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缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响 被引量:2
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作者 陈俊 张书明 +6 位作者 张宝顺 朱建军 冯淦 段俐宏 王玉田 杨辉 郑文琛 《中国科学(E辑)》 EI CSCD 北大核心 2004年第1期58-63,共6页
利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明,缓冲层生长压力越大,GaN缓冲... 利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN时,GaN低温缓冲层的生长压力对高温生长GaN外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明,缓冲层生长压力越大,GaN缓冲层退火后成核中心体积越小,表面粗糙度越大,高温生长GaN岛间合并延迟.X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测量结果表明,GaN缓冲层生长压力增大时外延的GaN结晶质量得到改善. 展开更多
关键词 缓冲层 生长压力 MOCVD 氮化钙 在位监测 成核 宽带隙半导体材料 化学气相外延法
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Stress verification of a TLP under extreme wave environment
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作者 闫发锁 张大刚 +1 位作者 孙丽萍 戴仰山 《Journal of Marine Science and Application》 2009年第2期132-136,共5页
Stress response of a tension leg platform (TLP) in extreme environments was investigated in this paper. A location on one of the gussets was selected as the object point, where directional stresses were numerically ... Stress response of a tension leg platform (TLP) in extreme environments was investigated in this paper. A location on one of the gussets was selected as the object point, where directional stresses were numerically simulated and also experimentally verified by a strain gage. Environmental loading and the platform's structural strength were analyzed in accordance with industrial standards, utilizing linear wave theory and the finite element method (FEM). The fast Fourier transform technique was used to calculate the stress response amplitude operators (RAO) from the records of measurements. A comparison was performed between the stress RAO of the numerical simulation and that of the actual measurements. The results indicated that the stress RAO of the numerical simulation fitted well with measured data at specified wave headings with different periods. 展开更多
关键词 TLP stress RAO extreme environment numerical simulation monitoring measurement
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基于强化磁记忆的螺栓联接件损伤在位监测研究 被引量:1
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作者 高玄怡 邱忠超 +2 位作者 张瑞蕾 张卫民 李瑾博 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2018年第3期30-32,共3页
针对螺栓联接结构中螺栓孔位置处裂纹损伤实时监测的需求,采用强化磁记忆检测技术,搭建了基于GMR传感器的环螺栓孔阵列的低周疲劳裂纹产生和扩展监测装置,对螺栓孔孔边的状态进行实时在位监测,并通过分析监测信号对拉伸试件的损伤断裂... 针对螺栓联接结构中螺栓孔位置处裂纹损伤实时监测的需求,采用强化磁记忆检测技术,搭建了基于GMR传感器的环螺栓孔阵列的低周疲劳裂纹产生和扩展监测装置,对螺栓孔孔边的状态进行实时在位监测,并通过分析监测信号对拉伸试件的损伤断裂位置进行定位。结果表明,该装置可以有效预测裂纹萌生及试件断裂的位置,并且在损伤出现的早期阶段磁异变信号更加敏感。 展开更多
关键词 螺栓联接件 在位监测 裂纹萌生 强化磁记忆检测
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光纤传感技术在深水复合软管监测中的应用研究进展
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作者 代志双 王鸿轩 +1 位作者 杨连河 蒋晓斌 《海洋工程装备与技术》 2019年第S01期54-57,共4页
深水复合输送软管的服役过程中,诸多因素会诱发管道事故,对复合软管在位安全监测提出了更高的要求。本文介绍了国外应用于复合软管的监测技术的优缺点,分析了光纤技术在复合软管监测中的优势;简述了光纤传感技术及其技术原理,并提出光... 深水复合输送软管的服役过程中,诸多因素会诱发管道事故,对复合软管在位安全监测提出了更高的要求。本文介绍了国外应用于复合软管的监测技术的优缺点,分析了光纤技术在复合软管监测中的优势;简述了光纤传感技术及其技术原理,并提出光纤的选型原则与监测方案;分析了光纤传感技术的国外应用现状。 展开更多
关键词 复合软管 在位监测 光纤 监测方案
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AlGaN/GaN HEMT材料外延技术研究
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作者 杨红伟 刘英斌 《微纳电子技术》 CAS 2007年第4期186-189,共4页
采用低压MOCVD技术在蓝宝石和SiC衬底上生长了本征GaN和AlGaN/GaN HEMT结构材料。生长过程中采用了EpiTUNEⅡ在位监测技术,对材料生长工艺进行了模型分析以及优化控制。在获得具有良好表面形貌、晶体质量以及光荧光谱的GaN本征材料基础... 采用低压MOCVD技术在蓝宝石和SiC衬底上生长了本征GaN和AlGaN/GaN HEMT结构材料。生长过程中采用了EpiTUNEⅡ在位监测技术,对材料生长工艺进行了模型分析以及优化控制。在获得具有良好表面形貌、晶体质量以及光荧光谱的GaN本征材料基础上,生长了AlGaN/GaN HEMT结构材料,获得了良好的2DEG性能。 展开更多
关键词 金属有机物化学气相淀积 蓝宝石 碳化硅 高电子迁移率晶体管 在位监测
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多通道光纤化学传感器连续在位监测固体制剂的体外溶出度
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作者 张全梅 葛继红 +2 位作者 买尔旦 粟奇志 陈坚 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期53-56,共4页
采用基于荧光猝灭原理的多通道光纤化学传感器连续在位监测固体制剂的体外溶出度。采用自制光纤荧光溶出度监测仪与ZRS 4型智能溶出仪联用 ,连续在位监测氧氟沙星片、甲硝唑片、呋喃妥因肠溶片的体外溶出度 ,溶出曲线经微机从五种常用... 采用基于荧光猝灭原理的多通道光纤化学传感器连续在位监测固体制剂的体外溶出度。采用自制光纤荧光溶出度监测仪与ZRS 4型智能溶出仪联用 ,连续在位监测氧氟沙星片、甲硝唑片、呋喃妥因肠溶片的体外溶出度 ,溶出曲线经微机从五种常用数学模型中根据相关系数r值 ,优选最佳模型进行拟合。方法的回收率分别为 97.4%~ 1 0 4 .4%、97.4%~ 1 0 3 .8%、96 .6 %~ 1 0 2 .1 %,日内、日间的RSD <5 %。经与中国药典 2 0 0 0版方法及美国药典 2 3版方法对照 ,各时间药物累积溶出量和拟合后提取的参数均无显著性差异 (P >0 .0 5 )。 展开更多
关键词 多通道光纤化学传感器 连续在位监测 体外溶出度 氧氟沙星 甲硝唑 呋喃妥因 药物 固体制剂
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介绍一种活体在位实时监测脑内化学物质变化的新方法
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作者 陈郁初 《生命科学》 CSCD 2001年第4期189-192,共4页
介绍了一种新颖的在位实时监测脑内化学物质变化的新方法。在探头──透析电极制作中运用了酶化学、电化学和微透析技术,能连续测定行为动物脑内神经化学物质浓度的变化,并且不需要借助高效液相仪作测定[1]。同时;扼要地介绍了探... 介绍了一种新颖的在位实时监测脑内化学物质变化的新方法。在探头──透析电极制作中运用了酶化学、电化学和微透析技术,能连续测定行为动物脑内神经化学物质浓度的变化,并且不需要借助高效液相仪作测定[1]。同时;扼要地介绍了探头的结构以及该技术的应用。 展开更多
关键词 透析电极 脑内化学物质变化 活体在位实时监测
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