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基于周期性电极的窄条单纵模674 nm半导体激光器 被引量：1
1
作者 单肖宁 张晶 +2 位作者 韩金樑 张万里 单肖楠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1428-1433,共6页
报道了中心波长在674 nm的周期性电极窄条形单纵模半导体激光器。其制作工艺简单,仅使用i线光刻技术和普通的刻蚀技术制作的周期性沟槽与周期性电极结构即保证了器件工作在增益耦合机制下,进而实现单纵模激光输出。当注入电流为85 mA、... 报道了中心波长在674 nm的周期性电极窄条形单纵模半导体激光器。其制作工艺简单,仅使用i线光刻技术和普通的刻蚀技术制作的周期性沟槽与周期性电极结构即保证了器件工作在增益耦合机制下,进而实现单纵模激光输出。当注入电流为85 mA、测试温度18℃时,激光器的输出功率为2.603 mW。当注入电流为60 mA时,在不同测试温度下,器件均保持单纵模工作。当室温为16℃时,测得器件的光谱线宽可达到2.42 pm,边模抑制比为47 dB。由于该器件制作成本低,性能优良,可广泛应用于实际生产中。 展开更多
关键词 周期性电极 单纵模激光 半导体激光器
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