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可见光盲SiC紫外雪崩光电二极管
被引量：
1
1
作者
杨成东
苏琳琳
+1 位作者
夏开鹏
马文烨
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第24期15-19,共5页
SiC雪崩光电二极管(APD)是用于探测微弱紫外光的优选器件。通过研究器件在高压下的光响应行为,发现随着偏压的增加,器件响应峰值和截止波长始终稳定在280 nm和380 nm处,表明SiC APD在雪崩击穿状态下仍具有可见光盲特性。这说明SiC APD...
SiC雪崩光电二极管(APD)是用于探测微弱紫外光的优选器件。通过研究器件在高压下的光响应行为,发现随着偏压的增加,器件响应峰值和截止波长始终稳定在280 nm和380 nm处,表明SiC APD在雪崩击穿状态下仍具有可见光盲特性。这说明SiC APD在进行微弱紫外光探测时,凭借材料本身性质便可屏蔽可见及红外光的影响,有利于降低器件复杂度和成本。另外,为了增大器件的感光面积,将SiC APD直径增大到500μm,器件在95%击穿电压下,暗电流仅为2×10^(-10)A,当暗计数为1 Hz/μm^(2)时,器件单光子探测效率为0.7%,实现了SiC APD尺寸上的突破。
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关键词
激
光
器
SIC
雪崩
光
电二极管
可见光
盲
大面积
原文传递
NEA GaN光电阴极第一性原理研究
被引量：
1
2
作者
任彬
石峰
+5 位作者
郭晖
江兆潭
程宏昌
焦岗成
苗壮
冯刘
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2015年第9期2752-2756,共5页
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似投影缀加平面波方法,在六方结构Ga N结构优化的基础上,计算了Ga N(0001)A面吸附Cs后功函数变化,指出吸附系统表面形成了一个有效的Ga N-Cs电偶极子层,降低了原本的Ga N表面势垒,形成更加有...
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似投影缀加平面波方法,在六方结构Ga N结构优化的基础上,计算了Ga N(0001)A面吸附Cs后功函数变化,指出吸附系统表面形成了一个有效的Ga N-Cs电偶极子层,降低了原本的Ga N表面势垒,形成更加有利于电子逸出的外光电发射效应特性。接着图示吸附Cs、O后的电子结构,指出吸附原子和衬底之间的键合。六方结构Ga N材料的光学性质通过Kramers-Kronig关系得出。根据Ga N的介电函数谱,得出了254nm光波长下以Ga N为激活层材料的反射式光电阴极在不同少子扩散长度下的内量子效率。计算结果表明六方结构Ga N(0001)A面是可见光盲光电阴极的优良发射表面,且254 nm处的量子效率可达到60%,远大于碱金属卤化物紫外光电阴极。
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关键词
GAN
第一性原理
可见光
盲
负电子亲和势
下载PDF
职称材料
背照式AlGaN/GaN基光电探测器的结构设计及性能模拟
被引量：
5
3
作者
黄鑫
罗木昌
周勋
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2011年第11期2071-2077,共7页
基于扩散漂移方程,对背照式日盲紫外AlxGa1-xN异质结p-i-n光电二极管和可见盲GaN同质结吸收区和倍增区分离的雪崩光电二极管(SAM-APD)进行了建模,模拟分析了这两种探测器的光电响应特性和电学参数,结果与实测数据和文献报道数据一致性...
