ZnO@SiO_2同轴纳米电缆的静电纺丝技术制备与表征 被引量：7

1

作者 王进贤 张贺 +1 位作者 董相廷 刘桂霞 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第1期29-34,共6页

采用同轴静电纺丝技术，以硝酸锌、正硅酸乙酯（C8H20O4Si）、无水乙醇、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和N，N-Z-甲基甲酰胺（DMF）为原料，成功制备出大量的ZnO@SiO2同轴纳米电缆。用TG—DTA，XRD，SEM，TEM，FTIR等分析技术对样品进行了表征... 采用同轴静电纺丝技术，以硝酸锌、正硅酸乙酯（C8H20O4Si）、无水乙醇、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和N，N-Z-甲基甲酰胺（DMF）为原料，成功制备出大量的ZnO@SiO2同轴纳米电缆。用TG—DTA，XRD，SEM，TEM，FTIR等分析技术对样品进行了表征。结果表明，得到的ZnO@SiO2同轴纳米电缆的壳层为无定型SiO2，厚度为50nm，芯轴为晶态ZnO，电缆直径为300-450nm，长度大于300μm。探讨了ZnO@SiO2同轴纳米电缆的形成机理。 展开更多

关键词 同轴静电纺丝技术 同轴纳米电缆 纳米电缆 氧化锌 二氧化硅

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SiC纳米材料制备及应用 被引量：5

2

作者 王晓刚 刘永胜 李晓池 《西安科技学院学报》 北大核心 2002年第4期440-443,447,共5页

综述了近年来在高新技术领域发展起来的SiC纳米粉体、SiC纳米晶须、SiC同轴纳米电缆的制备方法及其应用,并对一些新型的制备方法进行了重点介绍。指出,目前SiC纳米材料制备方法虽然多样,但都规模小,成本高,还难以实现大规模生产;SiC纳... 综述了近年来在高新技术领域发展起来的SiC纳米粉体、SiC纳米晶须、SiC同轴纳米电缆的制备方法及其应用,并对一些新型的制备方法进行了重点介绍。指出,目前SiC纳米材料制备方法虽然多样,但都规模小,成本高,还难以实现大规模生产;SiC纳米材料性能优于传统的SiC材料,能够达到高新技术领域的严格要求,具有更为广泛的用途。 展开更多

关键词 SIC 纳米材料 制备方法 碳化硅 纳米粉体 纳米晶须 同轴纳米电缆

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准一维纳米材料家族的新成员──同轴纳米电缆 被引量：6

3

作者 张立德 《中国科学院院刊》 1999年第5期350-352,共3页

由于同轴纳米电缆具有独特的性能，丰富的科学内涵，广泛的应用前景，以及在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位，已引起人们的极大兴趣。文章评述了该领域的研究历史、现状、发展趋势和应用前景，并对我国如何进一步开展同轴纳米电... 由于同轴纳米电缆具有独特的性能，丰富的科学内涵，广泛的应用前景，以及在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位，已引起人们的极大兴趣。文章评述了该领域的研究历史、现状、发展趋势和应用前景，并对我国如何进一步开展同轴纳米电缆研究提出了具体建议。 展开更多

关键词 纳米材料 同轴纳米电缆 电缆 纳米线

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同轴纳米电缆的最新研究进展 被引量：5

4

作者 张双虎 徐淑芝 +1 位作者 董相廷 王进贤 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1117-1123,共7页

阐述了同轴纳米电缆的制备方法,其中主要包括水热法、溶胶-凝胶法、基于纳米线法、模板法、气相生长法、同轴静电纺丝法等,重点介绍了同轴静电纺丝法制备同轴纳米电缆,并对未来同轴纳米电缆的应用及研究方向进行了简单介绍和展望。

关键词 纳米电缆 同轴纳米电缆 同轴静电纺丝法 静电纺丝法 气相沉积

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模板法组装尼龙-66/铂同轴纳米电缆的研究 被引量：2

5

作者 佘希林 宋国君 +1 位作者 李建江 彭智 《现代化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期37-38,40,共3页

采用简单的溶液浸润多孔氧化铝模板的方法制备了PA66的纳米管,再以这种含有PA66纳米管的模板作为“二次模板”,通过电化学沉积技术,在聚合物纳米管内部沉积金属铂纳米线,制得了PA66/铂同轴纳米电缆。用SEM和TEM等测试手段对所制备的聚... 采用简单的溶液浸润多孔氧化铝模板的方法制备了PA66的纳米管,再以这种含有PA66纳米管的模板作为“二次模板”,通过电化学沉积技术,在聚合物纳米管内部沉积金属铂纳米线,制得了PA66/铂同轴纳米电缆。用SEM和TEM等测试手段对所制备的聚合物纳米管和同轴纳米电缆进行了表征。 展开更多

