高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器 被引量：5

1

作者 游达 汤英文 +3 位作者 赵德刚 许金通 徐运华 龚海梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期896-899,共4页

研究了Al0.1-Ga0.9N／GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能,P区采用Al组分含量为0．1的AlGaN外延材料形成窗口层，使340-365nm波段的紫外光可以直接透过P区到达i区并被吸收，有效提高了这个波段的响应率与量子效率,并且研... 研究了Al0.1-Ga0.9N／GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能,P区采用Al组分含量为0．1的AlGaN外延材料形成窗口层，使340-365nm波段的紫外光可以直接透过P区到达i区并被吸收，有效提高了这个波段的响应率与量子效率,并且研究了不同P区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响，制备了两种不同P区厚度（0．1μm和0．15μm）的器件，测试结果表明，P区的厚度对200-340nm波段光吸收的量子效率影响较大，而i区的晶体质量的提高可以有效提高340-365nm波段光吸收的量子效率,并且当P区AlGaN厚度为0．15μm时，器件的峰值响应率达到0．214A／W，在考虑表面反射时外量子效率高达85．6％，接近理论极限，并且在零偏压时暗电流密度为3．16nA／cm^2,表明器件具有非常高的信噪比。 展开更多

关键词 P-I-N AlGaN量子效率 响应光谱 紫外探测器

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1MeV电子辐照对碲镉汞中波光导器件的影响 被引量：7

2

作者 乔辉 贾嘉 +2 位作者 陈新禹 李向阳 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期172-175,共4页

研究了 1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响 .通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等性能参数 ,结果发现经过电子辐照 ,器件的峰值和截止波长在辐照后向短波方向移动 .在辐照剂量大于 10 15... 研究了 1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响 .通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等性能参数 ,结果发现经过电子辐照 ,器件的峰值和截止波长在辐照后向短波方向移动 .在辐照剂量大于 10 15/cm2 时 ,器件的室温电阻和响应率明显下降 . 展开更多

关键词 碲镉汞 光导型探测器 电子辐照 辐照效应 电流响应率 响应光谱

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高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能 被引量：7

3

作者 陈亮 张燕 +3 位作者 陈俊 郭丽伟 李向阳 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第6期928-931,共4页

研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝石,缓冲层为AlN,n型层采用厚度为0.8μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层,i型层为0... 研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝石,缓冲层为AlN,n型层采用厚度为0.8μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GaN,p型层为0.15μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面,光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段,响应区域为310～365 nm,在360 nm处响应率最大,为0.21 A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到82%;优质因子R0A为2.00×108Ω.cm2,对应的探测率D=2.31×1013 cm.Hz1/2.W-1;且零偏压下的暗电流为5.20×10-13 A。 展开更多

关键词 GaN/AIGaN P-I-N 紫外探测器 响应光谱

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红外成像系统响应光谱非均匀性的理论分析 被引量：7

4

作者 于海涛 马金鹏 +2 位作者 范芸 李科 张春熹 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第2期75-81,共7页

基于黑体标定的非均匀性校正方法在凝视红外成像系统中被广泛应用,但在面对天空背景成像或者高速飞行器上透过高温光学窗口观察常温目标两种情况下,出现了黑体标定不适用的现象。为此通过分析红外成像系统的响应特性,提出了响应光谱非... 基于黑体标定的非均匀性校正方法在凝视红外成像系统中被广泛应用,但在面对天空背景成像或者高速飞行器上透过高温光学窗口观察常温目标两种情况下,出现了黑体标定不适用的现象。为此通过分析红外成像系统的响应特性,提出了响应光谱非均匀性的概念,指出了黑体标定法具有场景光谱分布依赖的特征。同时,分析了响应光谱非均匀性产生的原理,包括内外两方面原因。内在因素是红外探测器不同像元的量子效率随光谱变化存在差异,外在因素是应用场景的辐射光谱分布与黑体相差较大。在此基础上,给出了解决响应光谱非均匀性的建议。 展开更多

关键词 红外成像 非均匀性 响应光谱

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空穴在动量空间分布对p型量子阱红外探测器响应光谱的影响 被引量：6

5

作者 周旭昌 陈效双 +1 位作者 甄红楼 陆卫 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期4247-4252,共6页

