本文涉及200 mm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)器件用硅外延片制备技术,通过结合BCD工艺用外延材料的特性要求,从外延图形漂移、外延层均匀性、表面缺陷等参数指标,分析了衬底埋层浓度、生长温度、生长速率、缓冲层结构等工艺参数对外延参数...本文涉及200 mm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)器件用硅外延片制备技术,通过结合BCD工艺用外延材料的特性要求,从外延图形漂移、外延层均匀性、表面缺陷等参数指标,分析了衬底埋层浓度、生长温度、生长速率、缓冲层结构等工艺参数对外延参数的影响,优化了BCD工艺用硅外延片的制备方法。本文采用常压化学气相沉积(CVD)技术制备了BCD工艺用200 mm硅(Si)外延材料,通过Hg-CV、SP1及SRP对埋层外延片进行测试分析,实验结果验证了工艺设计的正确性和有效性,提升了大尺寸埋层外延制备技术的产业化水平。展开更多
文摘本文涉及200 mm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)器件用硅外延片制备技术,通过结合BCD工艺用外延材料的特性要求,从外延图形漂移、外延层均匀性、表面缺陷等参数指标,分析了衬底埋层浓度、生长温度、生长速率、缓冲层结构等工艺参数对外延参数的影响,优化了BCD工艺用硅外延片的制备方法。本文采用常压化学气相沉积(CVD)技术制备了BCD工艺用200 mm硅(Si)外延材料,通过Hg-CV、SP1及SRP对埋层外延片进行测试分析,实验结果验证了工艺设计的正确性和有效性,提升了大尺寸埋层外延制备技术的产业化水平。
