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重掺砷衬底外延工艺研究 被引量：2
1
作者 高翔 程秀兰 李志彭 《电子与封装》 2008年第12期7-9,共3页
在重掺砷(As)衬底上生长外延层一直是外延工艺难点。外延工艺过程中由于衬底的掺杂浓度与外延层的掺杂浓度相差很大,自掺杂与固态外扩散现象严重,使得外延过渡区变宽,工艺很难控制。在确保外延层晶格结构完整、表面质量完美的前提下,适... 在重掺砷(As)衬底上生长外延层一直是外延工艺难点。外延工艺过程中由于衬底的掺杂浓度与外延层的掺杂浓度相差很大,自掺杂与固态外扩散现象严重,使得外延过渡区变宽,工艺很难控制。在确保外延层晶格结构完整、表面质量完美的前提下,适当增加外延生长速率、降低外延生长温度可减小自掺杂与固态外扩散的影响。结合多晶硅背封法、二步外延法等对工艺过程进行优化,可有效抑制自掺杂现象从而提高外延片的质量。 展开更多
关键词 外延 固态外扩散 自掺杂 多晶硅背封 二步外延
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硅外延层中的杂质 被引量：1
2
作者 闵靖 《集成电路应用》 2003年第2期61-65,70,共6页
主掺杂质、固态外扩散杂质、气相自掺杂质、系统自掺杂质和金属杂质等五类杂质源是外延层中的常见杂质。主掺杂质决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。金属杂质在外延... 主掺杂质、固态外扩散杂质、气相自掺杂质、系统自掺杂质和金属杂质等五类杂质源是外延层中的常见杂质。主掺杂质决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。金属杂质在外延层中对器件有害。本文系统地介绍了掺杂源的掺杂过程也给出了控制的方法。 展开更多
关键词 硅外延层 增强吸杂外延 滞留层 主掺杂质 固态外扩散杂质 金属杂质 气相自掺杂质 系统自掺杂质
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