期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块
被引量：
19
1
作者
刘国友
黄建伟
+2 位作者
覃荣震
罗海辉
朱利恒
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第10期2784-2792,共9页
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片...
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片的整体性能。基于该芯片制造出的1 500 A/3 300 V高功率密度IGBT模块,相对于优化前其额定电流从1 200 A上升到了1 500 A(上升了25%),同时导通压降从2.8 V下降到了2.4 V(下降了14%),最高工作结温从125℃提升到150℃。反偏安全工作区(reverse biased safe operation area,RBSOA)与短路安全工作区(short-circuit safe operation area,SCSOA)测试显示,该模块能在集电极电压为2 000 V的情况下关断3 000 A的电流,并且在栅电压为15 V、集电极电压为2 000 V的短路条件下的安全工作时间超过10?s。测试结果显示,该模块导通压降及开关损耗性能与同类型国际主流产品相当。
展开更多
关键词
绝缘
栅
双极晶体管
智能电网
电子注入增强
台面
栅
IGBT模块
短路安全工作区
下载PDF
职称材料
牵引用3300V IGBT/FRD芯片组设计与开发
被引量：
13
2
作者
刘国友
覃荣震
+1 位作者
Ian Deviny
黄建伟
《机车电传动》
北大核心
2013年第2期5-8,30,共5页
针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过控制载流子注入效率,改善Vceon与Eoff的折中关系,降低芯片损耗;采用先进元胞设计技术,提高芯片短...
针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过控制载流子注入效率,改善Vceon与Eoff的折中关系,降低芯片损耗;采用先进元胞设计技术,提高芯片短路能力,从而提高芯片可靠性;通过超低阳极掺杂控制阳极注入效率,免除局部寿命控制,降低FRD的反向漏电流。研究开发了3300V IGBT及其配套FRD芯片,满足轨道交通的应用要求。
展开更多
关键词
绝缘
栅
双极品体管
轨道交通
终端结构
台面
栅
注入效率
元胞
下载PDF
职称材料
题名
智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块
被引量：
19
1
作者
刘国友
黄建伟
覃荣震
罗海辉
朱利恒
机构
新型功率半导体器件国家重点实验室(株洲南车时代电气股份有限公司)
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2016年第10期2784-2792,共9页
文摘
基于双扩散金属氧化物半导体(diffused metal-oxide semiconductor,DMOS)元胞设计技术,针对智能电网的需求,引入"电子注入增强"以及台面栅技术,优化了3 300 V绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片的整体性能。基于该芯片制造出的1 500 A/3 300 V高功率密度IGBT模块,相对于优化前其额定电流从1 200 A上升到了1 500 A(上升了25%),同时导通压降从2.8 V下降到了2.4 V(下降了14%),最高工作结温从125℃提升到150℃。反偏安全工作区(reverse biased safe operation area,RBSOA)与短路安全工作区(short-circuit safe operation area,SCSOA)测试显示,该模块能在集电极电压为2 000 V的情况下关断3 000 A的电流,并且在栅电压为15 V、集电极电压为2 000 V的短路条件下的安全工作时间超过10?s。测试结果显示,该模块导通压降及开关损耗性能与同类型国际主流产品相当。
关键词
绝缘
栅
双极晶体管
智能电网
电子注入增强
台面
栅
IGBT模块
短路安全工作区
Keywords
insulated gate bipolar transistor（IGBT）
smart grid
electron injection enhanced
terrace gate
IGBT module
short circuit safe operation area
分类号
TN322 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
牵引用3300V IGBT/FRD芯片组设计与开发
被引量：
13
2
作者
刘国友
覃荣震
Ian Deviny
黄建伟
机构
株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心
出处
《机车电传动》
北大核心
2013年第2期5-8,30,共5页
文摘
针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过控制载流子注入效率,改善Vceon与Eoff的折中关系,降低芯片损耗;采用先进元胞设计技术,提高芯片短路能力,从而提高芯片可靠性;通过超低阳极掺杂控制阳极注入效率,免除局部寿命控制,降低FRD的反向漏电流。研究开发了3300V IGBT及其配套FRD芯片,满足轨道交通的应用要求。
关键词
绝缘
栅
双极品体管
轨道交通
终端结构
台面
栅
注入效率
元胞
Keywords
insulated gate bipolar transistor （IGBT）
rail transit
termination structure
terraced gate
injection efficiency
cell
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN34
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
智能电网用高功率密度1500A/3300V绝缘栅双极晶体管模块
刘国友
黄建伟
覃荣震
罗海辉
朱利恒
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2016
19
下载PDF
职称材料
2
牵引用3300V IGBT/FRD芯片组设计与开发
刘国友
覃荣震
Ian Deviny
黄建伟
《机车电传动》
北大核心
2013
13
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