关键词 同轴纳米电缆 组装 聚合物纳米管 模板法

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同轴纳米电缆研究进展 被引量：1

6

作者 宋国君 陈东 +2 位作者 李建江 佘希林 彭智 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1-5,共5页

同轴纳米电缆是一维纳米材料家族中的一颗新星,在众多高精尖端技术领域具有十分诱人的应用前景。详细总结了近年来同轴纳米电缆的研究成果,全面归纳了其制备方法和研究现状。把制备方法概括为5类,即模板法、碳热还原与蒸发-凝聚法、溶胶... 同轴纳米电缆是一维纳米材料家族中的一颗新星,在众多高精尖端技术领域具有十分诱人的应用前景。详细总结了近年来同轴纳米电缆的研究成果,全面归纳了其制备方法和研究现状。把制备方法概括为5类,即模板法、碳热还原与蒸发-凝聚法、溶胶-凝胶法、激光烧蚀法和化学气相沉积法。并展望了其发展趋势和应用前景。 展开更多

关键词 同轴纳米电缆 制备方法 研究进展

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用离子吸附法制备银／聚吡咯同轴纳米电缆 被引量：2

7

作者 谢胡晓 邱藤 李效玉 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1046-1049,共4页

以多元醇还原反应法制备出直径为40～50nm的纳米银线，采用醋酸铜水溶液对银纳米线表面进行处理，通过离子吸附在纳米银线表面吸附铜离子．以吸附在银纳米线表面上的铜离子作为活性单元，氧化吡咯单体聚合，制得Ag/PPy同轴纳米电缆．采... 以多元醇还原反应法制备出直径为40～50nm的纳米银线，采用醋酸铜水溶液对银纳米线表面进行处理，通过离子吸附在纳米银线表面吸附铜离子．以吸附在银纳米线表面上的铜离子作为活性单元，氧化吡咯单体聚合，制得Ag/PPy同轴纳米电缆．采用TEM，FTIR和XPS等表征手段对产物进行表征和检测，并通过表面增强拉曼光谱进一步证实产物中聚吡咯层紧密地吸附在银线表面．结果表明，利用醋酸铜作为氧化剂，通过离子吸附法制备的Ag/PPy同轴纳米电缆，可以在较大范围内有效地控制聚吡咯层厚度，避免银纳米线被刻蚀． 展开更多

关键词 同轴纳米电缆 离子吸附 醋酸铜 聚吡咯 银纳米线

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半导体/SiO_2纳米复合材料的溶胶-凝胶制备 被引量：1

8

作者 宋玉哲 杨合情 +1 位作者 尹文艳 万秀琴 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第5期581-585,共5页

总结了溶胶-凝胶法制备半导体/SiO2纳米复合材料的研究进展。目前,通过该方法已制备了镶嵌在SiO2玻璃中的II-VI族I、II-V族I、-VII族和IV族等半导体;形态上,除玻璃块体和薄膜外,还出现了核壳结构的纳米颗粒和同轴纳米电缆。

关键词 溶胶-凝胶法 半导体/SiO2 核壳结构 同轴纳米电缆

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科学家抢占纳米前沿

9

作者 海月 《中华儿女》 2001年第3期14-17,共4页

关键词 一维纳米材料 纳米技术 同轴纳米电缆 科学家 碳管 纳米电子学 纳米碳 富勒烯 微米纳米技术 电弧放电

原文传递

用乙二醇为还原剂制备Ag/C同轴纳米电缆 被引量：1

10

作者 邱敏 陶志银 +3 位作者 余丽 吴绪虎 牛琼 牛和林 《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2010年第6期88-91,共4页

利用一种简单的有机物乙二醇作为还原剂和碳源,采用简单温和的水热方法制备出Ag/C同轴纳米电缆.用SEM、TEM、XRD、UV-vis和FT-IR对产物进行了表征,探索了制备Ag/C同轴纳米电缆的最佳条件是温度为180℃、CH2SO4=2mol·L-1,并且提出... 利用一种简单的有机物乙二醇作为还原剂和碳源,采用简单温和的水热方法制备出Ag/C同轴纳米电缆.用SEM、TEM、XRD、UV-vis和FT-IR对产物进行了表征,探索了制备Ag/C同轴纳米电缆的最佳条件是温度为180℃、CH2SO4=2mol·L-1,并且提出了可能的反应机制. 展开更多

关键词 乙二醇 同轴纳米电缆 AG纳米线 碳化

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纳米技术——21世纪工业革命的火种(下)

