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PET自伸长纤维的制备及应用 被引量：2
1
作者 俞波 《合成纤维工业》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期42-46,共5页
介绍了近年来日本多家公司制备 PET自伸长纤维和差别化 PET自伸长纤维的专利技术 ,含有自伸长长丝的多层复合纱机织物特性和应用。国内已研究开发出自伸长率为 10 %的
关键词 聚对苯二甲酸乙二醇酯纤维 自伸长纤维 合丝 制备 PET
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尼龙包覆钢丝综制造工艺探讨
2
作者 钟云堂 《纺织器材》 2004年第1期26-28,41,共4页
通过生产实践,分析了尼龙包覆钢丝综的制造工艺,提出了合丝与成型的技术关键及解决方法。
关键词 尼龙包覆钢丝综 合丝 成型 纺织器材 生产工艺
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黑小伙
3
作者 王真 翠英 《北方音乐》 1984年第2期3-4,共2页
关键词 气格 上兰 双井 合丝
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小姐
4
作者 车中州 《文学港》 2007年第6期100-101,共2页
小姐长得最好看,比大姐好看,比二姐好看,比我更好看。很多年以前,我们还没有现在一街两巷鳞次栉比的美发厅时,她就土法上马开创了烫发的先河。我清楚地记得,那天下午我放学回家后,小姐拉住我的手不停地摇啊摇,摇着说,看看,快看看,
关键词 大学生 后勤 厨师 合丝 学习 高速公路 波浪 网络游戏 头发 好妈妈
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电子封装Cu键合丝的研究及应用 被引量：18
5
作者 丁雨田 曹军 +2 位作者 许广济 寇生中 胡勇 《铸造技术》 EI CAS 北大核心 2006年第9期971-974,共4页
论述了传统Au、Al-1%Si键合丝在电子封装中的局限性,分析了Cu键合丝优良的材料性能,Cu键合丝替代Au丝和Al-1%Si丝可缩小焊接间距,提高芯片频率和可靠性。并在此基础上阐述了单晶铜作为键合丝的优势,通过键合性能的对比显示了单晶铜键合... 论述了传统Au、Al-1%Si键合丝在电子封装中的局限性,分析了Cu键合丝优良的材料性能,Cu键合丝替代Au丝和Al-1%Si丝可缩小焊接间距,提高芯片频率和可靠性。并在此基础上阐述了单晶铜作为键合丝的优势,通过键合性能的对比显示了单晶铜键合丝在电子封装中的良好特性。 展开更多
关键词 电子封装 键合性能 Cu键合丝 单晶铜
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冷变形和热处理对单晶Cu键合丝性能影响 被引量：15
6
作者 丁雨田 曹军 +2 位作者 胡勇 寇生中 许广济 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期83-88,共6页
研究单晶Cu键合丝冷加工过程中的微观组织和性能,分析热处理温度和热处理时间对单晶Cu键合丝破断力、伸长率和电阻率的影响。通过对单晶Cu键合丝进行冷加工及热处理,试验结果表明冷加工后的单晶Cu键合丝具有致密的纤维组织结构,强度和... 研究单晶Cu键合丝冷加工过程中的微观组织和性能,分析热处理温度和热处理时间对单晶Cu键合丝破断力、伸长率和电阻率的影响。通过对单晶Cu键合丝进行冷加工及热处理,试验结果表明冷加工后的单晶Cu键合丝具有致密的纤维组织结构,强度和电阻率得到提高,伸长率下降。随着退火时间和退火温度的增加,单晶Cu键合丝破断力降低,伸长率增加,电阻率呈下降趋势。对于φ0.025mm的单晶Cu键合丝,在退火温度为420℃,退火时间为2.4s时,单晶Cu键合丝具有高的伸长率和较高的破断力。在热处理过程中张力过大或环境条件不稳定会导致键合丝表面出现竹节状缺陷。经试验数据拟合,单晶Cu键合丝线径与退火温度、退火时间之间存在二次多项式函数关系。 展开更多
关键词 单晶 CU 键合丝 破断力 伸长率 电阻率 拟合
