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固态薄膜可重编程的模拟可变电阻存储器的制造和性能
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作者 申功烈 欧军 +2 位作者 李自高 付秉相 王莉 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第4期294-297,共4页
介绍氧化钨基永久性的电可重编程的可变电阻器作为用于电子神经网络的模拟突触记忆联接器。该器件具有类晶体管的多层薄膜器件结构，它是依次由直流溅射和电子束蒸发工艺沉积到一个绝缘衬底，即衬底／Ni／WO3／SiO／Cr2O3／SiO／Al。用... 介绍氧化钨基永久性的电可重编程的可变电阻器作为用于电子神经网络的模拟突触记忆联接器。该器件具有类晶体管的多层薄膜器件结构，它是依次由直流溅射和电子束蒸发工艺沉积到一个绝缘衬底，即衬底／Ni／WO3／SiO／Cr2O3／SiO／Al。用电压控制H+离子可逆地内插和去插到WO3薄膜来调制电阻。一个吸湿的Cr2O3薄膜用作H+离子源。该器件电阻可以特制和稳定在很宽的动态范围（约105～109Ω），并且编程速度受控制电压调制。讨论了该器件在响应速度、可逆性、稳定性和循环性方面的适应能力。 展开更多
关键词 可重编程 可变电阻存储器 薄膜 读电极 写电极
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