通过对p型量子阱红外探测器(QWIP)的自洽计算,得到了量子阱价带的电子结构和器件的光电流谱,并研究了载流子在动量空间分布对p型QWIP光谱响应的影响.计算结果表明,在动量空间不同区域的空穴对器件的光谱响应起着不同作用,从而使得在p型Q... 通过对p型量子阱红外探测器(QWIP)的自洽计算,得到了量子阱价带的电子结构和器件的光电流谱,并研究了载流子在动量空间分布对p型QWIP光谱响应的影响.计算结果表明,在动量空间不同区域的空穴对器件的光谱响应起着不同作用,从而使得在p型QWIP中,空穴浓度和温度都将影响器件的响应光谱.所得结果合理地解释了实验中器件响应光谱随掺杂浓度和温度的变化. 展开更多

关键词 p型量子阱红外探测器 响应光谱 空穴浓度 温度

原文传递

中波-长波双色量子阱红外探测器 被引量：5

6

作者 赵永林 李献杰 +5 位作者 刘英斌 齐利芳 过帆 蔡道民 尹顺政 刘跳 《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期689-693,共5页

采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽... 采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽度2μm;对制作的500μm×500μm大面积双色QWIP单元器件暗电流、响应光谱、探测率进行了测试和分析。在-3V偏压、77K温度和300K背景温度下长波(LWIR)和中波(MWIR)QWIP的暗电流密度分别为0.6、0.02mA/cm2;-3V偏压、80K温度下MWIR和LWIR QWIP的响应光谱峰值波长分别为5.2、7.8μm;在2V偏压、65K温度下,LWIR和MWIR QWIP的峰值探测率分别为1.4×1011、6×1010cm.Hz1/2/W。 展开更多

关键词 量子阱红外探测器 双色 暗电流密度 响应光谱 探测率 二维光栅

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HgCdTe薄膜材料组分分布对器件响应光谱的影响 被引量：6

7

作者 崔宝双 魏彦锋 +1 位作者 孙权志 杨建荣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期225-230,共6页

研究了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布对探测器响应光谱的影响.提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的模型,模型中综合考虑了薄膜的实际组分分布以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输.计算结果表明,在探测器的光吸收区,HgC... 研究了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布对探测器响应光谱的影响.提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的模型,模型中综合考虑了薄膜的实际组分分布以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输.计算结果表明,在探测器的光吸收区,HgCdTe液相外延薄膜的组分梯度及其产生的内建电场可以显著地提高器件的响应率.通过与实验数据进行比较,验证了模型的适用性. 展开更多

关键词 HGCDTE红外探测器 纵向组分分布 响应光谱 光传输模型

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InGaN紫外探测器的制备与性能研究 被引量：5

8

作者 卢怡丹 王立伟 +1 位作者 张燕 李向阳 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期785-788,共4页

介绍了InGaN紫外探测器的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长GaN外延材料,通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极等工艺,制作了正照射单元In0.09Ga0.91N紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱... 介绍了InGaN紫外探测器的研制过程,并给出了器件的性能。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长GaN外延材料,通过刻蚀、钝化、欧姆接触电极等工艺,制作了正照射单元In0.09Ga0.91N紫外探测芯片。并对该芯片进行了I-V特性、响应光谱等测试,得到芯片的暗电流Id为1.00×10-12 A,零偏压电阻R0为1.20×109Ω。该紫外探测器在360～390nm范围内有较高的响应度,峰值响应率在378nm波长处达到0.15A/W,在考虑表面反射时,内量子效率达到60%;优质因子R0A为3.4×106Ω·cm2,对应的探测率D＊=2.18×1012 cm·Hz1/2·W-1。 展开更多

关键词 GaN/InGaN P-I-N 紫外探测器 伏安特性 响应光谱

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甚长波宽波段（6.4-15μm）红外探测器响应光谱特性的测量 被引量：3

9

作者 贺香荣 张亚妮 汪洋 《光学与光电技术》 2014年第2期79-82,共4页

使用傅里叶变换光谱仪（FTIR）测试甚长波宽波段（6．4～15μm）红外探测器响应光谱的过程中，发现短波方向响应光谱异常。通过分步测试分析发现：探测器和放大器工作在非线性工作区导致某些情况下仪器信号发生饱和，引起了短波方向响... 使用傅里叶变换光谱仪（FTIR）测试甚长波宽波段（6．4～15μm）红外探测器响应光谱的过程中，发现短波方向响应光谱异常。通过分步测试分析发现：探测器和放大器工作在非线性工作区导致某些情况下仪器信号发生饱和，引起了短波方向响应光谱畸变的现象。对FTIR测量甚长波宽波段（6．4～15μm）红外探测器响应光谱的畸变现象进行了分析，认为探测器的响应时间是影响其响应光谱的重要因素，并通过试验确定了测试系统对不同探测器所设置的测试参数，消除了响应光谱畸变的现象，并提高了测试准确度。 展开更多