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连续定向凝固Al-1%Si合金棒材制备工艺与应用 被引量：10
7
作者 郭昌阳 王自东 薄希辉 《铸造》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期126-128,133,共4页
采用自制的真空熔炼、氩气保护连续定向凝固设备制备出具有连续柱状晶组织的Φ8mm的Al 1%Si合金棒材。该棒材具有良好的塑性,不需任何中间退火,在室温下可直接拉拔制备出线径为20μm的超细丝材,其延伸倍数达16万倍。该超细丝材可用作集... 采用自制的真空熔炼、氩气保护连续定向凝固设备制备出具有连续柱状晶组织的Φ8mm的Al 1%Si合金棒材。该棒材具有良好的塑性,不需任何中间退火,在室温下可直接拉拔制备出线径为20μm的超细丝材,其延伸倍数达16万倍。该超细丝材可用作集成电路封装键合丝。 展开更多
关键词 连续定向凝固 铝硅合金 超细丝材 键合丝
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单晶铜键合丝制备过程中的断线研究 被引量：10
8
作者 曹军 丁雨田 曹文辉 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第22期84-89,共6页
利用扫描电镜、X射线能谱仪对单晶铜线材拉制超微细键合丝的断口形貌、成分进行研究,分析单晶铜线材拉制过程中的断线类型及其影响因素。结果表明:单晶铜键合丝拉制过程中的断线主要由于单晶铜线材中高质量分数的O、S等气体元素形成氧... 利用扫描电镜、X射线能谱仪对单晶铜线材拉制超微细键合丝的断口形貌、成分进行研究,分析单晶铜线材拉制过程中的断线类型及其影响因素。结果表明:单晶铜键合丝拉制过程中的断线主要由于单晶铜线材中高质量分数的O、S等气体元素形成氧化物偏聚,高质量分数的有害杂质元素(Al、Ca、Si等)及其形成的金属间化合物,内部缺陷(微小气孔、微小气孔及其杂质、组织不均匀等)引起的孔洞或局部应力集中造成;单晶铜线材的表面缺陷(起皮、毛刺、擦伤等)及其微小的氧化物夹杂对拉制过程中的突发性断线有决定性影响;同时由于单晶铜加工硬化现象明显,拉制过程中拉伸张力控制不当及其骤然变化引起线材的局部应力变化造成拉制过程中的断线。 展开更多
关键词 单晶铜 键合丝 断线 拉制
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基于硅凝胶灌封温循载荷下的键合丝疲劳失效机理仿真分析 被引量：1
9
作者 顾廷炜 冯政森 +1 位作者 朱燕君 孙晓冬 《半导体技术》 北大核心 2024年第2期189-195,共7页
针对某型混合集成电路在温度循环试验后出现的硅凝胶灌封区域键合丝疲劳失效,对键合丝的键合强度和疲劳断裂失效进行了试验分析,建立了单根键合丝和硅凝胶局部灌封区域的有限元简化模型,拟合了硅凝胶材料的本构模型参数,基于ANSYS Workb... 针对某型混合集成电路在温度循环试验后出现的硅凝胶灌封区域键合丝疲劳失效,对键合丝的键合强度和疲劳断裂失效进行了试验分析,建立了单根键合丝和硅凝胶局部灌封区域的有限元简化模型,拟合了硅凝胶材料的本构模型参数,基于ANSYS Workbench软件对不同胶体材料参数条件和温循载荷作用下的键合丝应力分布情况进行了热力耦合仿真分析,并基于仿真结果对混合集成电路的硅凝胶灌封工艺进行了优化和加严温度循环试验。仿真和实验结果表明,键合丝第一键合点颈部和第二键合点根部的应力值较大,存在明显的塑性应变,与疲劳断裂失效分析一致;通过减小硅凝胶的热膨胀系数和灌封体积的方式进行工艺优化后,键合丝的应力值显著减小,样品经过温度循环试验后实测良率从167%提升至100%。研究结果对于提高硅凝胶灌封区域中的金丝键合疲劳强度有一定的指导意义。 展开更多
关键词 有限元仿真 键合丝 硅凝胶灌封 温度循环 疲劳失效机理
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电子封装用铜及银键合丝研究进展 被引量：7
10
作者 梁爽 黄福祥 +3 位作者 彭成 钟明君 吴保安 唐会毅 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期5048-5053,5063,共7页