11

作者 柯萱 《金属世界》 2001年第2期2-3,共2页

在信息产业领域 超薄显示器 2000年年底,新世纪第一个成熟的纳米技术产品——超薄显示器在日本诞生。这个显示器更准确地应叫纳米碳管场发射显示器。 同样是显示器,因为纳米碳管的特性,它会做得更加薄,同时不会像普通电视机看一阵后机... 在信息产业领域 超薄显示器 2000年年底,新世纪第一个成熟的纳米技术产品——超薄显示器在日本诞生。这个显示器更准确地应叫纳米碳管场发射显示器。 同样是显示器,因为纳米碳管的特性,它会做得更加薄,同时不会像普通电视机看一阵后机壳发热; 展开更多

关键词 纳米技术 工业革命 21世纪 液晶显示器 纳米武器 铁氧体纳米粒子 同轴纳米电缆 场发射显示器 磁疗法 沙眼依原体

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同轴纳米电缆结构发光材料制备与分析方法

12

作者 洪春水 杨雷 《广东化工》 CAS 2022年第24期97-99,共3页

纳米同轴电缆是一种一维纳米结构,因具有特殊的物理化学性能,受到广泛的关注。纳米同轴电缆有多种制备方法,最常见的是分步组装的方法。常见的纳米同轴电缆形貌表征有SEM、TEM等方法。TEM的电子束可以穿透样品成像,不需要剥离掉部分外层... 纳米同轴电缆是一种一维纳米结构,因具有特殊的物理化学性能,受到广泛的关注。纳米同轴电缆有多种制备方法,最常见的是分步组装的方法。常见的纳米同轴电缆形貌表征有SEM、TEM等方法。TEM的电子束可以穿透样品成像,不需要剥离掉部分外层,因而分析纳米同轴电缆的形貌时,采用TEM比较方便。HRTEM能够分析纳米同轴电缆的晶体结构,一张HRTEM图片可以同时清楚的观测到芯部与外层材料的晶格条纹。常见的纳米同轴电缆光学性质和掺杂研究的分析方法主要还是光谱分析。可以通过分析发光光谱中发光峰的位置可分裂确定稀土离子的掺杂位置。 展开更多

关键词 同轴纳米电缆 分步制备 扫描电镜 透射电镜 光谱分析

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最新绝缘专利

13

《绝缘材料》 CAS 2006年第4期68-70,共3页

一种热塑性无卤低烟阻燃电缆绝缘料及加工工艺；电介质陶瓷的溶胶组合物和电介质陶瓷及多层陶瓷电容器；聚合物包覆层同轴纳米电缆的制备方法；耐高温交联F40绝缘线缆的挤出及辐照工艺；电介质薄膜、薄膜电介质元件及其制造方法；绝缘... 一种热塑性无卤低烟阻燃电缆绝缘料及加工工艺；电介质陶瓷的溶胶组合物和电介质陶瓷及多层陶瓷电容器；聚合物包覆层同轴纳米电缆的制备方法；耐高温交联F40绝缘线缆的挤出及辐照工艺；电介质薄膜、薄膜电介质元件及其制造方法；绝缘材料、薄膜、电路基板和它们的制造方法；介质陶瓷组合物，其制造方法，采用该组合物的介质陶瓷和层压陶瓷部件; 展开更多

关键词 绝缘料 电介质陶瓷 电介质薄膜 多层陶瓷电容器 专利 低烟阻燃电缆 同轴纳米电缆 制造方法 组合物 加工工艺

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氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆的制备(英文)

14

作者 张艳丽 侯鹏翔 刘畅 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期8-13,共6页

采用氢电弧放电法直接制备了无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管同轴纳米电缆。纳米电缆的长度为几微米到数十微米,直径约为10～30 nm。纳米电缆的外包覆层为无定形氧化硅,每根电缆的芯部包含1根到几根单壁碳纳米管。单壁碳纳米管具有较高的... 采用氢电弧放电法直接制备了无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管同轴纳米电缆。纳米电缆的长度为几微米到数十微米,直径约为10～30 nm。纳米电缆的外包覆层为无定形氧化硅,每根电缆的芯部包含1根到几根单壁碳纳米管。单壁碳纳米管具有较高的结晶度,其直径主要集中在2.2 nm和1.8 nm。基于实验研究结果,提出了一种纳米电缆的生长机制。所制备的无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆可望用于场效应晶体管等纳电子器件的构建。 展开更多

关键词 同轴纳米电缆 单壁碳纳米管 氧化硅 电弧放电

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信息天地

15

《信息技术》 2000年第12期48-51,共4页

关键词 软件业 美国 美利坚合众国 北美洲 企业 企业管理 产业 同轴纳米电缆 国家大学科技园 资质认证 投资者 信息产业部 北方微电子 集成电路生产线 天地

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CuO@NiCo_2O_4同轴纳米电缆异质结催化剂的制备及其氧还原电催化性能研究