关键词 傅里叶变换光谱仪 甚长波宽波段红外探测器 探测器饱和 响应光谱 响应时间

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FTIR测量的量子型光电探测器响应光谱校正 被引量：4

10

作者 张永刚 周立 +5 位作者 顾溢 马英杰 陈星佑 邵秀梅 龚海梅 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期737-743,共7页

针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对... 针对采用FTIR方法测量量子型光电探测器的光电流谱并据此校正获得器件的实际响应光谱问题,提出了两种简便可行的校正方案,即计算仪器函数校正方案和标准探测器传递校正方案;对其可行性、限制因素及注意事项进行了详细讨论.用两种方案对多种短波红外InGaAs光电探测器进行了测量校正,获得了与实际符合的响应光谱.为验证方案的适用性,还与采用经精确标定的光栅分光测量系统测得的结果进行了比对,确认了其适用性.结果表明,采用FTIR测量方法并结合适当的校正方案可以获得符合实际的响应光谱. 展开更多

关键词 响应光谱 校正 光电探测器 量子型 傅里叶变换红外

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ITO/HgInTe肖特基的光电特性 被引量：4

11

作者 张小雷 孙维国 +4 位作者 鲁正雄 张亮 赵岚 孟超 丁嘉欣 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第4期594-597,共4页

碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率。为了克服形成肖特基后漏电流过大的影响,运用等离子增强化学气相沉积在碲铟汞表面形成氧化层。运用直流平面... 碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。在表面运用透明电极可以得到很高的量子效率。为了克服形成肖特基后漏电流过大的影响,运用等离子增强化学气相沉积在碲铟汞表面形成氧化层。运用直流平面磁控溅射技术和热电子蒸发技术分别在单晶HgInTe表面形成了ITO(SnO2+In2O3)/HgInTe和In/HgInTe接触,利用I-V测试仪对其I-V特性进行测量,运用能带结构和异质结理论对测量的I-V结果进行了描述,测量结果符合热电子发射理论。结果表明:ITO/HgInTe形成具有整流特性的肖特基接触,通过计算得到了ITO/HgInTe的肖特基势垒高度为0.506eV,理想因子n为3.2,串联电阻Rs为2600Ω;In/HgInTe形成欧姆接触。并且发现了在波长1.55μm处有很好的响应光谱,同时室温下峰值探测率D*λ达到了1011cm·Hz1/2·W-1。 展开更多

关键词 HgInTe ITO 肖特基接触 欧姆接触 响应光谱

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Pt/HgInTe肖特基红外探测器的抗辐照特性 被引量：4

12

作者 张小雷 孙维国 +3 位作者 鲁正雄 张亮 赵岚 丁嘉欣 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2009年第3期406-409,共4页

碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究γ辐照对碲铟汞肖特基红外探测器的影响,首先运用直流平面磁控溅射技术在单晶HgInTe表面形成了Pt/Hg3In2Te6接触,然后对HgInTe晶片及其制作的Pt/Hg... 碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究γ辐照对碲铟汞肖特基红外探测器的影响,首先运用直流平面磁控溅射技术在单晶HgInTe表面形成了Pt/Hg3In2Te6接触,然后对HgInTe晶片及其制作的Pt/HgInTe肖特基器件用不同剂量的γ射线进行辐照,利用I-V测试仪对其辐照前后的I-V特性进行测量,得到了辐照前后的反向漏电流,利用傅里叶红外光谱仪对辐照前后的响应光谱进行了对比,发现在短波方向响应光谱随辐照剂量的增大明显下降,但辐照剂量对于峰值波长的位置和截止波长的位置基本上没有明显影响,同时对辐照前后器件的探测率进行了对比,发现探测率随着辐照剂量的增大有所下降,但下降幅度和器件本身性能有关。最后对γ辐照引起探测器性能变化的辐照损伤机制进行了探讨,认为HgInTe在辐照剂量达到1×108rad(Si)时,其性能也没有数量级的变化,具有很好的抗辐照特性。 展开更多

关键词 Γ射线辐照 Hg3In2Te6 肖特基接触 响应光谱 归一化探测率

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Pt/Hg_3In_2Te_6接触的温度特性研究 被引量：2