随着电子封装高密度化、高速度化和小型化发展,金键合丝由于成本和性能等问题已不能满足要求。成本更加低廉的铜及银键合丝逐渐成为金丝替代品,但铜键合丝存在硬度高、易氧化、工艺复杂等问题,银键合丝存在抗拉强度低、Ag^+迁移和高温... 随着电子封装高密度化、高速度化和小型化发展,金键合丝由于成本和性能等问题已不能满足要求。成本更加低廉的铜及银键合丝逐渐成为金丝替代品,但铜键合丝存在硬度高、易氧化、工艺复杂等问题,银键合丝存在抗拉强度低、Ag^+迁移和高温抗氧化抗性差等缺点。针对上述问题,广大学者进行了分析和研究,根据相关的文献、专利和产品,综述了铜及银键合丝的性能特点、成分设计、制备工艺、可靠性研究和性能改善方法,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 电子封装 铜键合丝 银键合丝 成分设计
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TO-3封装器件键合丝热机械可靠性与寿命预测
11
作者 隋晓明 潘开林 +2 位作者 刘岗岗 谢炜炜 潘宇航 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第8期779-784,共6页
为解决双芯片功率放大器的过电应力烧毁问题,对器件电路进行改进并探究其可靠性。首先,重新设计和制备基片上金属带线,并进行温度循环与拉力检测试验;然后,基于有限元方法在温度循环载荷作用下对键合丝应力应变分布情况进行了分析,并通... 为解决双芯片功率放大器的过电应力烧毁问题,对器件电路进行改进并探究其可靠性。首先,重新设计和制备基片上金属带线,并进行温度循环与拉力检测试验;然后,基于有限元方法在温度循环载荷作用下对键合丝应力应变分布情况进行了分析,并通过Coffin-Manson模型对器件的疲劳寿命进行预测分析。结果表明,高温下应力降低了3.23 MPa,低温下应力下降了97.7 MPa。改进后的器件寿命提高了11.6%,且经历过温度循环后仍满足最小键合拉力极限值要求。该研究结果可为复杂键合丝结构及寿命预测提供参考。 展开更多
关键词 功率器件 温度循环 ANSYS仿真 TO-3封装 键合丝 寿命预测
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微电子封装用Cu键合丝研究进展
12
作者 杨蕊亦 岑政 +1 位作者 刘倩 韩星 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第3期468-474,共7页
引线键合仍然是微电子封装中最流行的芯片互连技术,在未来很长一段时间内都不会被其他互连方法所取代。Au键合丝由于其独特的化学稳定性、可靠的制造和操作性能,几十年来一直是主流半导体封装材料。然而,Au键合丝价格的急剧上涨促使业... 引线键合仍然是微电子封装中最流行的芯片互连技术,在未来很长一段时间内都不会被其他互连方法所取代。Au键合丝由于其独特的化学稳定性、可靠的制造和操作性能,几十年来一直是主流半导体封装材料。然而,Au键合丝价格的急剧上涨促使业界寻找用于微电子封装的替代键合材料,如Cu键合丝。与Au键合丝相比,使用Cu键合丝的主要优势是更低的材料成本、更高的电导率和热导率,使更小直径的Cu键合丝能够承受与Au键合丝相同的电流而不会过热,以及更低的Cu和Al之间的反应速率,这有助于提高长期高温存储条件下的键合可靠性。文章首先简要介绍了键合丝的发展历史。其次,介绍了Cu键合丝的可制造性和可靠性。最后,提出了键合丝的发展趋势。 展开更多
关键词 键合丝 Kirkendall空洞 可制造性 可靠性 微电子封装
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键合界面金属间化合物对可靠性影响的研究现状
13
作者 杜文晶 周文艳 +4 位作者 裴洪营 阳岸恒 吴永瑾 孔建稳 康菲菲 《贵金属》 CAS 北大核心 2023年第1期92-101,共10页
