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正交设计和均匀设计用于硒-金膜修饰电极制备条件的选择
被引量：
2
1
作者
白燕
李蕊
+2 位作者
程涛
郑文杰
孟建新
《分析试验室》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期9-12,共4页
硒代胱氨酸在硒 金(Se Au)膜修饰玻碳电极上产生两个灵敏的氧化还原峰:峰II(-500mV左右)和峰III(-327mV左右),以峰II的峰电流作为评价指标,采用正交设计与均匀设计相结合的方法对Se Au膜修饰电极的制备条件进行优化得到最佳优化条件:底...
硒代胱氨酸在硒 金(Se Au)膜修饰玻碳电极上产生两个灵敏的氧化还原峰:峰II(-500mV左右)和峰III(-327mV左右),以峰II的峰电流作为评价指标,采用正交设计与均匀设计相结合的方法对Se Au膜修饰电极的制备条件进行优化得到最佳优化条件:底液0.1mol LKCl;沉积电位为-850mV;沉积时间为60s;SeO2浓度为8.3×10-3mol L;AuCl3浓度为8.9×10-4mol L。均匀设计的数据应用Matlab计算机软件处理。依此制备的Se Au膜修饰电极性能稳定,用于硒代胱氨酸伏安特性研究有良好的重现性。
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关键词
硒
-金膜修饰玻碳电极
制备条件
正交设计
均匀设计
硒
代胱
氨酸
生物体
含
硒
基
氨酸
下载PDF
职称材料
题名
正交设计和均匀设计用于硒-金膜修饰电极制备条件的选择
被引量：
2
1
作者
白燕
李蕊
程涛
郑文杰
孟建新
机构
暨南大学化学系
出处
《分析试验室》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期9-12,共4页
基金
广东省自然科学基金资助项目(970630)
国家基金 硒杂环化合物及其自组装膜的研究(20271022)
文摘
硒代胱氨酸在硒 金(Se Au)膜修饰玻碳电极上产生两个灵敏的氧化还原峰:峰II(-500mV左右)和峰III(-327mV左右),以峰II的峰电流作为评价指标,采用正交设计与均匀设计相结合的方法对Se Au膜修饰电极的制备条件进行优化得到最佳优化条件:底液0.1mol LKCl;沉积电位为-850mV;沉积时间为60s;SeO2浓度为8.3×10-3mol L;AuCl3浓度为8.9×10-4mol L。均匀设计的数据应用Matlab计算机软件处理。依此制备的Se Au膜修饰电极性能稳定,用于硒代胱氨酸伏安特性研究有良好的重现性。
关键词
硒
-金膜修饰玻碳电极
制备条件
正交设计
均匀设计
硒
代胱
氨酸
生物体
含
硒
基
氨酸
Keywords
Orthogonal design
Uniform design
Se-Au film modified electrodes
Matalab software
Selenocystine
分类号
Q517 [生物学—生物化学]
O657.1 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
正交设计和均匀设计用于硒-金膜修饰电极制备条件的选择
白燕
李蕊
程涛
郑文杰
孟建新
《分析试验室》
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
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职称材料
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