13

作者 张小雷 孙维国 +3 位作者 鲁正雄 张亮 赵岚 丁嘉欣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期888-892,共5页

运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极，形成Pt／Hg3In2Te6接触，采用I-V测试仪在120260K温度范围内对其I-V特性进行测量。根据热电子发射模型，计算得到了Pt／Hg3In2Te6的肖特基势垒高度。结果表明：Pt／Hg3In2... 运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极，形成Pt／Hg3In2Te6接触，采用I-V测试仪在120260K温度范围内对其I-V特性进行测量。根据热电子发射模型，计算得到了Pt／Hg3In2Te6的肖特基势垒高度。结果表明：Pt／Hg3In2Te6形成具有整流特性的肖特基接触，肖特基势垒高度为0，46eV。在120—260K温度范围内，理想因子随温度增大逐渐从2．93减小至1．42。将Hg3In2Te6单晶制成红外探测器，发现了响应光谱在波长1．55μm处峰值达到最大，在室温下峰值探测率D＋达到了10^11cm·Hz^1/2·W-1。 展开更多

关键词 Hg3In2Te6 肖特基接触 理想因子 响应光谱

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液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性对器件响应光谱的影响 被引量：2

14

作者 崔宝双 魏彦锋 +1 位作者 孙权志 杨建荣 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第4期845-849,共5页

研究了HgCdTe液相外延薄膜的组分均匀性对器件响应光谱的影响。提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的方法,考虑了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布和横向组分波动,以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输。使用该方法计算了响... 研究了HgCdTe液相外延薄膜的组分均匀性对器件响应光谱的影响。提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的方法,考虑了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布和横向组分波动,以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输。使用该方法计算了响应光谱的峰值响应率和截止波长随着液相外延HgCdTe的互扩散区厚度△z和组分均方差σ的变化规律。结果表明:对于一般的HgCdTe外延薄膜,σ小于0.002,不需要考虑横向组分波动的影响。同时计算了峰值响应率和黑体响应率随着液相外延HgCdTe的总厚度的变化规律,可以得到最佳的吸收区厚度。 展开更多

关键词 HgCdTe液相外延薄膜 响应光谱 纵向组分分布 横向组分波动

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抑制甚长波红外传感器光谱响应非线性效应的研究

15

作者 孔令才 章莲妹 +2 位作者 龚伟 曹光明 龚海梅 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2005年第B03期76-79,共4页

甚长波红外传感器响应光谱测量的过程中，探测器以及前置放大器均工作于线性工作区是必要的，否则由傅里叶变换光谱仪(FTIR)测得的响应光谱，在某些情况下仪器信号会发生饱和，从而引起响应光谱畸变，直接影响测试结果以及后续的分析工... 甚长波红外传感器响应光谱测量的过程中，探测器以及前置放大器均工作于线性工作区是必要的，否则由傅里叶变换光谱仪(FTIR)测得的响应光谱，在某些情况下仪器信号会发生饱和，从而引起响应光谱畸变，直接影响测试结果以及后续的分析工作。文中对利用FTIR测量光电探测器响应光谱时，光谱仪信号的饱和问题进行研究，改进了常规测试方法，提高了测试准确度。 展开更多

关键词 傅里叶光谱仪 探测器饱和 前置放大器 响应光谱

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电流冲击对长波光导MCT探测器的影响

16

作者 刘大福 吴礼刚 +3 位作者 徐国森 章连妹 靳秀芳 龚海梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期314-317,共4页

对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示:短时间(42mA,70h)的电流冲击对探测... 对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示:短时间(42mA,70h)的电流冲击对探测器性能影响不大,探测器组分减小,截止波长变长;冲击时间长到(42mA,100h)一定程度后,探测器性能有不同程度的下降,组分变大,截止波长变短.这是因为电流产生的热效应加强了Hg扩散效应,从而使器件截止波长发生变化. 展开更多

关键词 电流冲击 MCT 光导探测器 响应光谱 少子寿命

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正、背照射日盲型肖特基探测器

17

作者 储开慧 许金通 李向阳 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2010年第6期1085-1087,共3页

