给出不同时刻表面带正、负电荷... 通过合理的简化和假设,建立了一个包括电势分布方程、缓冲溶液浓度方程和样品粒子电迁移扩散方程的一维数学模型,并应用有限元方法对该模型进行了求解.计算得到了富集过程中样品浓度峰值出现的时间和位置,给出不同时刻表面带正、负电荷样品粒子的分离效果,对缓冲溶液浓度比值不同时的富集效果进行了分析.该模型可为芯片上场放大样品富集过程提供一定的理论预测和指导. 展开更多
关键词 微流控芯片 场放大进样富集 缓冲溶液 数值分析
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