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变参数细胞神经网络的分数阶可切换多元电路设计及仿真
被引量：
1
1
作者
张小红
俞梁华
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期933-943,共11页
构建新的整数阶三维细胞神经网络系统,通过对其非线性动力学分析、数值计算与电路仿真,验证了该系统混沌吸引子的存在性及物理上的可实现性.同时通过调节线性参数b,研究了新的细胞神经网络系统在基于分数阶qi(i=1,2,3)不同组合条件下所...
构建新的整数阶三维细胞神经网络系统,通过对其非线性动力学分析、数值计算与电路仿真,验证了该系统混沌吸引子的存在性及物理上的可实现性.同时通过调节线性参数b,研究了新的细胞神经网络系统在基于分数阶qi(i=1,2,3)不同组合条件下所表现出的混沌特性.结合分数阶电路理论分析分数阶电路中各单元电路形式,并设计了相应参数b可变、阶数值qi可切换的分数阶细胞神经网络电路系统.经统计本设计可实现13824种多元组合电路,并选取具有代表性组合电路进行电路仿真.仿真结果表明,多元电路仿真和数值仿真具有相似的混沌相图,从而证实了细胞神经网络在分数阶条件下仍表现出丰富的动力学特性,具有灵活实用价值和现实推广意义.
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关键词
细胞神经网络
分数阶
电路
混沌吸引子
电路
仿真
可
切换
电路
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职称材料
基于WO_x阻变材料的RRAM电路设计
2
作者
于杰
张文俊
焦斌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期169-174,共6页
采用HHNEC0.18μm标准CMOS工艺设计实现了多个1kb容量的阻变存储器电路。针对WOx阻变材料的操作特点,提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路,满足了单极(Unipolar)与双极(Bipolar)兼容操作需求的同时提高了读操作的成功率。引入...
采用HHNEC0.18μm标准CMOS工艺设计实现了多个1kb容量的阻变存储器电路。针对WOx阻变材料的操作特点,提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路,满足了单极(Unipolar)与双极(Bipolar)兼容操作需求的同时提高了读操作的成功率。引入位线限流模块解决了置位(set)过程需要字线限流的问题,进而可以实现包含‘0’和‘1’多位数据的并行写入。芯片采用高低两种电压设计,同时包含多种阵列尺寸结构的对比测试电路。
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关键词
阻变存储器
WOx
可
切换
写
电路
自调节读参考
电路
位线限流模块
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职称材料
题名
变参数细胞神经网络的分数阶可切换多元电路设计及仿真
被引量：
1
1
作者
张小红
俞梁华
机构
江西理工大学信息学院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期933-943,共11页
基金
国家自然科学基金(No.61363076
No.11062002)
+3 种基金
江西省自然科学基金(No.20142BAB207020)
江西省教育厅科技项目(No.GJJ14465
No.GJJ14439)
江西省研究生创新专项资金(No.YC2014-S368)
文摘
构建新的整数阶三维细胞神经网络系统,通过对其非线性动力学分析、数值计算与电路仿真,验证了该系统混沌吸引子的存在性及物理上的可实现性.同时通过调节线性参数b,研究了新的细胞神经网络系统在基于分数阶qi(i=1,2,3)不同组合条件下所表现出的混沌特性.结合分数阶电路理论分析分数阶电路中各单元电路形式,并设计了相应参数b可变、阶数值qi可切换的分数阶细胞神经网络电路系统.经统计本设计可实现13824种多元组合电路,并选取具有代表性组合电路进行电路仿真.仿真结果表明,多元电路仿真和数值仿真具有相似的混沌相图,从而证实了细胞神经网络在分数阶条件下仍表现出丰富的动力学特性,具有灵活实用价值和现实推广意义.
关键词
细胞神经网络
分数阶
电路
混沌吸引子
电路
仿真
可
切换
电路
Keywords
cellular neural networks
fractional-order circuit
chaotic attractor
circuit simulation
switchable circuit
分类号
TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
O415.5 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]
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职称材料
题名
基于WO_x阻变材料的RRAM电路设计
2
作者
于杰
张文俊
焦斌
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期169-174,共6页
基金
国家高新技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA010401)
文摘
采用HHNEC0.18μm标准CMOS工艺设计实现了多个1kb容量的阻变存储器电路。针对WOx阻变材料的操作特点,提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路,满足了单极(Unipolar)与双极(Bipolar)兼容操作需求的同时提高了读操作的成功率。引入位线限流模块解决了置位(set)过程需要字线限流的问题,进而可以实现包含‘0’和‘1’多位数据的并行写入。芯片采用高低两种电压设计,同时包含多种阵列尺寸结构的对比测试电路。
关键词
阻变存储器
WOx
可
切换
写
电路
自调节读参考
电路
位线限流模块
Keywords
RRAM
WOx
PSWC
SARC
bit-line current limiter
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TP333.5 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
变参数细胞神经网络的分数阶可切换多元电路设计及仿真
张小红
俞梁华
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
下载PDF
职称材料
2
基于WO_x阻变材料的RRAM电路设计
于杰
张文俊
焦斌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
下载PDF
职称材料
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