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利用ICP设备制备图形化蓝宝石基底的工艺控制
被引量:
1
1
作者
李燕
曹亮
+5 位作者
李晖
唐代华
Wonsik YOO
梁栋
杨正兵
李昕
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2013年第6期879-882,共4页
该文对利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀设备来制作图形化蓝宝石基底(PSS)的工艺控制进行了研究。在工艺制作过程中,选用了C轴(0001)取向的100mm蓝宝石平片作为实验样品,通过光刻工艺和ICP刻蚀工艺控制,制作出了具有圆锥状图形结构的图...
该文对利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀设备来制作图形化蓝宝石基底(PSS)的工艺控制进行了研究。在工艺制作过程中,选用了C轴(0001)取向的100mm蓝宝石平片作为实验样品,通过光刻工艺和ICP刻蚀工艺控制,制作出了具有圆锥状图形结构的图形化蓝宝石基底。借助扫描电子显微镜,对该图形化蓝宝石基底进行了测量和分析。测量结果显示,基底表面上的单粒圆锥状图形结构的底部直径为(3.45±0.25)μm,刻蚀高度/深度为(1.75±0.25)μm,整个图形化蓝宝石基底成品片的均匀性控制在3%以内。
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关键词
蓝宝石
基底
刻蚀
感应耦合等离子体(ICP)
图形化
蓝宝石
基底
发光二极管
刻蚀设备
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职称材料
题名
利用ICP设备制备图形化蓝宝石基底的工艺控制
被引量:
1
1
作者
李燕
曹亮
李晖
唐代华
Wonsik YOO
梁栋
杨正兵
李昕
机构
中国电子科技集团公司第
韩国先进微波技术有限公司
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2013年第6期879-882,共4页
基金
国家国际科技合作专项基金资助项目(2011DFA52960)
文摘
该文对利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀设备来制作图形化蓝宝石基底(PSS)的工艺控制进行了研究。在工艺制作过程中,选用了C轴(0001)取向的100mm蓝宝石平片作为实验样品,通过光刻工艺和ICP刻蚀工艺控制,制作出了具有圆锥状图形结构的图形化蓝宝石基底。借助扫描电子显微镜,对该图形化蓝宝石基底进行了测量和分析。测量结果显示,基底表面上的单粒圆锥状图形结构的底部直径为(3.45±0.25)μm,刻蚀高度/深度为(1.75±0.25)μm,整个图形化蓝宝石基底成品片的均匀性控制在3%以内。
关键词
蓝宝石
基底
刻蚀
感应耦合等离子体(ICP)
图形化
蓝宝石
基底
发光二极管
刻蚀设备
Keywords
sapphire
substrate
etch
inductively coupled plasma(ICP)
patterned sapphire substrate
light-emitting diode
etcher
分类号
TN371 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
利用ICP设备制备图形化蓝宝石基底的工艺控制
李燕
曹亮
李晖
唐代华
Wonsik YOO
梁栋
杨正兵
李昕
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2013
1
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职称材料
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