16

作者 蒋聪 张天珩 +1 位作者 田景华 杨瑞枝 《电池工业》 CAS 2018年第2期100-106,共7页

本文采用简单的溶胶-凝胶法合成了NiCo_2O_4包裹的CuO同轴纳米电缆异质结催化剂。扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)结果表明,复合之后CuO和NiCo_2O_4的形态与结构保持不变。进一步采用旋转圆盘电极(RRDE)技术研究了在碱性溶液中纯Ni... 本文采用简单的溶胶-凝胶法合成了NiCo_2O_4包裹的CuO同轴纳米电缆异质结催化剂。扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)结果表明,复合之后CuO和NiCo_2O_4的形态与结构保持不变。进一步采用旋转圆盘电极(RRDE)技术研究了在碱性溶液中纯NiCo_2O_4、纯CuO和CuO@NiCo_2O_4复合催化剂的电催化性能。对于氧还原反应(ORR),复合后的CuO@NiCo_2O_4比单独的纯CuO和纯NiCo_2O_4显示出高得多的电化学活性,其特征在于具有更高的极限扩散电流密度和更正的起始电位,同时复合后的催化剂具有更优异的稳定性,这可以归因于其独特的同轴纳米电缆结构和复合催化剂中CuO和NiCo_2O_4之间的协同催化作用。 展开更多

关键词 同轴纳米电缆 异质结 电催化 氧还原

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百科瞭望

17

《山西老年》 2003年第7期54-55,共2页

关键词 同轴纳米电缆 基因 瞭望 国家自然科学基金 延缓衰老 《史记·项羽本纪》 高血压 女孩子 酵母双杂交技术 诺贝尔化学奖

原文传递

NiO@SnO_2@Zn_2TiO_4@TiO_2同轴四层纳米电缆的制备、表征及形成机理研究 被引量：7

18

作者 宋超 董相廷 +1 位作者 王进贤 刘桂霞 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第20期2471-2478,共8页

采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]@[SnCl4+PVP]@[Zn(CH3COO)2+PVP]@[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,将其进行热处理,制备出NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆.采用热重-差热... 采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]@[SnCl4+PVP]@[Zn(CH3COO)2+PVP]@[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,将其进行热处理,制备出NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆.采用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征.结果表明,所得产物为同轴四层纳米电缆,芯层为NiO,直径为35～55 nm;第二层为SnO2,厚度为30～50 nm;第三层为Zn2TiO4,厚度为25～40 nm;壳层为TiO2,厚度为40～90 nm.对同轴四层纳米电缆的形成机理进行了探讨. 展开更多

关键词 NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2 同轴四层纳米电缆 静电纺丝技术 形成机理

原文传递

同轴三层纳米电缆NiO@SiO_2@TiO_2的制备与表征 被引量：2

19

作者 宋超 董相廷 +1 位作者 王进贤 刘桂霞 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1186-1190,共5页

采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,成功地制备出了NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆.采用差热-热重(TG-DTA)分析、X射线衍射(XRD)分析、傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析、扫描电子显微镜(SEM)分析和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品... 采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,成功地制备出了NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆.采用差热-热重(TG-DTA)分析、X射线衍射(XRD)分析、傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析、扫描电子显微镜(SEM)分析和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行表征,结果表明,所得产物为NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆,内层为NiO,直径大约为40～50 nm;中间层为SiO2,厚度大约为40～45 nm;外层为TiO2,厚度大约为45～50 nm.对NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆的形成机理进行了讨论. 展开更多

关键词 NiO@SiO2@TiO2 同轴三层纳米电缆 静电纺丝技术

原文传递

静电纺丝技术制备NiO-ZnTiO_3-TiO_2同轴三层纳米电缆及其形成机制 被引量：1

20

作者 宋超 董相廷 +1 位作者 王进贤 刘桂霞 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期122-128,共7页

采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]-[Zn(CH3COO)2+PVP]-[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,在600℃下将其进行热处理,制备出了NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆。采用热重-差热(TG-D... 采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]-[Zn(CH3COO)2+PVP]-[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,在600℃下将其进行热处理,制备出了NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆。采用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征。对NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆的形成机制进行了讨论。结果表明,所得产物为NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆。芯层为NiO,直径大约为(42.024±4.405)nm;中间层为ZnTiO3,厚度大约为(55.385±7.681)nm;壳层为TiO2,厚度大约为(70.747±7.373)nm。 展开更多

关键词 NiO-ZnTiO3-TiO2 同轴三层纳米电缆 静电纺丝技术 形成机制

原文传递