在微电子封装过程中,键合丝被广泛应用,而键合可靠性对于产品的应用性能有着极大的影响,受到人们的广泛关注。键合丝与常用的铝焊盘之间是异质材料,在应用和服役的过程中会在界面上产生金属间化合物(IMC),对器件可靠性产生影响,同时,键... 在微电子封装过程中,键合丝被广泛应用,而键合可靠性对于产品的应用性能有着极大的影响,受到人们的广泛关注。键合丝与常用的铝焊盘之间是异质材料,在应用和服役的过程中会在界面上产生金属间化合物(IMC),对器件可靠性产生影响,同时,键合强度也与键合丝和焊盘之间的界面反应联系密切,因此了解键合丝与铝焊盘之间金属间化合物的形成与演变对键合可靠性的影响是有必要的。本文综述了Au/Al、Ag/Al和Cu/Al三种键合界面上金属间化合物的形成与演变的研究现状,并根据目前的应用状况,展望了未来的应用发展前景。 展开更多
关键词 键合丝 金属间化合物(IMC) 键合界面 可靠性
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键合丝键合界面研究进展 被引量：4
14
作者 彭成 梁爽 +2 位作者 黄福祥 钟明君 冉小杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第S02期501-504,共4页
采用引线键合技术对集成电路进行封装时,键合丝与Al焊盘存在异质界面问题,对电子器件的使用性能有很大的影响。本文综述了键合参数、界面金属间化合物(IMC)演变行为及工作环境等方面对界面键合强度和可靠性影响的研究进展,并展望了未来... 采用引线键合技术对集成电路进行封装时,键合丝与Al焊盘存在异质界面问题,对电子器件的使用性能有很大的影响。本文综述了键合参数、界面金属间化合物(IMC)演变行为及工作环境等方面对界面键合强度和可靠性影响的研究进展,并展望了未来发展前景。 展开更多
关键词 键合丝 界面 金属间化合物(IMC) 键合强度 可靠性
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LED封装用键合丝的性能分析对比 被引量：4
15
作者 黎学文 蔡济隆 +1 位作者 陈磊 林金填 《中国照明电器》 2019年第9期18-22,共5页
键合丝是发光二极管封装中应用的关键材料之一,是发光二极管高效封装的基础。由于键合金丝成本高企,众多LED封装厂家选择应用低成本合金丝来替代键合金丝。本文介绍了键合丝的特点和性能要求,综述了键合金丝、金合金丝、银合金丝的组成... 键合丝是发光二极管封装中应用的关键材料之一,是发光二极管高效封装的基础。由于键合金丝成本高企,众多LED封装厂家选择应用低成本合金丝来替代键合金丝。本文介绍了键合丝的特点和性能要求,综述了键合金丝、金合金丝、银合金丝的组成、性能、使用、可靠性等研究进展,并以北京达博有色金属焊料有限责任公司提供的4款产品为例进行了应用测试,比较了其性能差异,为合金丝的应用提供支持。 展开更多
关键词 LED 键合丝 合金丝 性能 可靠性
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Pt-10Ir超细键合丝退火过程中组织与性能的演化规律研究
16
作者 朱丽仙 何俊杰 +3 位作者 张仁银 付丽 周璇 毛勇 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期3931-3938,共8页
铂铱键合丝是一种应用于特种微电子器件封装的高强度引线键合材料,经拉拔制备的铂铱合金微细丝材的热处理是调控键合丝终服役性能的关键环节。以Φ25μm超细Pt-10Ir键合丝为研究对象,通过高分辨FIB-EBSD联动表征技术,对不同退火工艺下... 铂铱键合丝是一种应用于特种微电子器件封装的高强度引线键合材料,经拉拔制备的铂铱合金微细丝材的热处理是调控键合丝终服役性能的关键环节。以Φ25μm超细Pt-10Ir键合丝为研究对象,通过高分辨FIB-EBSD联动表征技术,对不同退火工艺下超细丝材显微组织及形变织构进行了深入分析,并对其力/电学性能的演变进行了探究。结果表明:随着退火温度的升高,显微组织由拉拔态的细小纤维状晶粒逐渐转变为部分等轴组织,等轴状组织优先在晶界处形核长大且丝材织构强度逐渐下降,破断力逐渐降低,延伸率逐渐升高而电阻率则呈现出先降低后升高的趋势。Pt-10Ir超细键合丝在600℃×30 min退火后,主要发生回复,未发生明显的再结晶,织构取向演变为<111>平行于丝材拉拔方向的形变织构,破断力为37.06 cN,抗拉强度为755.29 MPa,延伸率为1.30%,电阻率为22.81μΩ·cm,表现出好的力/电综合性能。该研究可为贵金属超细键合丝材的性能优化提供理论和实验基础。 展开更多
