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题名快离子导体电性质研究
被引量：1
- 1
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作者
李金锷
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出处
《天津理工学院学报》
1991年第1期20-24,共5页
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文摘
固态离子学近年来受到特别重视。快离子导体有晶态、非晶态,也有聚合物。本文对其电导、储能及混合碱效应等电性质研究结果作简要介绍。
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关键词
快离子导体
固态电子学
电导
储能
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Keywords
transition propability
activation energy
vander waals gop
intercalation
mixed alkali effect
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分类号
O482.4
[理学—固体物理]
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题名0.2THz连续波近场扫描成像方法及实验研究
被引量：1
- 2
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作者
张楠
李超
朱万华
张国庆
方广有
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机构
中国科学院电子学研究所
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出处
《红外》
CAS
2009年第5期1-7,共7页
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基金
国家高技术研究发展计划(863)计划课题2008AA8090411A
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文摘
太赫兹(Terahertz-THz)电磁波是指频率在0.1THz～10THz(波长在30μm～3mm)之间的电磁波,它的独特性质使得它在许多领域具有重要的应用前景。本文简要地综合了THz信号的产生与检测方法以及THz成像技术的发展概况,基于固态电子学和准光学技术研究了一种0.2THz连续波成像方法,利用搭建的成像系统开展了典型目标的成像实验及其图像处理方法的研究。成像结果表明,0.2THz电磁波对泡沫塑料、纸盒、皮革等非极性材料具有较好的穿透能力,系统的成像分辨率优于3mm。本文的研究成果在安检、生物医学成像、无损检测等方面具有广阔的应用前景,也为便携式THz成像系统的实现提供了可能。
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关键词
0.2THz
固态电子学
准光学
耿氏振荡器
检波器
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Keywords
0.2THz
solid-state electronics
quasi-optics
Gunn oscillator
detector
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分类号
TN011
[电子电信—物理电子学]
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题名基于IMPATT管固态器件的太赫兹源
被引量：1
- 3
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作者
潘结斌
谢斌
程怀宇
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机构
华东光电集成器件研究所
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出处
《电子与封装》
2018年第4期33-37,共5页
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文摘
太赫兹频谱有很多优越特性,在生物医疗、安全检查及军事领域中具有重要的应用前景。太赫兹源是太赫兹波领域研究中的关键技术,制约着太赫兹技术的发展。从介绍太赫兹源的研究与发展动态出发,阐述了雪崩渡越时间二极管(IMPATT)器件的工作机理、等效分析模型及注锁牵引稳频振荡理论,给出了几种基于IMPATT管获取电子学固态太赫兹源的方法。
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关键词
固态电子学
IMPATT管
电路模型
稳频振荡
太赫兹源
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Keywords
solid-state electronics
IMPATT diode
circuit model
steady frequency oscillation condition
Terahertz source
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分类号
TN312.7
[电子电信—物理电子学]
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题名固态微波电子学的新进展
被引量：4
- 4
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作者
赵正平
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机构
中国电子科技集团公司
专用集成电路重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期1-14,47,共15页
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文摘
固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究,其加工工艺的尺寸也已进入纳米尺度,其工作频率已达到1 THz,应用的频率可覆盖微波毫米波到太赫兹。目前固态微波电子学呈多代半导体材料和器件共同发展的格局。综述了具有代表性的11类固态器件（RF CMOS,SiGe BiCMOS,RF LDMOS,RF MEMS,GaAs PHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN/SiC HEMT,GFET和金刚石FET）近几年的最新研究进展,详细介绍了有关固态微波电子学的应用需求、技术特点、设计拓扑、关键技术突破和测试结果,分析了当前固态微波电子学总的发展趋势和11类固态微波器件的发展特点和定位。最后介绍了采用3D异构集成技术的射频微系统的最新进展,指出射频微系统是发展下一代射频系统的关键技术。
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关键词
固态微波电子学
RF
CMOS
SiGe
BIMOS
RF
LDMOS
RF
MEMS
GAAS
PHEMT
GAAS
MHEMT
INP
HEMT
INP
HBT
GaN/SiC
HEMT
GFET
金刚石FET
射频微系统
3D异构集成
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Keywords
solid-state microwave electronics
RF CMOS
SiGe BiCMOS
RF LDMOS
RF MEMS
GaAs PHEMT
GaAs MHEMT
InP HEMT
InP HBT
GaN/SiC HEMT
GFET
diamond FET
RF microsystem
3D heterogeneous integration
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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