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Contribution of Disclination Lines to Free Energy of Liquid Crystals in Single-Elastic Constant Approximation 被引量:1
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作者 YANGGuo-Hong WANGYu-Sheng DUANYi-Shi 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2004年第2X期185-188,共4页
In the light of φ-mapping method and topological current theory, the contribution of disclination lines to free energy density of liquid crystals is studied in the single-elastic constant approximation. It is pointed... In the light of φ-mapping method and topological current theory, the contribution of disclination lines to free energy density of liquid crystals is studied in the single-elastic constant approximation. It is pointed out that the total free energy density can be divided into two parts. One is the usual distorted energy density of director field around the disclination lines. The other is the free energy density of disclination lines themselves, which is shown to be centralized at the disclination lines and to be topologically quantized in the unit of kπ /2. The topological quantum numbers are determined by the Hopf indices and Brouwer degrees of the director field at the disclination lines, i.e. the disclination strengths. From the Lagrange's method of multipliers, the equilibrium equation and the molecular field of liquid crystals are also obtained. The physical meaning of the Lagrangian multiplier is just the distorted energy density. 展开更多
关键词 线 自由能 液晶 单弹性常数近似 拉格朗日多项式
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向列相液晶中向错线和向错点自由能的计算 被引量:2
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作者 王玉生 宋纳红 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期261-265,共5页
利用映射方法得出了计算向错线自由能公式和向错强度为m=±1的向错点自由能公式,从而弥补了挖掉奇异区域来估算自由能的不足。研究结果表明,液晶在有向错线的结构中指向矢场更多地出现正的向错强度状态。随着k24的增大,m=+1的向... 利用映射方法得出了计算向错线自由能公式和向错强度为m=±1的向错点自由能公式,从而弥补了挖掉奇异区域来估算自由能的不足。研究结果表明,液晶在有向错线的结构中指向矢场更多地出现正的向错强度状态。随着k24的增大,m=+1的向错点的自由能将降低,而m=-1的向错点的自由能将增大。 展开更多
关键词 线 自由能
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单一弹性常数近似下向错线对液晶自由能的影响
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作者 王玉生 杨国宏 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第2期92-98,共7页
在单一弹性常数近似下 ,利用映射方法和拓扑流理论研究了液晶中向错线对自由能密度的影响。指出自由能密度可以分为两部分 ,一部分是通常的液晶指向矢场在向错线周围的畸变能密度 ;另一部分是向错线自身的自由能密度 ,当指向矢场的Jac... 在单一弹性常数近似下 ,利用映射方法和拓扑流理论研究了液晶中向错线对自由能密度的影响。指出自由能密度可以分为两部分 ,一部分是通常的液晶指向矢场在向错线周围的畸变能密度 ;另一部分是向错线自身的自由能密度 ,当指向矢场的Jacobian行列式在指向矢场的奇点处不等于零时 ,它是集中在向错线上并以 12 kπ为单位拓扑量子化的 ,拓扑量子数由指向矢场在向错线处的Hopf指数和Brouwer度 (即向错强度 )决定。当Jacobian行列式等于零时 ,利用拓扑流分歧理论详细研究了在指向矢场的极限点和分岔点处向错线自身的自由能密度的产生、湮灭和分歧过程 ,最后得出 ,具有高的拓扑量子数的向错线是不稳定的 。 展开更多
关键词 单一弹性常数 线 液晶 自由能密度 分歧 Hopf指数 BROUWER度 畸变能密度
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光学材料 光学晶体、液晶
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《中国光学》 CAS 2005年第1期88-90,共3页
O734 2005010670 二维介质圆柱型光子晶体完全禁带与结构参数的关系= Study on relation between structure parameters and comptete bandgap of two dimensional dielectric-column photonic crystals[刊,中]/张晓玉(中科院光电技术... O734 2005010670 二维介质圆柱型光子晶体完全禁带与结构参数的关系= Study on relation between structure parameters and comptete bandgap of two dimensional dielectric-column photonic crystals[刊,中]/张晓玉(中科院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室。四川,成都(610209)),姚汉民…∥光电子·激光.-2004,15(7).-835-838 利用Bandsolve软件分别优化计算得到GaAs、Si、Ge 展开更多
关键词 液晶性 光子晶体 完全禁带 衍射效率 国家重点实验室 异性介质 布喇格衍射 线 介质圆柱 载流子传输材料
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近晶C相液晶中向错线对自由能的影响
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作者 吕健 宋纳红 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期50-52,共3页
利用映射方法计算了近晶相液晶中向错线对自由能的影响.得出向错线自身的自由能是以kπ为单位拓扑量子化的,从而弥补了挖掉奇异区域来估算向错线自由能的不足.研究结果表明,向错强度相同的两条向错线由于排斥最终将达到一个平衡状态,... 利用映射方法计算了近晶相液晶中向错线对自由能的影响.得出向错线自身的自由能是以kπ为单位拓扑量子化的,从而弥补了挖掉奇异区域来估算向错线自由能的不足.研究结果表明,向错强度相同的两条向错线由于排斥最终将达到一个平衡状态,向错强度相反的两条向错线由于吸引可能彼此湮灭. 展开更多
关键词 C指 线 自由能
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