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一种新型的抑制地线反弹噪声的Tri-Mode MTCMOS电路结构
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作者 杨文荣 吴浩 +1 位作者 薛力升 朱赛飞 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期657-660,665,共5页
提出了一种新型的MTCMOS电路结构。该结构在Tri-Mode MTCMOS电路基础上,结合叠加门控技术,进行电路结构改进,解决了Tri-Mode MTCMOS电路结构在高电压情况下抑制地线反弹噪声效果不明显的问题。电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计,使用HS... 提出了一种新型的MTCMOS电路结构。该结构在Tri-Mode MTCMOS电路基础上,结合叠加门控技术,进行电路结构改进,解决了Tri-Mode MTCMOS电路结构在高电压情况下抑制地线反弹噪声效果不明显的问题。电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计,使用HSPICE进行仿真。仿真结果表明,该结构与传统的MTCMOS电路相比,平均地线反弹减少约70%,比TriMode MTCMOS结构提高15%以上,特别在高电压情况下,平均提升40%。 展开更多
关键词 MTCMOS 地线反弹 叠加门控技术 三相多阈值电路
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