关键词 贵金属 键合丝材 显微组织 力学性能 电学性能
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光耦在实际应用中的几种常见失效研究
17
作者 付倩 《中国科技期刊数据库 工业A》 2023年第6期139-142,共4页
光耦是一种常见的光电器件,其隔离和转换功能使其广泛应用于各种电子设备和系统中。然而,在实际使用中,光耦也面临着各种失效问题。因此,对于光耦失效问题的研究具有重要的实际意义。本文将介绍几种常见的光耦失效问题,并分析其产生原... 光耦是一种常见的光电器件,其隔离和转换功能使其广泛应用于各种电子设备和系统中。然而,在实际使用中,光耦也面临着各种失效问题。因此,对于光耦失效问题的研究具有重要的实际意义。本文将介绍几种常见的光耦失效问题,并分析其产生原因和解决方法,包括绝缘失效等内容,以期为相关领域的工程师和研究人员提供参考和帮助。 展开更多
关键词 光耦 键合丝断开 银迁移 银迁移
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无氰镀金银基键合丝的研究进展 被引量：3
18
作者 李凤 唐会毅 +2 位作者 吴保安 罗维凡 罗凤兰 《有色金属（冶炼部分）》 CAS 北大核心 2018年第6期56-60,共5页
键合银丝具有生产成本低,导电导热性好,但其抗氧化、硫化性低,不能完全替代键合金丝,特别是在高密度的集成电路封装工业中,因此镀金银基键合丝应运而生,通过在银丝表面覆盖镀金层,使其抗氧化能力提高,成球性好,可靠性高。主要介绍无氰... 键合银丝具有生产成本低,导电导热性好,但其抗氧化、硫化性低,不能完全替代键合金丝,特别是在高密度的集成电路封装工业中,因此镀金银基键合丝应运而生,通过在银丝表面覆盖镀金层,使其抗氧化能力提高,成球性好,可靠性高。主要介绍无氰镀金工艺和镀金银基键合丝的发展。 展开更多
关键词 封装 键合丝 无氰镀 性能
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一种用于BBOS,BSOB打线方式的高可靠性银合金键合丝 被引量：2
19
作者 任智 《中国集成电路》 2015年第12期56-60,共5页
本文设计了一种适合于LED和IC封装用BBOS,BSOB打线用银合金键合丝。当线材内存在一定数量的长轴晶区时,线材的BBOS,BSOB打线性能会极大提升,文章分析了这种结构与优异BBOS,BSOB打线性能之间的内在关系,并就获得这种结构的方法做了简要... 本文设计了一种适合于LED和IC封装用BBOS,BSOB打线用银合金键合丝。当线材内存在一定数量的长轴晶区时,线材的BBOS,BSOB打线性能会极大提升,文章分析了这种结构与优异BBOS,BSOB打线性能之间的内在关系,并就获得这种结构的方法做了简要分析。 展开更多
关键词 BSOB BBOS 银合金 EBSD 键合丝 长轴晶 各向异性
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塑封光电耦合器失效分析流程及方法研究 被引量：2
20
作者 刘晓婷 曹玉卓 《微处理机》 2021年第1期17-22,共6页
基于光电耦合器在工作原理、结构和封装设计上的不同于一般半导体器件的特点,研究其与单独LED、三极管等的共有特性之外的独特失效机理。在确认某型号光电耦合器失效后,通过现有技术手段,包括外观检查、X射线检查、开封镜检、非破坏键... 基于光电耦合器在工作原理、结构和封装设计上的不同于一般半导体器件的特点,研究其与单独LED、三极管等的共有特性之外的独特失效机理。在确认某型号光电耦合器失效后,通过现有技术手段,包括外观检查、X射线检查、开封镜检、非破坏键合拉力试验、扫描电镜检查及能谱成分分析等,结合理论分析,对失效器件进行全方位检查,最终确认其失效位置及失效机理,并对此失效现象做出解释,同时提出有效的改进方法。 展开更多
关键词 光电耦合器 键合丝 有机胶 失效分析 失效机理
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