在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法生长的i-Al0.45Ga0.55N/n-Al0.65Ga0.35N/AlN材料结构上,成功研制了零偏暗电流为10-13量级、峰值响应为0.02～0.03 AW-1的日盲型肖特基紫外探测器。对探测器正照射和背照射时的光谱特性的研究表明:正... 在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法生长的i-Al0.45Ga0.55N/n-Al0.65Ga0.35N/AlN材料结构上,成功研制了零偏暗电流为10-13量级、峰值响应为0.02～0.03 AW-1的日盲型肖特基紫外探测器。对探测器正照射和背照射时的光谱特性的研究表明:正、背照射时器件的峰值响应大小变化不大;在短波方向,正照射时的器件由于界面层的存在,在峰值响应稍有回落后平滑响应,而背照射时的器件由于n层组分调制响应迅速下滑;在长波方向,正照射时器件在截止波长后的响应较大。 展开更多

关键词 肖特基探测器 日盲型 响应光谱

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石墨烯-GaN肖特基紫外探测器

18

作者 许坤 徐晨 +1 位作者 郭旺 解意洋 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第1期30-35,共6页

报道了使用石墨烯作为阳极材料的GaN肖特基型紫外探测器。介绍了光敏面为1mm×1mm的新型肖特基紫外探测器的制备过程。并对器件进行了响应光谱、I-V特性测试。器件的响应光谱较为平坦,峰值响应度为0.175A/W;通过对石墨烯进行化学修... 报道了使用石墨烯作为阳极材料的GaN肖特基型紫外探测器。介绍了光敏面为1mm×1mm的新型肖特基紫外探测器的制备过程。并对器件进行了响应光谱、I-V特性测试。器件的响应光谱较为平坦,峰值响应度为0.175A/W;通过对石墨烯进行化学修饰,使峰值响应度增加到0.23A/W。并根据热电子发射理论,计算出了器件掺杂前后的肖特基势垒高度分别为0.477eV和0.882eV,验证了器件性能的提高主要原因是石墨烯功函数的增加。 展开更多

关键词 GAN 肖特基 紫外探测器 石墨烯 响应光谱

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红外-近红外波长变换器件p-QWIP-LED研究 被引量：7

19

作者 甄红楼 熊大元 +3 位作者 周旭昌 李宁 邵军 陆卫 《中国科学（G辑）》 CSCD 2006年第3期327-336,共10页

报道了一种基于p型量子阱红外探测器(QWIP)和发光二极管(LED)的新型量子阱红外探测器．该器件作为一种p型量子阱红外探测器(QWIP)和发光二极管(LED)的有效集成器件,可以将QWIP探测的长波红外信号经光电转换过程后变成LED在近红外的发光... 报道了一种基于p型量子阱红外探测器(QWIP)和发光二极管(LED)的新型量子阱红外探测器．该器件作为一种p型量子阱红外探测器(QWIP)和发光二极管(LED)的有效集成器件,可以将QWIP探测的长波红外信号经光电转换过程后变成LED在近红外的发光．通过电学直接读出方式和近红外(0．87μm)光强度变化读出方式,从实验上测量了器件的红外响应光谱,设计与制备的器件实现了从长波红外(7．5μm)向近红外(0．87μm)的波长变化．研究结果表明这种红外-近红外波长变换途径有可能导致红外焦平面技术体制的变化． 展开更多

关键词 p-QWIP-LED 上转换器件 红外响应光谱 发光光谱 频率响应

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具有组分梯度的HgCdTe探测器光电特性 被引量：1

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作者 徐国庆 王仍 +7 位作者 陈心恬 储开慧 汤亦聃 贾嘉 王妮丽 杨晓阳 张燕 李向阳 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第3期285-291,共7页

PN结分别制备在HgCdTe外延薄膜材料的Cd组分非线性分布区和线性分布区的高组分端,研究了具有组分梯度的HgCdTe探测器的光电特性。计算不同温度下组分梯度产生的内建电场,结果显示Cd组分线性分布产生的内建电场在100~200 V/cm,而Cd组分... PN结分别制备在HgCdTe外延薄膜材料的Cd组分非线性分布区和线性分布区的高组分端,研究了具有组分梯度的HgCdTe探测器的光电特性。计算不同温度下组分梯度产生的内建电场,结果显示Cd组分线性分布产生的内建电场在100~200 V/cm,而Cd组分非线性分布使得样品表面薄层的内建电场高达2 000 V/cm,推测组分梯度产生的内建电场对光生少子运动的影响是引起两个样品光电性能差异的主要原因。通过分析样品响应率随温度的三种不同变化趋势,提出利用温度调控组分梯度产生的内建电场,有利于降低空间电荷效应,为大注入下提高HgCdTe探测器的饱和阈值提供了一种新的设计思路。 展开更多

关键词 组分梯度 内建电场 HgCdTe外延薄膜材料 归一化响应光谱 响应率

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