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NBT导致的深亚微米PMOS器件退化与物理机理 被引量：4
1
作者 刘红侠 郑雪峰 郝跃 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期1373-1377,共5页
研究了深亚微米PMOS器件在负偏压温度 (negativebiastemperature,NBT)应力前后的电流电压特性随应力时间的退化 ,重点分析了NBT应力对PMOS器件阈值电压漂移的影响 ,通过实验证明了在栅氧化层和衬底界面附近的电化学反应和栅氧化层内与... 研究了深亚微米PMOS器件在负偏压温度 (negativebiastemperature,NBT)应力前后的电流电压特性随应力时间的退化 ,重点分析了NBT应力对PMOS器件阈值电压漂移的影响 ,通过实验证明了在栅氧化层和衬底界面附近的电化学反应和栅氧化层内与氢相关的元素的扩散 ,是PMOS器件中NBT效应产生的主要原因 .指出NBT导致的PMOS器件退化依赖于反应机理和扩散机理两种机理的平衡 . 展开更多
关键词 器件退化 深亚微米 阈值电压漂移 栅氧化层 NBT 衬底 物理机理 依赖 影响 元素
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物理型硬件木马失效机理及检测方法 被引量：3
2
作者 骆扬 王亚楠 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期49-57,共9页
对两种物理型硬件木马造成芯片退化或失效的机理进行了详细分析.通过使用ATLAS二维器件仿真系统并结合Smart Spice电路逻辑仿真器,模拟了两种物理型硬件木马对反相器逻辑电路输出特性的影响.使用ATHENA工艺仿真系统模拟了掺杂离子注入... 对两种物理型硬件木马造成芯片退化或失效的机理进行了详细分析.通过使用ATLAS二维器件仿真系统并结合Smart Spice电路逻辑仿真器,模拟了两种物理型硬件木马对反相器逻辑电路输出特性的影响.使用ATHENA工艺仿真系统模拟了掺杂离子注入工艺过程,实现了掺杂型硬件木马的金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)器件;使用热载流子注入退化模型对ATLAS仿真器件进行热载流子压力测试,以模拟热载流子注入型硬件木马注入MOSFET器件并造成器件退化失效的过程,分别将上述掺杂型硬件木马和热载流子注入型硬件木马的MOSFET器件与另一个正常MOSFET器件组成同样的反相器逻辑电路.反相器使用Spice逻辑电路仿真输出DC直流、AC瞬态传输特性以研究物理型硬件木马对电路输出特性的影响.为了研究MOSFET器件的物理特性本身对硬件木马的影响,在不同温度不同宽长比(W/L)下同样对反相器进行Spice电路逻辑输出仿真.本文分析了离子掺杂工艺、热载流子注入压力测试形成的物理型硬件木马随压力强度、温度的变化对逻辑电路输出特性的影响.通过结果对比分析得出了含有物理型硬件木马的逻辑电路在DC直流输出特性上的扰动比AC瞬态传输特性更明显的结论.因此,本文提出了一种针对物理型硬件木马的检测流程.同时,该检测流程是一种具有可操作性的检测物理型硬件木马的方法. 展开更多
关键词 硬件木马 热载流子注入 器件退化 失效分析
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深亚微米NMOS/SOI热载流子效应及寿命预测 被引量：2
3
作者 颜志英 张敏霞 《浙江工业大学学报》 CAS 2003年第2期165-168,共4页
分析并模拟了 SOINMOSFET的电源电压、工艺参数、沟道长度等对器件内部电场的影响 ,并对器件的低压热载流子效应进行实验测试 ,得到了不同应力条件下最大线性区跨导和阈值电压的退化结果 ,以及器件尺寸对这种退化的影响。并实验测试了一个
关键词 SOINMOSFET 电源电压 工艺参数 沟道长度 内部电场 低压热载流子效应 寿命预测 器件退化
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深亚微米PD和FD SOIMOS器件热载流子损伤的研究
4
作者 颜志英 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期377-379,共3页
　研究了深亚微米PD和FDSOIMOS器件遭受热载流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和阈值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分... 　研究了深亚微米PD和FDSOIMOS器件遭受热载流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和阈值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分别预测了这两种器件的寿命,提出了10年寿命的0.3μm沟长的PD和FDSOIMOS器件所能承受的最大漏偏压。 展开更多
关键词 深亚微米器件 SOI MOSFET 热截流予效应 器件退化 热截流子效应
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晶体管、MOS器件
5
《电子科技文摘》 2000年第4期28-32,共5页
Y2000-62027-37 0005671珠式凸点应力对缩比 MOS 场效应晶体管器件退化的影响=The influence of Stud bumping Stress on devicedegradation in scaled MOSFETs[会,英]/Shimoyama,N.& Machida,K.//1999 IEEE International Reliabil... Y2000-62027-37 0005671珠式凸点应力对缩比 MOS 场效应晶体管器件退化的影响=The influence of Stud bumping Stress on devicedegradation in scaled MOSFETs[会,英]/Shimoyama,N.& Machida,K.//1999 IEEE International Reliabili-ty Physics Symposium.—37～41(UC) 展开更多
关键词 金属肖特基势垒场效应晶体管 绝缘栅双极晶体管 异质结双极晶体管 高电子迁移率晶体管 器件退化 收录论文 论文题目 功率器件 晶闸管 可靠性
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MUIS多脉冲雪崩应力下的器件退化特性
6
作者 何荣华 《集成电路应用》 2021年第2期14-15,共2页
阐述Power MOSFET在多脉冲雪崩应力下的器件电参数退化和退化机制,提出了在半导体工艺制程中改善/延缓MUIS器件退化的方法,对国内集成电路尤其是汽车电子的应用具有参考意义。
关键词 Power MOSFET 多脉冲UIS 器件退化 集成电路 汽车电子
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基于长短期记忆网络的Vienna整流器故障预测 被引量：1
7
作者 王福忠 乔珊珊 田广强 《河南理工大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第3期111-117,共7页
为了掌握Vienna整流器的健康状态,提出基于长短期记忆(LSTM)网络的Vienna整流器故障预测模型。通过对电容和功率MOSFET的退化与故障特征分析,建立Vienna整流器整体电路性能和关键元器件退化之间的关系,选择输出电压变化值ω为整流器的... 为了掌握Vienna整流器的健康状态,提出基于长短期记忆(LSTM)网络的Vienna整流器故障预测模型。通过对电容和功率MOSFET的退化与故障特征分析,建立Vienna整流器整体电路性能和关键元器件退化之间的关系,选择输出电压变化值ω为整流器的故障特征参数。在此基础上,构建基于LSTM的Vienna整流器故障预测模型,采用Adam优化算法训练预测模型,实现对Vienna整流器故障特征参数的预测。仿真结果表明,该模型预测结果的均方根误差为0.1233,平均绝对百分误差为0.1018,该模型的预测精度较高,能够较好地实现Vienna整流器的故障预测。 展开更多
关键词 VIENNA整流器 长短期记忆网络 元器件退化 故障预测
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突出块形连接应力对按比例缩小MOS—FET中器件退化的影响
8
《电子产品可靠性与环境试验》 2001年第6期47-47,共1页
关键词 MOSFET 器件退化 突出块形连接 应力对按比例缩小
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