基于扩散漂移方程,对背照式日盲紫外AlxGa1-xN异质结p-i-n光电二极管和可见盲GaN同质结吸收区和倍增区分离的雪崩光电二极管(SAM-APD)进行了建模,模拟分析了这两种探测器的光电响应特性和电学参数,结果与实测数据和文献报道数据一致性较好。计算时还考虑了材料制备和器件工艺的实际情况,分析了有关参数对器件性能的影响,这些结果对于分析器件的工作机制以及提取某些感兴趣的参数都有较好的指导意义。
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关键词
氮化物
可见光
盲
/日
盲
紫外
光
电二极管
模拟
下载PDF
职称材料
题名
可见光盲SiC紫外雪崩光电二极管
被引量：
1
1
作者
杨成东
苏琳琳
夏开鹏
马文烨
机构
无锡学院电子信息工程学院
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第24期15-19,共5页
基金
国家自然科学基金(62106111)
无锡学院引进人才科研启动项目(2021r011,2021r012)。
文摘
SiC雪崩光电二极管(APD)是用于探测微弱紫外光的优选器件。通过研究器件在高压下的光响应行为,发现随着偏压的增加,器件响应峰值和截止波长始终稳定在280 nm和380 nm处,表明SiC APD在雪崩击穿状态下仍具有可见光盲特性。这说明SiC APD在进行微弱紫外光探测时,凭借材料本身性质便可屏蔽可见及红外光的影响,有利于降低器件复杂度和成本。另外,为了增大器件的感光面积,将SiC APD直径增大到500μm,器件在95%击穿电压下,暗电流仅为2×10^(-10)A,当暗计数为1 Hz/μm^(2)时,器件单光子探测效率为0.7%,实现了SiC APD尺寸上的突破。
关键词
激
光
器
SIC
雪崩
光
电二极管
可见光
盲
大面积
Keywords
lasers
SiC
avalanche photodiode
visible light blindness
large area
分类号
O47 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
NEA GaN光电阴极第一性原理研究
被引量：
1
2
作者
任彬
石峰
郭晖
江兆潭
程宏昌
焦岗成
苗壮
冯刘
机构
微光夜视技术重点实验室
北方夜视科技集团股份有限公司
北京理工大学物理学院
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2015年第9期2752-2756,共5页
基金
微光夜视技术重点实验室基金(J20130501)
文摘
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似投影缀加平面波方法,在六方结构Ga N结构优化的基础上,计算了Ga N(0001)A面吸附Cs后功函数变化,指出吸附系统表面形成了一个有效的Ga N-Cs电偶极子层,降低了原本的Ga N表面势垒,形成更加有利于电子逸出的外光电发射效应特性。接着图示吸附Cs、O后的电子结构,指出吸附原子和衬底之间的键合。六方结构Ga N材料的光学性质通过Kramers-Kronig关系得出。根据Ga N的介电函数谱,得出了254nm光波长下以Ga N为激活层材料的反射式光电阴极在不同少子扩散长度下的内量子效率。计算结果表明六方结构Ga N(0001)A面是可见光盲光电阴极的优良发射表面,且254 nm处的量子效率可达到60%,远大于碱金属卤化物紫外光电阴极。
关键词
GAN
第一性原理
可见光
盲
负电子亲和势
Keywords
GaN
first principle
visible-blind
NEA
分类号
TN23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
背照式AlGaN/GaN基光电探测器的结构设计及性能模拟
被引量：
5
3
作者
黄鑫
罗木昌
周勋
机构
重庆邮电大学光电学院
重庆光电研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2011年第11期2071-2077,共7页
基金
国防预研基金
国家863计划
文摘
基于扩散漂移方程,对背照式日盲紫外AlxGa1-xN异质结p-i-n光电二极管和可见盲GaN同质结吸收区和倍增区分离的雪崩光电二极管(SAM-APD)进行了建模,模拟分析了这两种探测器的光电响应特性和电学参数,结果与实测数据和文献报道数据一致性较好。计算时还考虑了材料制备和器件工艺的实际情况,分析了有关参数对器件性能的影响,这些结果对于分析器件的工作机制以及提取某些感兴趣的参数都有较好的指导意义。
关键词
氮化物
可见光
盲
/日
盲
紫外
光
电二极管
模拟
Keywords
III-Nitride
visible-blind/solar-blind UV
photodiode
simulation
分类号
TN21 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
可见光盲SiC紫外雪崩光电二极管
杨成东
苏琳琳
夏开鹏
马文烨
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
原文传递
2
NEA GaN光电阴极第一性原理研究
任彬
石峰
郭晖
江兆潭
程宏昌
焦岗成
苗壮
冯刘
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2015
1
下载PDF
职称材料
3
背照式AlGaN/GaN基光电探测器的结构设计及性能模拟
黄鑫
罗木昌
周勋
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2011
5
下载PDF
职称材料
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