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电子束曲面直写的Monte Carlo仿真与实验
被引量：
1
1
作者
解孟涛
刘俊标
+2 位作者
王鹏飞
张雨露
韩立
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第18期2232-2240,共9页
电子束直写技术具有分辨率高、操作简单等优势,是制备微纳米曲面器件的一种理想工具。光刻胶的吸收能量沉积密度分布直接决定了直写后图形的精度和分辨率,由于曲面直写时吸收能量沉积密度分布非对称,因而现有的平面直写工艺不再适用于...
电子束直写技术具有分辨率高、操作简单等优势,是制备微纳米曲面器件的一种理想工具。光刻胶的吸收能量沉积密度分布直接决定了直写后图形的精度和分辨率,由于曲面直写时吸收能量沉积密度分布非对称,因而现有的平面直写工艺不再适用于曲面直写。本文采用基于立方体计算微元的Monte Carlo方法计算不同直写参数变化下的吸收能量沉积密度分布。仿真结果表明:随着入射能量或入射角度的增加,直写点的椭圆度也在增加;而减小束斑和薄胶层可以提升曲面直写的分辨率。实验结果表明:在其他参数不变下,以入射能量(5、10、15 keV)和入射角度(5°、10°、15°)进行单一变量实验,直写点的长宽比分别为1.458、2.323、2.924和1.014、1.113、1.173。可以看出,入射能量对椭圆度地增加更为明显。实验与仿真有了较好地验证,本文结果为曲面直写工艺参数选择提供理论依据。
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关键词
电子束直写
Monte
Carlo模拟
吸收
能量
沉积
密度
散射截面
曲面器件
下载PDF
职称材料
题名
电子束曲面直写的Monte Carlo仿真与实验
被引量：
1
1
作者
解孟涛
刘俊标
王鹏飞
张雨露
韩立
机构
中国科学院电工研究所
中国科学院大学
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第18期2232-2240,共9页
基金
中国科学院科研仪器设备研制项目(No.GJJSTD20200003)
广东省重点领域研发计划项目(No.2020B0101320002)。
文摘
电子束直写技术具有分辨率高、操作简单等优势,是制备微纳米曲面器件的一种理想工具。光刻胶的吸收能量沉积密度分布直接决定了直写后图形的精度和分辨率,由于曲面直写时吸收能量沉积密度分布非对称,因而现有的平面直写工艺不再适用于曲面直写。本文采用基于立方体计算微元的Monte Carlo方法计算不同直写参数变化下的吸收能量沉积密度分布。仿真结果表明:随着入射能量或入射角度的增加,直写点的椭圆度也在增加;而减小束斑和薄胶层可以提升曲面直写的分辨率。实验结果表明:在其他参数不变下,以入射能量(5、10、15 keV)和入射角度(5°、10°、15°)进行单一变量实验,直写点的长宽比分别为1.458、2.323、2.924和1.014、1.113、1.173。可以看出,入射能量对椭圆度地增加更为明显。实验与仿真有了较好地验证,本文结果为曲面直写工艺参数选择提供理论依据。
关键词
电子束直写
Monte
Carlo模拟
吸收
能量
沉积
密度
散射截面
曲面器件
Keywords
electron beam direct writing
Monte Carlo simulation
absorption energy deposition density
scattering cross section
curved-surface electronics
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子束曲面直写的Monte Carlo仿真与实验
解孟涛
刘俊标
王鹏飞
张雨露
韩立
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
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